公开(公告)号：CN107849378A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201680041158.0

申请日：2016-10-27

Applicant: 东亚合成株式会社

Inventor： 桥本祐介 ,  井原孝

IPC: C09D11/10 ,  H01B13/00

Abstract: 课题：本发明的目的在于提供将导电性高分子膜非活化时干燥性和清洁性优异的隐形蚀刻墨液、以及使用了该隐形蚀刻墨液的导电性高分子的图案化方法。解决方法：通过包含导电性高分子用蚀刻剂(A)、无机颗粒(B)、聚丙烯酸或其盐(C)和水系介质(D)且pH被调整为3～7的导电性高分子用隐形蚀刻墨液能够解决上述课题。

公开(公告)号：CN101981098A

公开(公告)日：2011-02-23

申请号：CN200980110873.5

申请日：2009-03-19

Applicant: 鹤见曹达株式会社 ,  东亚合成株式会社

Inventor： 西村康雄 ,  井原孝

IPC: C08J7/00 ,  H01B5/14 ,  H01B13/00 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L51/0017 ,  C08J7/12 ,  C08J2300/108 ,  H01L21/32134 ,  H01L51/0023

Abstract: 本发明的目的在于，提供一种蚀刻方法及利用所述蚀刻方法蚀刻而成的具有导电性高分子的基板，所述蚀刻方法可以简单且容易地对使用特定的铈(Ⅳ)化合物的导电性高分子的蚀刻进行管理，可以稳定地进行蚀刻。本发明的蚀刻方法的特征在于，包含：蚀刻工序，使用包含特定的铈(Ⅳ)化合物的蚀刻液对导电性高分子进行蚀刻；分析工序，利用选自氧化还原电位测定、氧化还原滴定及电导率测定中的至少一种分析方法对蚀刻液进行分析；以及，管理工序，根据利用所述分析工序所得到的结果对蚀刻工序进行管理。

公开(公告)号：CN103456626B

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201310232197.7

申请日：2007-09-13

Applicant: 东亚合成株式会社

Inventor： 井原孝 ,  藤本孝弘

IPC: H01L21/3213 ,  H01L51/00 ,  C09K13/00 ,  H05K3/06

CPC classification number: H05K3/067 ,  H01L21/32134 ,  H01L51/0017 ,  H01L51/0023 ,  H01L51/0037 ,  H05K1/09 ,  H05K3/064 ,  H05K2201/0329

Abstract: 本发明的目的是提供一种对于导电性高分子具有优越的蚀刻处理能力的导电性高分子用蚀刻液、及使用该导电性高分子用蚀刻液来将导电性高分子予以图案化的方法。本发明的图案化的方法使用如下的蚀刻液，即作为有效氯浓度为0.06重量％以上，并且pH值超过3且低于8的次氯酸盐水溶液的蚀刻液。

公开(公告)号：CN102770812B

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201180005211.9

申请日：2011-01-20

Applicant: 东亚合成株式会社

Inventor： 井原孝 ,  田口裕务

IPC: G03F7/32 ,  G03F7/11 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/322 ,  G03F7/30 ,  Y10T428/24802

Abstract: 本发明提供了一种能够对设置于含导电性高分子的基材上的光致抗蚀剂进行显影的显影液、以及使用该显影液形成抗蚀图形的方法。通过使显影液含有选自无机酸、等电点小于7的氨基酸、具有两个以上羧基的羧酸中的一种以上的酸和/或其盐，能够抑制由于显影液的原因导致的含导电性高分子的基材的表面电阻增大，得到微细的抗蚀图形。

公开(公告)号：CN102770812A

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN201180005211.9

申请日：2011-01-20

Applicant: 东亚合成株式会社

Inventor： 井原孝 ,  田口裕务

IPC: G03F7/32 ,  G03F7/11 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/322 ,  G03F7/30 ,  Y10T428/24802

Abstract: 本发明提供了一种能够对设置于含导电性高分子的基材上的光致抗蚀剂进行显影的显影液、以及使用该显影液形成抗蚀图形的方法。通过使显影液含有选自无机酸、等电点小于7的氨基酸、具有两个以上羧基的羧酸中的一种以上的酸和/或其盐，能够抑制由于显影液的原因导致的含导电性高分子的基材的表面电阻增大，得到微细的抗蚀图形。

公开(公告)号：CN103456626A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201310232197.7

申请日：2007-09-13

Applicant: 东亚合成株式会社

Inventor： 井原孝 ,  藤本孝弘

IPC: H01L21/3213 ,  H01L51/00 ,  C09K13/00 ,  H05K3/06

CPC classification number: H05K3/067 ,  H01L21/32134 ,  H01L51/0017 ,  H01L51/0023 ,  H01L51/0037 ,  H05K1/09 ,  H05K3/064 ,  H05K2201/0329

Abstract: 本发明的目的是提供一种对于导电性高分子具有优越的蚀刻处理能力的导电性高分子用蚀刻液、及使用该导电性高分子用蚀刻液来将导电性高分子予以图案化的方法。本发明的图案化的方法使用如下的蚀刻液，即作为有效氯浓度为0.06重量％以上，并且pH值超过3且低于8的次氯酸盐水溶液的蚀刻液。

