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公开(公告)号：CN116911234A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310991252.4
申请日：2023-08-08
Applicant: 东南大学 , 南京集成电路设计自动化技术创新中心
IPC: G06F30/367
Abstract: 本发明公开了一种快速获取场效应管寄生电阻的方法。通过TCAD仿真获得场效应管载流子浓度、迁移率、电流密度等参数，依据电流密度分布合理划分区域，分别计算各区域的电阻值，利用各区域电阻与总电阻的数量关系求解出场效应管各部分寄生电阻。该方法与传统的寄生电阻提取方法相比，能够在不牺牲精度的情况下成倍的节省扫描场效应管尺寸参数所需的仿真算力，直接获得场效应管各部分寄生电阻阻值以及与栅极电压、漏极电压等参数的关系，为场效应管寄生电阻的分析与求解提供更为快速、直接的方法。
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公开(公告)号：CN116384330A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310332561.0
申请日：2023-03-31
Applicant: 东南大学 , 南京集成电路设计自动化技术创新中心
IPC: G06F30/398
Abstract: 本发明公开了一种获取鳍式场效应管寄生电容波动模型的方法。通过TCAD仿真所获得的鳍式场效应管电场分布，获取寄生电容解析模型，之后利用统计阻抗场法获取寄生电容受工艺波动影响的数据，仿真数据校准拟合后，生成考虑工艺波动的寄生电容波动模型。该方法能够减少仿真工艺波动所需的大量计算，并且能够以统计分布的形式较为准确地表现工艺波动对寄生电容的影响。通过鳍式场效应管寄生电容波动模型，可以在不需要大量计算的情况下预估寄生电容的波动情况，解决考虑工艺波动条件下的电路设计的阈值、故障率、成品率等问题。
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公开(公告)号：CN117521571A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311479243.3
申请日：2023-11-08
Applicant: 东南大学 , 南京集成电路设计自动化技术创新中心
IPC: G06F30/3308 , G06F111/08
Abstract: 本发明提供一种预测半导体场效应管金属功函数波动效应的方法，包括求解多组金属功函数条件下的目标器件，提取器件工作过程中的电学特性参数，组成构建金属功函数波动效应预测模型所需要的数据集；根据数据集中不同电学特性参数与金属功函数的拟合关系，计算得到金属功函数波动效应预测模型拟合函数并验证，得到经过验证的预测模型；根据工艺生产过程中金属功函数波动产生的机制建立金属功函数波动分布概率模型，并生成金属功函数波动随机分布样本；向验证完毕的预测模型输入待预测的器件金属功函数波动随机分布样本，得到该器件在金属功函数波动下电学特性参数的波动分布。本发明能够快速准确地预测器件性能受金属功函数波动影响产生的效应。
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公开(公告)号：CN116341487A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310332567.8
申请日：2023-03-31
Applicant: 东南大学 , 南京集成电路设计自动化技术创新中心
IPC: G06F30/398 , G06F30/27 , G06F18/214
Abstract: 本发明提供一种预测鳍式场效应管器件随机掺杂波动效应的方法，包括根据鳍式场效应管(FinFET)器件的沟道掺杂分布以及漏极电流与栅极电压关系曲线构建数据集；设置输入层、隐藏层和输出层的层数与神经元个数，建立FinFET器件随机掺杂波动的神经网络预测模型；为该模型设定初始值，通过不断对训练数据进行预测来计算误差，并通过反向传播算法更新、优化模型参数；向训练完毕的神经网络预测模型输入待预测FinFET器件的参数，得到该器件的阈值电压和亚阈值摆幅。本发明通过输入FinFET器件导电沟道分区域离子个数，可以快速、准确地预测该器件的阈值电压和亚阈值摆幅，为FinFET器件波动效应模拟提供一种耗时短、供选择的解决方案。
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公开(公告)号：CN118607423A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410753550.4
申请日：2024-06-12
Applicant: 东南大学 , 南京集成电路设计自动化技术创新中心
Abstract: 本发明提供一种快速计算半导体场效应管工艺波动效应的方法，包括TCAD计算半导体场效应管稳态解一次，获得参考电流值及参考转移特性曲线；生成工艺波动随机分布样本；计算电势格林函数和电流格林函数，并通过离散化处理及对工艺波动响应的非线性叠加，计算电极处的电流波动；并将电流波动与参考电流值相加，获得特定工艺波动下的电流值；并通过变化工艺波动随机分布样本及变化栅极电压，获得不同波动情况下半导体场效应管的转移特性曲线族，并由此推导器件电学特性参数的分布。本发明仅需TCAD计算稳态解一次，并且考虑了器件的非线性扰动，降低了快速求解的模型误差，在保证计算效率的同时保障了求解精度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111261722B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202010072965.7
