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公开(公告)号：CN119313623A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411356614.3
申请日：2024-09-27
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明提供了一种半导体芯片的缺陷分类方法、系统及可读存储介质。该训练方法包括如下步骤：获取训练集数据，所述训练集数据包括半导体芯片的不同类型的缺陷图像；将所述训练集数据输入基于深度卷积神经网络的初始缺陷分类模型中，以对所述初始缺陷分类模型进行训练；在训练过程中，在所述初始缺陷分类模型的至少部分卷积块的末尾引入注意力机制模块，且在至少部分卷积块引入残差连接；经过多轮迭代训练后得到目标缺陷分类模型。该方法有效地平衡了模型性能与计算资源需求，确保在提升分类精度的同时保持较高的效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119205699A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411350763.9
申请日：2024-09-25
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: G06T7/00 , G06V10/764 , G06V10/82 , G06N3/0464 , G06N3/08
Abstract: 本发明提供一种基于深度学习的MEMS芯片自动化缺陷分类方法、系统及终端，通过对MEMS芯片图像正常样本数据以及涉及多个缺陷类别的MEMS芯片图像缺陷样本数据进行预处理构建训练用数据集，再利用对比学习训练策略训练MEMS芯片自动化缺陷分类模型，最后利用MEMS芯片自动化缺陷分类模型，根据输入的待预测MEMS芯片图像输出对应的分类结果。本发明提高了缺陷检测的效率和准确性，并能有效区分多种缺陷类型。
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公开(公告)号：CN119528084A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411623108.6
申请日：2024-11-14
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明提供一种通孔微针及其制备方法，方法包括如下步骤：提供硅片，在所述硅片的正面和背面均依次形成氮化硅层和氧化硅层；利用光刻、刻蚀工艺，在所述硅片的正面形成第一刻蚀掩膜，并进行第一次深硅刻蚀，形成半贯穿的深孔；利用光刻、刻蚀工艺，在所述硅片的背面形成第二刻蚀掩膜，并进行第二次深硅刻蚀，形成贯穿的深孔，得到针孔结构；去除所述硅片的正面和背面的所述氧化硅层；采用热氧化工艺，在所述深孔的内壁形成氧化硅层；在所述硅片的正面和背面以及所述深孔的内壁形成氮化硅层；去除所述硅片正面的所有氮化硅层；利用各向异性湿法刻蚀所述硅片，形成针体结构；去除剩余的所述氮化硅层和所述氧化硅层。
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公开(公告)号：CN119314872A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411427368.6
申请日：2024-10-12
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L21/306 , H01L21/3205 , C30B33/10 , C23C14/02 , C23C16/02 , C09K13/08
Abstract: 本发明提供一种晶圆背金属层的制作方法，该晶圆背金属层的制作方法包括以下步骤：提供待进行背面工艺的半导体器件晶圆及处理晶圆背面形貌的湿法处理设备，湿法处理设备的处理槽中盛有至少包括第一组分、第二组分、第三组分及第四组分的腐蚀液，腐蚀液中第一组分、第二组分及第三组分之间的比例范围为(6～8):(1～3):1；将晶圆置于处理槽中并以预设温度处理预设时间；于处理后的晶圆背面形成背金属层。本发明通过采用第一组分、第二组分及第三组分之间的比例范围为(6～8):(1～3):1的腐蚀液处理晶圆的背面之后再形成背金属层，改善了背金属层剥落的问题，提升了半导体器件的可靠性及良率。
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公开(公告)号：CN119056507A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202411187472.2
申请日：2024-08-28
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: B01L3/00
Abstract: 本发明公开了一种改善金属台阶覆盖率的半导体器件及其制备方法，包括在衬底表面生长氮化钽层；在所述氮化钽层表面生长铝铜合金层，对所述铝铜合金层表面进行改性，得到疏光刻胶表面；在所述疏光刻胶表面涂光刻胶，对所述光刻胶进行图形化，形成光阻层；对所述铝铜合金层进行湿法腐蚀，形成上窄下宽的斜坡结构；在所述铝铜合金层的斜坡结构表面沉积氮化硅作为绝缘层；在所述绝缘层上生长顶层金属，对所述顶层金属光刻刻蚀形成金属图案。本发明通过降低台阶侧壁垂直度，形成一定角度的斜坡，使绝缘介质DEP沉积后对金属台阶的覆盖性高、均一性好、稳定性强，从而更好地电绝缘上下两层金属，使芯片有效工作。
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公开(公告)号：CN118943048A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410990350.0
申请日：2024-07-23
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明提供一种改善低浓度TMAH腐蚀均匀性的方法，包括以下步骤：S1.配置浓度为2.38±0.003％的TMAH腐蚀液，倒入腐蚀槽中，将晶圆置于提拉装置内，使晶圆完全浸没在腐蚀液中；S2.启动循环系统，将腐蚀液的循环流量控制在2‑4升/分钟的范围内，并开启加热装置，将所述腐蚀液加热至78‑82℃；S3.提拉装置每1小时执行一次提升操作，将所述晶圆完全脱离所述腐蚀液3‑5秒，以释放腐蚀过程中产生的气泡；S4.腐蚀反应结束后，取出所述晶圆，并进行清洗和干燥处理，以去除表面残留物。本方法通过精确控制腐蚀液的温度和循环流量，确保了腐蚀过程的一致性和稳定性，通过定时提升晶圆的操作，有效释放了腐蚀过程中产生的气泡，减少了气泡对晶圆表面的不良影响，提升了腐蚀的均匀性。
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