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公开(公告)号：CN104024159B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201280051270.4
申请日：2012-07-26
Applicant: 东亚合成株式会社
IPC: C01B33/107 , B01J8/24 , B01J8/40
CPC classification number: C01B33/107 , B01J8/006 , B01J8/16 , B01J2208/00212 , B01J2208/00274
Abstract: 本发明提供一种氯代聚硅烷的制造方法，其在通过流动反应得到氯代聚硅烷时，可在提高成品率的同时，抑制可能副产的高次氯化硅的附着造成的堵塞。在使氯气与流动的硅粒子或硅合金粒子反应而得到氯代聚硅烷时，在反应槽(12)内部，在比硅粒子或硅合金粒子流动的范围更靠上侧，在使馏出成分馏出的馏出口(20)的正前设置抑制因流动而飞扬的微粒子从馏出口(20)流出的出口过滤器(22)，同时将出口过滤器(22)的温度设定在210～350℃的范围内。
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公开(公告)号：CN103998375A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201280062266.8
申请日：2012-12-06
Applicant: 东亚合成株式会社
IPC: C01B33/107
CPC classification number: C01B33/107 , C01B33/08 , C01B33/10742
Abstract: 为了用于半导体用途而寻求得到金属杂质浓度低的氯代聚硅烷，但通过蒸馏难以除去蒸汽压与氯代聚硅烷接近的钛化合物或发生升华现象的铝化合物等杂质。另一方面，在使以作为原料的金属硅中的铝或钛为代表的金属杂质减少的情况下，存在如果不提高反应温度，则难以引起氯化反应的趋势，因此，有装置上的制约。发现，通过将粒状的金属硅与金属铜或铜化合物的混合物在惰性气氛中加热，即使是不含铝或钛的高纯度的金属硅，也能够以较低温度实施氯化反应，且发现通过在开始氯化反应后根据需要追加金属硅，可以得到高纯度的氯代聚硅烷。
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公开(公告)号：CN107923893A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201680045442.5
申请日：2016-07-22
Applicant: 东亚合成株式会社
Inventor： 田口裕务
IPC: G01N31/00 , G01N31/12 , C01B33/107 , C07F7/02
Abstract: 本发明的碳分析方法的特征在于，使含有具有水解性的卤化金属化合物和有机成分的原料与纯水混合，使卤化金属化合物水解，形成水解物后，回收得到的水解物和上述有机成分的混合物，通过对该混合物进行碳分析，得到碳量。另一本发明的碳分析方法的特征在于，用纯水使具有水解性、含有卤原子和碳原子的金属化合物水解，形成含有碳原子的水解物后，对得到的水解物进行碳分析，得到碳量。
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公开(公告)号：CN103998375B
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201280062266.8
申请日：2012-12-06
Applicant: 东亚合成株式会社
IPC: C01B33/107
CPC classification number: C01B33/107 , C01B33/08 , C01B33/10742
Abstract: 为了用于半导体用途而寻求得到金属杂质浓度低的氯代聚硅烷，但通过蒸馏难以除去蒸汽压与氯代聚硅烷接近的钛化合物或发生升华现象的铝化合物等杂质。另一方面，在使以作为原料的金属硅中的铝或钛为代表的金属杂质减少的情况下，存在如果不提高反应温度，则难以引起氯化反应的趋势，因此，有装置上的制约。发现，通过将粒状的金属硅与金属铜或铜化合物的混合物在惰性气氛中加热，即使是不含铝或钛的高纯度的金属硅，也能够以较低温度实施氯化反应，且发现通过在开始氯化反应后根据需要追加金属硅，可以得到高纯度的氯代聚硅烷。
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公开(公告)号：CN102770812B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201180005211.9
申请日：2011-01-20
Applicant: 东亚合成株式会社
IPC: G03F7/32 , G03F7/11 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/322 , G03F7/30 , Y10T428/24802
Abstract: 本发明提供了一种能够对设置于含导电性高分子的基材上的光致抗蚀剂进行显影的显影液、以及使用该显影液形成抗蚀图形的方法。通过使显影液含有选自无机酸、等电点小于7的氨基酸、具有两个以上羧基的羧酸中的一种以上的酸和/或其盐，能够抑制由于显影液的原因导致的含导电性高分子的基材的表面电阻增大，得到微细的抗蚀图形。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102770812A