申请日：2020-01-21
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/868 , H01L29/06
Abstract: 一种集成电容的低反向恢复电荷的横向二极管，包括P型衬底，氧化层埋层，N型漂移区，氧化层，N型漂移区上设有P型体区、第一场氧、第二场氧、第三场氧、N型缓冲区、P型轻掺杂区和N型轻掺杂区，在P型体区内设有作为阳极的P型重掺杂区，在N型缓冲区内设有作为阴极的第二N型重掺杂区，在N型轻掺杂区内设有第一N型重掺杂区，在氧化层内设有第一多晶硅和电容，第一多晶硅位于型轻掺杂区的上方且第一多晶硅与P型轻掺杂区之间被氧化层隔离，所述电容由作为一个极板的第一金属铝和作为另一个极板的第二金属铝组成，第一金属铝与第一N型重掺杂区连接，第一多晶硅，第二金属铝和P型重掺杂区连接。
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公开(公告)号：CN111610649B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202010417638.0
申请日：2020-05-19
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种窄带超表面器件，包括由上至下依次设置的凹槽天线超表面层、缓冲介质层、可调介质层组和基底层，可调介质层组包括可调介质层和设于其上下表面的透明电极层；凹槽天线超表面层包括凹槽天线超表面结构，该结构包括呈周期分布的超表面天线单元，超表面天线单元中设有凹槽，使超表面天线单元的开口率大于0.7；缓冲介质层和基底层的折射率均低于可调介质层的折射率。本发明器件的反射率曲线具有极窄的带宽，反射峰半高宽在2nm以内，同时该结构中可调介质层的变化可以改变反射率曲线的共振波长，使其在可见光范围或更大范围内变化，并保持超高的效率与极窄的带宽，可应用于光谱探测与光谱检查等领域。
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公开(公告)号：CN112532038B
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202011167780.0
申请日：2020-10-27
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明是一种降低三相Swiss电路边界处电流畸变的控制系统及其控制方法，该控制系统包括信号采样及处理电路、数字处理及控制电路及驱动单元。所述信号采样及处理电路包括电压采样及处理电路、电流采样及处理电路；所述数字处理及控制电路包括以数字计算单元为核心的数字比较器1、数字比较器2、锁存单元、控制单元；所述驱动单元接收来自控制单元的控制信号，并驱动Qa、Qb、Qc三个低频双向功率管。本发明可以有效得出电流超前电压的相位值，根据计算值检测出进入边界区的时刻，并通过优化双向谐波注入开关管的导通状态，有效减小了边界区的电流畸变，进而提高了功率因数。
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公开(公告)号：CN112532038A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202011167780.0
申请日：2020-10-27
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明是一种降低三相Swiss电路边界处电流畸变的控制系统及其控制方法，该控制系统包括信号采样及处理电路、数字处理及控制电路及驱动单元。所述信号采样及处理电路包括电压采样及处理电路、电流采样及处理电路；所述数字处理及控制电路包括以数字计算单元为核心的数字比较器1、数字比较器2、锁存单元、控制单元；所述驱动单元接收来自控制单元的控制信号，并驱动Qa、Qb、Qc三个低频双向功率管。本发明可以有效得出电流超前电压的相位值，根据计算值检测出进入边界区的时刻，并通过优化双向谐波注入开关管的导通状态，有效减小了边界区的电流畸变，进而提高了功率因数。
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公开(公告)号：CN112271926A
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN202011030988.8
申请日：2020-09-27
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种GaN基有源钳位反激变换器的预测电流模控制方法，属于发电、变电或配电的技术领域。本发明通过理论计算的方法推导出某一工况下变换器损耗与谷值电流的关系式，求出使得损耗最小的谷值电流和对应的死区时间，以五元数组形式储存在LUT单元中；控制方法能够通过采样信号通过LUT单元确定下一周期的谷值电流和死区时间，从而控制副开关的导通时间和副开关关断至主开关开启这一段死区的时间，避免了续流损耗和对主开关寄生电容反向充电产生的损耗，经过一个周期的调整即可进入高效的工作状态，降低了损耗，提高了效率；基于GaN基的功率管使得变换器的动态性能更好，适用更高的工作频率，较低的寄生参数进一步降低损耗，提高效率。
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