公开(公告)号：CN102217009A

公开(公告)日：2011-10-12

申请号：CN200980146041.9

申请日：2009-11-18

Applicant: 东亚合成株式会社 ,  鹤见曹达株式会社

Inventor： 井原孝

IPC: H01B13/00 ,  G03F7/40 ,  G03F7/42 ,  H01B5/14 ,  H05K1/09 ,  H05K3/06

CPC classification number: H05K3/06 ,  G03F7/093 ,  G03F7/40 ,  G03F7/422 ,  H05K1/09 ,  H05K2201/0329

Abstract: 本发明提供一种剥离性优良且在从导电性高分子膜剥离抗蚀膜时抑制导电性聚合物膜端部的变色的、具有图案化导电性高分子膜的基板的制造方法。该制造方法特征在于，依次包含以下工序：形成在基板上依次具有导电性高分子膜和图案化抗蚀膜的基板的工序；根据抗蚀膜的图案蚀刻导电性高分子膜的工序；及利用剥离液剥离导电性高分子膜上的抗蚀膜的工序，所述剥离液含有有机溶剂(A)5～40重量％与有机溶剂(B)60～95重量％，所述有机溶剂(A)选自由N-烷基吡咯烷酮、羧酸酰胺化合物、二烷基亚砜及醚化合物构成的组，所述有机溶剂(B)选自由烷内酯、碳酸亚烷基酯及多元醇构成的组。

公开(公告)号：CN101681131A

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200880020064.0

申请日：2008-05-27

Applicant: 东亚合成株式会社 ,  鹤见曹达株式会社 ,  长濑化成株式会社 ,  长濑产业株式会社

Inventor： 井原孝

IPC: G03F7/42 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/425 ,  G03F7/426 ,  H01L21/31133 ,  Y10T428/24802

Abstract: 本发明的目的是提供从导电性高分子剥离抗蚀剂膜时不仅剥离性优异，且未对导电性高分子有不良影响的剥离剂，及提供导电性高分子上的抗蚀剂膜的剥离方法。另外，提供具有导电性良好、已图案化的导电性高分子的基板。本发明的导电性高分子上的抗蚀剂膜的剥离剂，其特征在于含有选自如下非质子性有机溶剂(a)和有机溶剂(b)中的至少一种有机溶剂：非质子性有机溶剂(a)为选自二烷基砜类、二烷基亚砜类、碳酸亚烃酯类及烷内酯类中且不含有氮原子的非质子性有机溶剂，有机溶剂(b)为化学结构中具有氮原子且为伯胺化合物、仲胺化合物及有机季铵盐以外的有机溶剂。

公开(公告)号：CN101523517A

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200780036318.3

申请日：2007-09-13

Applicant: 鹤见曹达株式会社 ,  东亚合成株式会社

Inventor： 井原孝 ,  藤本孝弘

IPC: H01B13/00 ,  C08J7/00 ,  H01L21/306

CPC classification number: H05K3/067 ,  H01L21/32134 ,  H01L51/0017 ,  H01L51/0023 ,  H01L51/0037 ,  H05K1/09 ,  H05K3/064 ,  H05K2201/0329

Abstract: 本发明的目的是提供一种对于导电性高分子具有优越的蚀刻处理能力的导电性高分子用蚀刻液、及使用该导电性高分子用蚀刻液来将导电性高分子予以图案化的方法。本发明的导电性蚀刻液，其特征为其是选自由下列所组成的族群中的蚀刻液：(1)含有超过0.5重量％、70重量％以下的(NH4)2Ce(NO3)6、或0.5重量％以上、30重量％以下的Ce(SO4)2的蚀刻液；(2)含有超过0.5重量％、30重量％以下的(NH4)4Ce(SO4)4的蚀刻液；(3)作为有效氯浓度为0.06重量％以上，并且pH值超过3且低于8的次氯酸盐水溶液的蚀刻液；(4)包括含有5重量％以上的盐酸、含有20重量％以上的硝酸，(盐酸浓度+0.51×硝酸浓度)的值为35重量％以下、且(盐酸浓度+0.5×硝酸浓度)的值为30重量％以上的亚硝酰氯的蚀刻液；(5)含有3重量％以上、40重量％以下的溴酸化合物，且含有4重量％以上的无机酸的蚀刻液；(6)含有6重量％以上、40重量％以下的氯酸化合物，且含有7重量％以上的卤化氢的蚀刻液；(7)含有0.001重量％以上、20重量％以下的高锰酸化合物的蚀刻液；以及(8)含有3重量％以上、30重量％以下的六价铬化合物的蚀刻液。

公开(公告)号：CN102858915B

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201180018325.7

申请日：2011-03-28

Applicant: 鹤见曹达株式会社 ,  东亚合成株式会社

Inventor： 西村康雄 ,  井原孝 ,  田口裕务

IPC: H01L21/302 ,  C09K13/00

CPC classification number: C09D11/03 ,  C08G73/0266 ,  C08G2261/1424 ,  C08G2261/3221 ,  C08G2261/3223 ,  C08G2261/72 ,  C08K3/36 ,  C08K2003/2227 ,  C09D179/02 ,  H01L51/0019

Abstract: 本发明的目的在于提供对导电性高分子具有优异的蚀刻能力、所得到的图案的精度高的导电性高分子蚀刻用墨液、以及使用前述导电性高分子蚀刻用墨液的导电性高分子的图案化方法。本发明的导电性高分子蚀刻用墨液，其特征在于，其包含导电性高分子用蚀刻剂、增稠剂、及水系介质。另外，本发明的导电性高分子的图案化方法是使用前述导电性高分子蚀刻用墨液的图案化方法。