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公开(公告)号：CN118901290A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202380028378.X
申请日：2023-03-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 提供了具备第一芯片和设置在第一芯片上的第二芯片的半导体存储装置。第一芯片具备：基板；存储单元阵列，具有沿着与基板的主面垂直的第一方向配置的多个存储单元；多个第一导线，与存储单元阵列电连接且沿着第一方向延伸，第一导线是位线或字线；键合层，具有分别与多个第一导线电连接的多个键合点。多个键合点中的至少一个键合点相对于连接至少一个键合点的第一导线，设置在从第一方向来看偏离的位置。第二芯片设置在键合层上。
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公开(公告)号：CN111863704B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202010326105.1
申请日：2020-04-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/762
Abstract: 本文中描述的是一种接合以及/或者剥离基底的方法。在一个实施方案中，要被接合的基底的表面中的至少一个包括氧化物。在一个实施方案中，两个基底的表面均包括氧化物。然后，可以利用湿蚀刻通过蚀刻掉已经接合的层来剥离基底。在一个实施方案中，利用熔接工艺来接合两个基底，至少一个基底具有硅氧化物表面。在一种示例性蚀刻中，利用稀氢氟酸(DHF)蚀刻来蚀刻接合的硅氧化物表面，从而允许剥离两个接合的基底。在另一个实施方案中，硅氧化物可以是低密度硅氧化物。在一个实施方案中，两个基底都可以具有可以被熔接在一起的低密度硅氧化物的表面层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114375493A
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202080064193.0
申请日：2020-09-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L29/423
Abstract: 本发明涉及半导体装置的制作方法。半导体装置的制作方法具有：在氮化硅膜和第一导电膜上形成含有碳的第一膜的工序；形成包围第一膜的第一氧化硅膜的工序，其中，上述第一氧化硅膜位于氮化硅膜和第一导电膜上；除去第一膜而在第一氧化硅膜形成使氮化硅膜的至少一部分和第一导电膜的至少一部分露出的第一开口的工序；以及在第一开口内，在第一导电膜上以接触的方式形成第二导电膜的工序。
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公开(公告)号：CN111863704A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010326105.1
申请日：2020-04-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/762
Abstract: 本文中描述的是一种接合以及/或者剥离基底的方法。在一个实施方案中，要被接合的基底的表面中的至少一个包括氧化物。在一个实施方案中，两个基底的表面均包括氧化物。然后，可以利用湿蚀刻通过蚀刻掉已经接合的层来剥离基底。在一个实施方案中，利用熔接工艺来接合两个基底，至少一个基底具有硅氧化物表面。在一种示例性蚀刻中，利用稀氢氟酸(DHF)蚀刻来蚀刻接合的硅氧化物表面，从而允许剥离两个接合的基底。在另一个实施方案中，硅氧化物可以是低密度硅氧化物。在一个实施方案中，两个基底都可以具有可以被熔接在一起的低密度硅氧化物的表面层。
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公开(公告)号：CN119866533A
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202380064686.8
申请日：2023-09-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L25/07 , H01L25/065 , H01L25/18
Abstract: 本发明的基板接合方法依次实施以下工序，(a)提供包含多个配线部和层叠部的2片基板的工序，所述层叠部具有设于多个配线部间、沿着厚度方向选择比相互不同的基底层和上层，(b)多个配线部和上层形成平坦化的面的工序，(c)留下基底层，除去上层的工序，(d)至少向除去的层部分供给粘接剂，形成比基底层弹性模量小的粘接层的工序，(e)多个配线部和粘接层形成平坦化的接合面的工序，(f)使2片基板中的一个的接合面和2片基板中的另一个的接合面相面对，通过粘接层接合2片基板的工序。
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公开(公告)号：CN118056262A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202280066871.6
申请日：2022-10-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，所述半导体装置包括第一半导体元件和第二半导体元件，所述半导体装置的制造方法包括下述工序：在具有比第二弹性模量高的第一弹性模量的第一基板之上形成绝缘层，在所述绝缘层之上形成具有第一接合表面的所述第一半导体元件，在具有所述第二弹性模量的第二基板之上形成具有第二接合表面的所述第二半导体元件，使所述第一接合表面与所述第二接合表面贴合而形成层叠所述第一半导体元件与所述第二半导体元件的层叠体，以及从所述层叠体除去所述第一基板。
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公开(公告)号：CN117836903A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202280057262.4
申请日：2022-08-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/02
Abstract: 激光剥离用的层叠基板依次具备使激光光线透过的第一基板、吸收所述激光光线的第一绝缘层、使所述激光光线透过的第一多晶硅层、吸收所述激光光线的第二绝缘层、使所述激光光线透过的第二多晶硅层、以及第一器件层。所述层叠基板还具备贯通所述第一绝缘层来将所述第一基板与所述第一多晶硅层电连接的第一电极、以及贯通所述第二绝缘层来将所述第一多晶硅层与所述第二多晶硅层电连接的第二电极。所述第一电极与所述第二电极包含使所述激光光线透过的材料，所述第一电极与所述第二电极在俯视时不重叠，是相分离的。
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