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN201180005211.9
申请日：2011-01-20
Applicant: 东亚合成株式会社
IPC: G03F7/32 , G03F7/11 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/322 , G03F7/30 , Y10T428/24802
Abstract: 本发明提供了一种能够对设置于含导电性高分子的基材上的光致抗蚀剂进行显影的显影液、以及使用该显影液形成抗蚀图形的方法。通过使显影液含有选自无机酸、等电点小于7的氨基酸、具有两个以上羧基的羧酸中的一种以上的酸和/或其盐，能够抑制由于显影液的原因导致的含导电性高分子的基材的表面电阻增大，得到微细的抗蚀图形。
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公开(公告)号：CN101999097A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN200980112820.7
申请日：2009-07-23
Inventor： 田口裕务
CPC classification number: G03F7/322 , G03F7/0233 , G03F7/093 , H05K1/09 , H05K3/064 , H05K2201/0329 , Y10T428/24802
Abstract: 本发明为形成导电层的方法，该导电层为通过在基体表面图案化而配置成的包含导电性高分子的导电层，该方法特征在于，使用包含重氮萘醌及酚醛清漆树脂的正型光致抗蚀剂组合物，并且，用钾离子浓度为0.08～0.20mol/L、共存的钠离子浓度小于0.1mol/L的显影液将使用该光致抗蚀剂组合物得到的抗蚀剂膜显影。
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公开(公告)号：CN107923893B
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN201680045442.5
申请日：2016-07-22
Applicant: 东亚合成株式会社
Inventor： 田口裕务
IPC: G01N31/00 , G01N31/12 , C01B33/107 , C07F7/02
Abstract: 本发明的碳分析方法的特征在于，使含有具有水解性的卤化金属化合物和有机成分的原料与纯水混合，使卤化金属化合物水解，形成水解物后，回收得到的水解物和上述有机成分的混合物，通过对该混合物进行碳分析，得到碳量。另一本发明的碳分析方法的特征在于，用纯水使具有水解性、含有卤原子和碳原子的金属化合物水解，形成含有碳原子的水解物后，对得到的水解物进行碳分析，得到碳量。
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公开(公告)号：CN102858915B
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201180018325.7
申请日：2011-03-28
IPC: H01L21/302 , C09K13/00
CPC classification number: C09D11/03 , C08G73/0266 , C08G2261/1424 , C08G2261/3221 , C08G2261/3223 , C08G2261/72 , C08K3/36 , C08K2003/2227 , C09D179/02 , H01L51/0019
Abstract: 本发明的目的在于提供对导电性高分子具有优异的蚀刻能力、所得到的图案的精度高的导电性高分子蚀刻用墨液、以及使用前述导电性高分子蚀刻用墨液的导电性高分子的图案化方法。本发明的导电性高分子蚀刻用墨液，其特征在于，其包含导电性高分子用蚀刻剂、增稠剂、及水系介质。另外，本发明的导电性高分子的图案化方法是使用前述导电性高分子蚀刻用墨液的图案化方法。
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公开(公告)号：CN104024159A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201280051270.4
申请日：2012-07-26
Applicant: 东亚合成株式会社
IPC: C01B33/107 , B01J8/24 , B01J8/40
CPC classification number: C01B33/107 , B01J8/006 , B01J8/16 , B01J2208/00212 , B01J2208/00274
Abstract: 本发明提供一种氯代聚硅烷的制造方法，其在通过流动反应得到氯代聚硅烷时，可在提高成品率的同时，抑制可能副产的高次氯化硅的附着造成的堵塞。在使氯气与流动的硅粒子或硅合金粒子反应而得到氯代聚硅烷时，在反应槽(12)内部，在比硅粒子或硅合金粒子流动的范围更靠上侧，在使馏出成分馏出的馏出口(20)的正前设置抑制因流动而飞扬的微粒子从馏出口(20)流出的出口过滤器(22)，同时将出口过滤器(22)的温度设定在210～350℃的范围内。
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