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公开(公告)号：CN101111502B
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200680003625.7
申请日：2006-01-25
Applicant: 东曹株式会社 , 财团法人相模中央化学研究所
Abstract: 本发明提供新型钽化合物及其制备方法，所述钽化合物可以分别形成不含卤素的含钽薄膜和含有目标元素的含钽薄膜。此外，还提供稳定形成含目标元素的含钽薄膜的方法。本发明涉及下述通式(1)(式中，R1表示碳原子数为2～6的直链状烷基)、或下述通式(2)(式中，R2表示碳原子数为2～6的直链状烷基)表示的钽化合物，及其制备方法。此外，本发明还涉及以下述通式(6)(其中，j、k、m和n为满足j+k＝5、m+n＝5的1～4的整数，R3～R6为氢原子、碳原子数为1～6的烷基等)表示的钽化合物作为原料，形成含钽薄膜的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101111502A
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200680003625.7
申请日：2006-01-25
Applicant: 东曹株式会社 , 财团法人相模中央化学研究所
Abstract: 本发明提供新型钽化合物及其制备方法，所述钽化合物可以分别形成不含卤素的含钽薄膜和含有目标元素的含钽薄膜。此外，还提供稳定形成含目标元素的含钽薄膜的方法。本发明涉及下述通式(1)(式中，R1表示碳原子数为2～6的直链状烷基)、或下述通式(2)(式中，R2表示碳原子数为2～6的直链状烷基)表示的钽化合物，及其制备方法。此外，本发明还涉及以下述通式(6)(其中，j、k、m和n为满足j+k＝5、m+n＝5的1～4的整数，R3～R6为氢原子、碳原子数为1～6的烷基等)表示的钽化合物作为原料，形成含钽薄膜的方法。
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公开(公告)号：CN1408717A
公开(公告)日：2003-04-09
申请号：CN02142607.4
申请日：2002-09-12
Applicant: 东曹株式会社
Abstract: 提供熔点低、汽化特性优异，而且在基板上成膜温度低的金属有机化合物，并以其作为原料由CVD法制造含钌薄膜。以通式[1]表示的有机钌化合物[具体例子是(2，4－二甲基戊二烯)(乙基环戊二烯)合钌]或者以通式[7]表示的有机钌化合物[具体例子是羰基二(2－甲基－1，3－戊二烯)合钌]为原料，由化学气相蒸镀法等制造含钌薄膜。
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公开(公告)号：CN100417656C
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200410032544.2
申请日：2004-04-08
Applicant: 东曹株式会社
Abstract: 本发明提供在CVD法成膜中，具有优良气化特性和热稳定性的新型铋化合物、其制备方法和膜的制备方法。还提供下述铋化合物、其制备方法和成膜法，其特征在于，如式1、式5、式9所示，式中，R1、R7表示低级烷基，R2、R8、R12及R13表示低级烷基、低级烷氧基等，m表示取代基R12的数目，为0～5，n1、n2、n3分别表示取代基R2、R8和R13的个数，为0～4、R3～R6、R9～R11、R14和R15表示氢、低级烷基等(其中排除特定取代基的组合)。
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公开(公告)号：CN1255417C
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN02142607.4
申请日：2002-09-12
Applicant: 东曹株式会社
Abstract: 提供熔点低、汽化特性优异，而且在基板上成膜温度低的金属有机化合物，并以其作为原料由CVD法制造含钌薄膜。以通式[1]表示的有机钌化合物[具体例子是(2，4-二甲基戊二烯)(乙基环戊二烯)合钌]或者以通式[7]表示的有机钌化合物[具体例子是羰基二(2-甲基-1，3-戊二烯)合钌]为原料，由化学气相蒸镀法等制造含钌薄膜。
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公开(公告)号：CN1539841A
公开(公告)日：2004-10-27
申请号：CN200410032544.2
申请日：2004-04-08
Applicant: 东曹株式会社
Abstract: 本发明提供在CVD法成膜中，具有优良气化特性和热稳定性的新型铋化合物、其制备方法和膜的制备方法。还提供下述铋化合物、其制备方法和成膜法，其特征在于，如式1、式5、式9所示，式中，R1、R7表示低级烷基，R2、R8、R12及R13表示低级烷基、低级烷氧基等，m表示取代基R12的数目，为0～5，n1、n2、n3分别表示取代基R2、R8和R13的个数，为0～4、R3～R6、R9～R11、R14和R15表示氢、低级烷基等(其中排除特定取代基的组合)。(见[式1]、[式2]、[式3]。
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