公开(公告)号：CN111863704B

公开(公告)日：2023-02-28

申请号：CN202010326105.1

申请日：2020-04-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 今井清隆 ,  相泽宽和 ,  前田宽 ,  前川薰 ,  三村裕司 ,  末永治信

IPC: H01L21/762

Abstract: 本文中描述的是一种接合以及/或者剥离基底的方法。在一个实施方案中，要被接合的基底的表面中的至少一个包括氧化物。在一个实施方案中，两个基底的表面均包括氧化物。然后，可以利用湿蚀刻通过蚀刻掉已经接合的层来剥离基底。在一个实施方案中，利用熔接工艺来接合两个基底，至少一个基底具有硅氧化物表面。在一种示例性蚀刻中，利用稀氢氟酸(DHF)蚀刻来蚀刻接合的硅氧化物表面，从而允许剥离两个接合的基底。在另一个实施方案中，硅氧化物可以是低密度硅氧化物。在一个实施方案中，两个基底都可以具有可以被熔接在一起的低密度硅氧化物的表面层。

公开(公告)号：CN111863704A

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：CN202010326105.1

申请日：2020-04-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 今井清隆 ,  相泽宽和 ,  前田宽 ,  前川薰 ,  三村裕司 ,  末永治信

IPC: H01L21/762

Abstract: 本文中描述的是一种接合以及/或者剥离基底的方法。在一个实施方案中，要被接合的基底的表面中的至少一个包括氧化物。在一个实施方案中，两个基底的表面均包括氧化物。然后，可以利用湿蚀刻通过蚀刻掉已经接合的层来剥离基底。在一个实施方案中，利用熔接工艺来接合两个基底，至少一个基底具有硅氧化物表面。在一种示例性蚀刻中，利用稀氢氟酸(DHF)蚀刻来蚀刻接合的硅氧化物表面，从而允许剥离两个接合的基底。在另一个实施方案中，硅氧化物可以是低密度硅氧化物。在一个实施方案中，两个基底都可以具有可以被熔接在一起的低密度硅氧化物的表面层。