公开(公告)号：CN118422334A

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202410524192.X

申请日：2024-04-29

Applicant: 上海大学 ,  中国工程物理研究院激光聚变研究中心

Inventor： 李乾利 ,  徐明辉 ,  任宽 ,  陈靖坤 ,  周元昊 ,  潘过雪 ,  黎乃鑫 ,  吴玉迟

IPC: C30B29/12 ,  C30B7/14 ,  B29C39/02

Abstract: 本发明涉及防伪和辐射成像领域，具体为一种Cs3MnBr5微米晶及其复合膜的制备和应用。其包括以下步骤：S1、称取CsBr和MnBr2，并量取40％浓度HBr和去离子水；S2、将CsBr和MnBr2分别放置于两个烧杯中，在放有CsBr的烧杯中加入HBr和去离子水，在放有MnBr2的烧杯中加入HBr；S3、将两个烧杯放入超声波清洗仪中处理；S4、将溶液混合，将混合溶液放入超声波清洗仪中超声处理，烧杯中形成白色沉淀物；S5、将含有白色沉淀物的离心管放入离心机中，用异丙醇离心清洗沉淀物，将清洗完成的沉淀物移到小烧杯中，最后，将其置于烘箱中干燥，获得Cs3MnBr5微米晶。本发明制备的复合膜闪烁屏不仅具备优异的发光性能，还能制作成柔性大尺寸设备。

公开(公告)号：CN118600553A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202410637076.9

申请日：2024-05-22

Applicant: 上海大学

Inventor： 冯鹤 ,  潘过雪 ,  李乾利

IPC: C30B29/12 ,  C30B7/10 ,  G09F3/00

Abstract: 本发明涉及防伪和辐射成像材料领域，具体为Te和Sb分别掺杂Rb2ZrCl6微米晶以及复合膜的制备工艺和应用。Te掺杂Rb2ZrCl6微米晶的制备工艺能制备出Te掺杂Rb2ZrCl6微米晶，Sb掺杂Rb2ZrCl6微米晶的制备工艺能制备出Sb掺杂Rb2ZrCl6微米晶。复合膜的制备工艺中，将胶料、固化剂和根据上述Te/Sb掺杂Rb2ZrCl6微米晶的制备工艺制备的Te/Sb掺杂Rb2ZrCl6微米晶混合均匀，采用丝网印刷的方法制备Te/Sb掺杂Rb2ZrCl6复合膜。本发明分别采用水热法和水相法成功合成了大小均匀的Te掺杂Rb2ZrCl6和Sb掺杂Rb2ZrCl6微米晶，具有优异的光学性能和成像应用，不对人体健康构成威胁，稳定性好。