公开(公告)号：CN119056507A

公开(公告)日：2024-12-03

申请号：CN202411187472.2

申请日：2024-08-28

Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司

Inventor： 傅小群 ,  徐云霞 ,  谷雨 ,  吴俊 ,  李建林

IPC: B01L3/00

Abstract: 本发明公开了一种改善金属台阶覆盖率的半导体器件及其制备方法，包括在衬底表面生长氮化钽层；在所述氮化钽层表面生长铝铜合金层，对所述铝铜合金层表面进行改性，得到疏光刻胶表面；在所述疏光刻胶表面涂光刻胶，对所述光刻胶进行图形化，形成光阻层；对所述铝铜合金层进行湿法腐蚀，形成上窄下宽的斜坡结构；在所述铝铜合金层的斜坡结构表面沉积氮化硅作为绝缘层；在所述绝缘层上生长顶层金属，对所述顶层金属光刻刻蚀形成金属图案。本发明通过降低台阶侧壁垂直度，形成一定角度的斜坡，使绝缘介质DEP沉积后对金属台阶的覆盖性高、均一性好、稳定性强，从而更好地电绝缘上下两层金属，使芯片有效工作。

公开(公告)号：CN117451808A

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202311436270.2

申请日：2023-10-31

Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司

Inventor： 谢思佳 ,  汤晓辉 ,  陈昌 ,  喻猛 ,  傅小群 ,  黎振华

IPC: G01N27/30 ,  G01N27/327 ,  G01N27/48

Abstract: 本发明提供一种氮化钛微电极阵列、制备方法及多通道分子检测装置，包括：基底；引线层，被配置为工作电极引线和对电极引线；第一绝缘层，设置有第一通孔和第二通孔；氮化钛导电层，氮化钛导电层被配置为工作电极和对电极，工作电极和对电极分别与相应的工作电极引线和对电极引线电连接；第二绝缘层，设置有至少显露部分工作电极的工作电极窗口和至少显露部分对电极的对电极窗口。本发明实现了以氮化钛为主要导电材料的、高密度的、兼容CMOS的可寻址的微电极阵列芯片，本发明还通过电化学表面修饰技术来实现功能化修饰，使氮化钛微电极阵列可以面向生物、医学领域的应用，并且实现同时多通道、不同种类检测的功能。