公开(公告)号：CN1408717A

公开(公告)日：2003-04-09

申请号：CN02142607.4

申请日：2002-09-12

Applicant: 东曹株式会社

Inventor： 河野和久 ,  关本谦一 ,  大岛宪昭 ,  涩田见哲夫 ,  熊谷周治 ,  古川泰志

IPC: C07F15/00 ,  C23C16/18

CPC classification number: C07F17/02 ,  C23C16/18

Abstract: 提供熔点低、汽化特性优异，而且在基板上成膜温度低的金属有机化合物，并以其作为原料由CVD法制造含钌薄膜。以通式[1]表示的有机钌化合物[具体例子是(2，4－二甲基戊二烯)(乙基环戊二烯)合钌]或者以通式[7]表示的有机钌化合物[具体例子是羰基二(2－甲基－1，3－戊二烯)合钌]为原料，由化学气相蒸镀法等制造含钌薄膜。

公开(公告)号：CN1255417C

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：CN02142607.4

申请日：2002-09-12

Applicant: 东曹株式会社

Inventor： 河野和久 ,  关本谦一 ,  大岛宪昭 ,  涩田见哲夫 ,  熊谷周治 ,  古川泰志

IPC: C07F15/00 ,  C23C16/18

CPC classification number: C07F17/02 ,  C23C16/18

Abstract: 提供熔点低、汽化特性优异，而且在基板上成膜温度低的金属有机化合物，并以其作为原料由CVD法制造含钌薄膜。以通式[1]表示的有机钌化合物[具体例子是(2，4-二甲基戊二烯)(乙基环戊二烯)合钌]或者以通式[7]表示的有机钌化合物[具体例子是羰基二(2-甲基-1，3-戊二烯)合钌]为原料，由化学气相蒸镀法等制造含钌薄膜。