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公开(公告)号：CN103998375B
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201280062266.8
申请日：2012-12-06
Applicant: 东亚合成株式会社
IPC: C01B33/107
CPC classification number: C01B33/107 , C01B33/08 , C01B33/10742
Abstract: 为了用于半导体用途而寻求得到金属杂质浓度低的氯代聚硅烷，但通过蒸馏难以除去蒸汽压与氯代聚硅烷接近的钛化合物或发生升华现象的铝化合物等杂质。另一方面，在使以作为原料的金属硅中的铝或钛为代表的金属杂质减少的情况下，存在如果不提高反应温度，则难以引起氯化反应的趋势，因此，有装置上的制约。发现，通过将粒状的金属硅与金属铜或铜化合物的混合物在惰性气氛中加热，即使是不含铝或钛的高纯度的金属硅，也能够以较低温度实施氯化反应，且发现通过在开始氯化反应后根据需要追加金属硅，可以得到高纯度的氯代聚硅烷。
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公开(公告)号：CN104024159B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201280051270.4
申请日：2012-07-26
Applicant: 东亚合成株式会社
IPC: C01B33/107 , B01J8/24 , B01J8/40
CPC classification number: C01B33/107 , B01J8/006 , B01J8/16 , B01J2208/00212 , B01J2208/00274
Abstract: 本发明提供一种氯代聚硅烷的制造方法，其在通过流动反应得到氯代聚硅烷时，可在提高成品率的同时，抑制可能副产的高次氯化硅的附着造成的堵塞。在使氯气与流动的硅粒子或硅合金粒子反应而得到氯代聚硅烷时，在反应槽(12)内部，在比硅粒子或硅合金粒子流动的范围更靠上侧，在使馏出成分馏出的馏出口(20)的正前设置抑制因流动而飞扬的微粒子从馏出口(20)流出的出口过滤器(22)，同时将出口过滤器(22)的温度设定在210～350℃的范围内。
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公开(公告)号：CN103998375A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201280062266.8
申请日：2012-12-06
Applicant: 东亚合成株式会社
IPC: C01B33/107
CPC classification number: C01B33/107 , C01B33/08 , C01B33/10742
Abstract: 为了用于半导体用途而寻求得到金属杂质浓度低的氯代聚硅烷，但通过蒸馏难以除去蒸汽压与氯代聚硅烷接近的钛化合物或发生升华现象的铝化合物等杂质。另一方面，在使以作为原料的金属硅中的铝或钛为代表的金属杂质减少的情况下，存在如果不提高反应温度，则难以引起氯化反应的趋势，因此，有装置上的制约。发现，通过将粒状的金属硅与金属铜或铜化合物的混合物在惰性气氛中加热，即使是不含铝或钛的高纯度的金属硅，也能够以较低温度实施氯化反应，且发现通过在开始氯化反应后根据需要追加金属硅，可以得到高纯度的氯代聚硅烷。
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公开(公告)号：CN104024159A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201280051270.4
申请日：2012-07-26
Applicant: 东亚合成株式会社
IPC: C01B33/107 , B01J8/24 , B01J8/40
CPC classification number: C01B33/107 , B01J8/006 , B01J8/16 , B01J2208/00212 , B01J2208/00274
Abstract: 本发明提供一种氯代聚硅烷的制造方法，其在通过流动反应得到氯代聚硅烷时，可在提高成品率的同时，抑制可能副产的高次氯化硅的附着造成的堵塞。在使氯气与流动的硅粒子或硅合金粒子反应而得到氯代聚硅烷时，在反应槽(12)内部，在比硅粒子或硅合金粒子流动的范围更靠上侧，在使馏出成分馏出的馏出口(20)的正前设置抑制因流动而飞扬的微粒子从馏出口(20)流出的出口过滤器(22)，同时将出口过滤器(22)的温度设定在210～350℃的范围内。
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