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公开(公告)号：CN118056262A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202280066871.6
申请日：2022-10-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，所述半导体装置包括第一半导体元件和第二半导体元件，所述半导体装置的制造方法包括下述工序：在具有比第二弹性模量高的第一弹性模量的第一基板之上形成绝缘层，在所述绝缘层之上形成具有第一接合表面的所述第一半导体元件，在具有所述第二弹性模量的第二基板之上形成具有第二接合表面的所述第二半导体元件，使所述第一接合表面与所述第二接合表面贴合而形成层叠所述第一半导体元件与所述第二半导体元件的层叠体，以及从所述层叠体除去所述第一基板。
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