宽光谱多糖碳量子点的制备方法及其应用

    公开(公告)号:CN110669509A

    公开(公告)日:2020-01-10

    申请号:CN201910821135.7

    申请日:2019-09-02

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明公开了一种宽光谱多糖碳量子点的制备方法及其应用,碳量子点是由天然多糖及其衍生物经烧结法制备而成,保留了前驱体主要的官能团,光谱范围从可见光区延伸到红外区,生物相容性极好,对外界环境敏感。将碳点水溶液加入到含有多价重金属离子水中,碳量子点与金属离子发生交联,形成水凝胶,发生荧光猝灭。收集碳量子点水凝胶,加入酸性或碱性水溶液,可形成金属盐沉淀,碳量子点水凝胶分解,碳量子点重新均匀分散到水中,形成碳量子点水溶液,荧光恢复。明显的荧光变化,用于对水中多价重金属离子的检测;可逆碳量子点水凝胶又可用于提取水中多种重金属离子。本发明产品制备设备简单,重复率高,成本低,无毒无害,可重复使用,易于推广。

    一种Cs3MnBr5微米晶及其复合膜的制备和应用

    公开(公告)号:CN118422334A

    公开(公告)日:2024-08-02

    申请号:CN202410524192.X

    申请日:2024-04-29

    Abstract: 本发明涉及防伪和辐射成像领域,具体为一种Cs3MnBr5微米晶及其复合膜的制备和应用。其包括以下步骤:S1、称取CsBr和MnBr2,并量取40%浓度HBr和去离子水;S2、将CsBr和MnBr2分别放置于两个烧杯中,在放有CsBr的烧杯中加入HBr和去离子水,在放有MnBr2的烧杯中加入HBr;S3、将两个烧杯放入超声波清洗仪中处理;S4、将溶液混合,将混合溶液放入超声波清洗仪中超声处理,烧杯中形成白色沉淀物;S5、将含有白色沉淀物的离心管放入离心机中,用异丙醇离心清洗沉淀物,将清洗完成的沉淀物移到小烧杯中,最后,将其置于烘箱中干燥,获得Cs3MnBr5微米晶。本发明制备的复合膜闪烁屏不仅具备优异的发光性能,还能制作成柔性大尺寸设备。

    基于钙钛矿纳米晶的γ射线闪烁转换屏的制备方法

    公开(公告)号:CN113325462B

    公开(公告)日:2023-01-10

    申请号:CN202110447448.8

    申请日:2021-04-25

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于钙钛矿纳米晶的全可见光谱、快速γ射线闪烁转换屏及其制备方法,首次解决了钙钛矿纳米晶体不能探测γ射线和传统闪烁体发光波长不可调节的问题。钙钛矿纳米晶为CsPbX3(Cl,Br,I),选用基底为BaF2单晶闪烁体,公开了一种CsPbX3NCs@BaF2闪烁转换屏的新结构。CsPbX3NCs@BaF2闪烁转换屏对γ射线具有非常有效的响应,在137Csγ射线源激发下的光产额为6300光子/MeV,γ射线衰减时间约为11ns,是实现快时间分辨率和全可见光谱γ射线探测的理想闪烁材料。本发明还将作为基底的闪烁体扩展到CeF3、LuAlO3:Ce(LuAP:Ce)、YAlO3:Ce(YAP:Ce)或ZnO:Ga等,它们结合钙钛矿材料,同样可以实现全色发射和高效γ射线探测。

    ZnO-Ga聚合物闪烁转换屏的制备方法

    公开(公告)号:CN110600159A

    公开(公告)日:2019-12-20

    申请号:CN201910821155.4

    申请日:2019-09-02

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明公开了一种ZnO-Ga聚合物闪烁转换屏的制备方法,能制备超快ZnO-Ga闪烁转换屏。本发明利用水热反应法制备ZnO-Ga纳米晶,然后主要采用树脂、聚苯乙烯或有机玻璃作为有机体材料,使ZnO-Ga纳米晶通过与有机体材料的结合,制备ZnO-Ga聚合物闪烁体。利用本发明方法获得ZnO-Ga闪烁体没有缺陷发光,慢成分,发光衰减时间在几十纳秒,只有禁带边超快发光,其发光衰减时间达到亚纳秒。同时,其厚度和直径尺寸能根据实际需要方便调控,适应性强,应用广泛。本发明方法不仅制备过程简单、成本低廉、制备周期短,而且具有良好的闪烁发光性能以及能制备出各种尺寸和不同厚度的闪烁转换屏的优势。

    Te和Sb分别掺杂Rb2ZrCl6微米晶以及复合膜的制备工艺和应用

    公开(公告)号:CN118600553A

    公开(公告)日:2024-09-06

    申请号:CN202410637076.9

    申请日:2024-05-22

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明涉及防伪和辐射成像材料领域,具体为Te和Sb分别掺杂Rb2ZrCl6微米晶以及复合膜的制备工艺和应用。Te掺杂Rb2ZrCl6微米晶的制备工艺能制备出Te掺杂Rb2ZrCl6微米晶,Sb掺杂Rb2ZrCl6微米晶的制备工艺能制备出Sb掺杂Rb2ZrCl6微米晶。复合膜的制备工艺中,将胶料、固化剂和根据上述Te/Sb掺杂Rb2ZrCl6微米晶的制备工艺制备的Te/Sb掺杂Rb2ZrCl6微米晶混合均匀,采用丝网印刷的方法制备Te/Sb掺杂Rb2ZrCl6复合膜。本发明分别采用水热法和水相法成功合成了大小均匀的Te掺杂Rb2ZrCl6和Sb掺杂Rb2ZrCl6微米晶,具有优异的光学性能和成像应用,不对人体健康构成威胁,稳定性好。

    ZnO-Ga聚合物闪烁转换屏的制备方法

    公开(公告)号:CN110600159B

    公开(公告)日:2021-07-06

    申请号:CN201910821155.4

    申请日:2019-09-02

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明公开了一种ZnO‑Ga聚合物闪烁转换屏的制备方法,能制备超快ZnO‑Ga闪烁转换屏。本发明利用水热反应法制备ZnO‑Ga纳米晶,然后主要采用树脂、聚苯乙烯或有机玻璃作为有机体材料,使ZnO‑Ga纳米晶通过与有机体材料的结合,制备ZnO‑Ga聚合物闪烁体。利用本发明方法获得ZnO‑Ga闪烁体没有缺陷发光,慢成分,发光衰减时间在几十纳秒,只有禁带边超快发光,其发光衰减时间达到亚纳秒。同时,其厚度和直径尺寸能根据实际需要方便调控,适应性强,应用广泛。本发明方法不仅制备过程简单、成本低廉、制备周期短,而且具有良好的闪烁发光性能以及能制备出各种尺寸和不同厚度的闪烁转换屏的优势。

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