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公开(公告)号：CN119056507A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202411187472.2
申请日：2024-08-28
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: B01L3/00
Abstract: 本发明公开了一种改善金属台阶覆盖率的半导体器件及其制备方法，包括在衬底表面生长氮化钽层；在所述氮化钽层表面生长铝铜合金层，对所述铝铜合金层表面进行改性，得到疏光刻胶表面；在所述疏光刻胶表面涂光刻胶，对所述光刻胶进行图形化，形成光阻层；对所述铝铜合金层进行湿法腐蚀，形成上窄下宽的斜坡结构；在所述铝铜合金层的斜坡结构表面沉积氮化硅作为绝缘层；在所述绝缘层上生长顶层金属，对所述顶层金属光刻刻蚀形成金属图案。本发明通过降低台阶侧壁垂直度，形成一定角度的斜坡，使绝缘介质DEP沉积后对金属台阶的覆盖性高、均一性好、稳定性强，从而更好地电绝缘上下两层金属，使芯片有效工作。
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