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公开(公告)号：CN101107196A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200680002738.5
申请日：2006-03-17
Applicant: 东亚合成株式会社
IPC: C01B33/107
CPC classification number: C01B33/10784
Abstract: 本发明的目的在于提供从含有硅烷醇作为杂质的六氯化二硅原料中高效地除去硅烷醇，得到高纯度的六氯化二硅的方法。本发明的六氯化二硅的精制方法具有使含有六氯化二硅和作为杂质的硅烷醇的六氯化二硅原料与活性炭等吸附材料接触，将硅烷醇除去的工序。可以还具有进行蒸馏的工序。上述各工序优选在惰性气体气氛下进行。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101384336B
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN200780006055.1
申请日：2007-02-06
Applicant: 康肯科技股份有限公司 , 东亚合成株式会社
CPC classification number: B01D53/68 , B01D2257/204 , C23C16/4412 , F23G7/063 , F23L7/002
Abstract: 本发明提供HCD气体的除害方法及其装置。通过使含有六氯化二硅的废气(L)在不含有水分的情况下导入反应处理区域(K)，向保持在六氯化二硅的分解温度的反应处理区域(K)供给含有若干水分的有氧气体(G)，将六氯化二硅分解成盐酸、二氧化硅和水，在既不产生硅草酸也不产生氯的情况下安全地进行含有六氯化二硅的废气处理。
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公开(公告)号：CN103998375B
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201280062266.8
申请日：2012-12-06
Applicant: 东亚合成株式会社
IPC: C01B33/107
CPC classification number: C01B33/107 , C01B33/08 , C01B33/10742
Abstract: 为了用于半导体用途而寻求得到金属杂质浓度低的氯代聚硅烷，但通过蒸馏难以除去蒸汽压与氯代聚硅烷接近的钛化合物或发生升华现象的铝化合物等杂质。另一方面，在使以作为原料的金属硅中的铝或钛为代表的金属杂质减少的情况下，存在如果不提高反应温度，则难以引起氯化反应的趋势，因此，有装置上的制约。发现，通过将粒状的金属硅与金属铜或铜化合物的混合物在惰性气氛中加热，即使是不含铝或钛的高纯度的金属硅，也能够以较低温度实施氯化反应，且发现通过在开始氯化反应后根据需要追加金属硅，可以得到高纯度的氯代聚硅烷。
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公开(公告)号：CN101384336A
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200780006055.1
申请日：2007-02-06
Applicant: 康肯科技股份有限公司 , 东亚合成株式会社
CPC classification number: B01D53/68 , B01D2257/204 , C23C16/4412 , F23G7/063 , F23L7/002
Abstract: 本发明提供HCD气体的除害方法及其装置。通过使含有六氯化二硅的废气(L)在不含有水分的情况下导入反应处理区域(K)，向保持在六氯化二硅的分解温度的反应处理区域(K)供给含有若干水分的有氧气体(G)，将六氯化二硅分解成盐酸、二氧化硅和水，在既不产生硅草酸也不产生氯的情况下安全地进行含有六氯化二硅的废气处理。
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公开(公告)号：CN103998375A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201280062266.8
申请日：2012-12-06
Applicant: 东亚合成株式会社
IPC: C01B33/107
CPC classification number: C01B33/107 , C01B33/08 , C01B33/10742
Abstract: 为了用于半导体用途而寻求得到金属杂质浓度低的氯代聚硅烷，但通过蒸馏难以除去蒸汽压与氯代聚硅烷接近的钛化合物或发生升华现象的铝化合物等杂质。另一方面，在使以作为原料的金属硅中的铝或钛为代表的金属杂质减少的情况下，存在如果不提高反应温度，则难以引起氯化反应的趋势，因此，有装置上的制约。发现，通过将粒状的金属硅与金属铜或铜化合物的混合物在惰性气氛中加热，即使是不含铝或钛的高纯度的金属硅，也能够以较低温度实施氯化反应，且发现通过在开始氯化反应后根据需要追加金属硅，可以得到高纯度的氯代聚硅烷。
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公开(公告)号：CN101107196B
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN200680002738.5
申请日：2006-03-17
Applicant: 东亚合成株式会社
IPC: C01B33/107
CPC classification number: C01B33/10784
Abstract: 本发明的目的在于提供从含有硅烷醇作为杂质的六氯化二硅原料中高效地除去硅烷醇，得到高纯度的六氯化二硅的方法。本发明的六氯化二硅的精制方法具有使含有六氯化二硅和作为杂质的硅烷醇的六氯化二硅原料与活性炭等吸附材料接触，将硅烷醇除去的工序。可以还具有进行蒸馏的工序。上述各工序优选在惰性气体气氛下进行。
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