公开(公告)号：CN118607423A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202410753550.4

申请日：2024-06-12

Applicant: 东南大学 ,  南京集成电路设计自动化技术创新中心

Inventor： 杨兰兰 ,  何延杰 ,  屠彦 ,  李怡宁 ,  黄铭熙

IPC: G06F30/30 ,  G06F30/23

Abstract: 本发明提供一种快速计算半导体场效应管工艺波动效应的方法，包括TCAD计算半导体场效应管稳态解一次，获得参考电流值及参考转移特性曲线；生成工艺波动随机分布样本；计算电势格林函数和电流格林函数，并通过离散化处理及对工艺波动响应的非线性叠加，计算电极处的电流波动；并将电流波动与参考电流值相加，获得特定工艺波动下的电流值；并通过变化工艺波动随机分布样本及变化栅极电压，获得不同波动情况下半导体场效应管的转移特性曲线族，并由此推导器件电学特性参数的分布。本发明仅需TCAD计算稳态解一次，并且考虑了器件的非线性扰动，降低了快速求解的模型误差，在保证计算效率的同时保障了求解精度。

公开(公告)号：CN116911234A

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202310991252.4

申请日：2023-08-08

Applicant: 东南大学 ,  南京集成电路设计自动化技术创新中心

Inventor： 杨兰兰 ,  刘怡呈 ,  屠彦 ,  何延杰 ,  李怡宁

IPC: G06F30/367

Abstract: 本发明公开了一种快速获取场效应管寄生电阻的方法。通过TCAD仿真获得场效应管载流子浓度、迁移率、电流密度等参数，依据电流密度分布合理划分区域，分别计算各区域的电阻值，利用各区域电阻与总电阻的数量关系求解出场效应管各部分寄生电阻。该方法与传统的寄生电阻提取方法相比，能够在不牺牲精度的情况下成倍的节省扫描场效应管尺寸参数所需的仿真算力，直接获得场效应管各部分寄生电阻阻值以及与栅极电压、漏极电压等参数的关系，为场效应管寄生电阻的分析与求解提供更为快速、直接的方法。

公开(公告)号：CN116384330A

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN202310332561.0

申请日：2023-03-31

Applicant: 东南大学 ,  南京集成电路设计自动化技术创新中心

Inventor： 杨兰兰 ,  刘怡呈 ,  屠彦 ,  何延杰 ,  李怡宁 ,  覃涛

IPC: G06F30/398

Abstract: 本发明公开了一种获取鳍式场效应管寄生电容波动模型的方法。通过TCAD仿真所获得的鳍式场效应管电场分布，获取寄生电容解析模型，之后利用统计阻抗场法获取寄生电容受工艺波动影响的数据，仿真数据校准拟合后，生成考虑工艺波动的寄生电容波动模型。该方法能够减少仿真工艺波动所需的大量计算，并且能够以统计分布的形式较为准确地表现工艺波动对寄生电容的影响。通过鳍式场效应管寄生电容波动模型，可以在不需要大量计算的情况下预估寄生电容的波动情况，解决考虑工艺波动条件下的电路设计的阈值、故障率、成品率等问题。

公开(公告)号：CN117521571A

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202311479243.3

申请日：2023-11-08

Applicant: 东南大学 ,  南京集成电路设计自动化技术创新中心

Inventor： 杨兰兰 ,  李怡宁 ,  何延杰 ,  刘怡呈 ,  屠彦

IPC: G06F30/3308 ,  G06F111/08

Abstract: 本发明提供一种预测半导体场效应管金属功函数波动效应的方法，包括求解多组金属功函数条件下的目标器件，提取器件工作过程中的电学特性参数，组成构建金属功函数波动效应预测模型所需要的数据集；根据数据集中不同电学特性参数与金属功函数的拟合关系，计算得到金属功函数波动效应预测模型拟合函数并验证，得到经过验证的预测模型；根据工艺生产过程中金属功函数波动产生的机制建立金属功函数波动分布概率模型，并生成金属功函数波动随机分布样本；向验证完毕的预测模型输入待预测的器件金属功函数波动随机分布样本，得到该器件在金属功函数波动下电学特性参数的波动分布。本发明能够快速准确地预测器件性能受金属功函数波动影响产生的效应。

公开(公告)号：CN116341487A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202310332567.8

申请日：2023-03-31

Applicant: 东南大学 ,  南京集成电路设计自动化技术创新中心

Inventor： 杨兰兰 ,  何延杰 ,  屠彦 ,  刘怡呈 ,  李怡宁 ,  覃涛

IPC: G06F30/398 ,  G06F30/27 ,  G06F18/214

Abstract: 本发明提供一种预测鳍式场效应管器件随机掺杂波动效应的方法，包括根据鳍式场效应管(FinFET)器件的沟道掺杂分布以及漏极电流与栅极电压关系曲线构建数据集；设置输入层、隐藏层和输出层的层数与神经元个数，建立FinFET器件随机掺杂波动的神经网络预测模型；为该模型设定初始值，通过不断对训练数据进行预测来计算误差，并通过反向传播算法更新、优化模型参数；向训练完毕的神经网络预测模型输入待预测FinFET器件的参数，得到该器件的阈值电压和亚阈值摆幅。本发明通过输入FinFET器件导电沟道分区域离子个数，可以快速、准确地预测该器件的阈值电压和亚阈值摆幅，为FinFET器件波动效应模拟提供一种耗时短、供选择的解决方案。