公开(公告)号：CN113805218A

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：CN202010531788.4

申请日：2020-06-11

Applicant: 上海大学

Inventor： 冯鹤 ,  张志军

IPC: G01T1/20 ,  G01N23/046

Abstract: 本申请公开了一种X射线成像探测器用倍半氧化物透明陶瓷闪烁屏及其应用，该闪烁屏包括至少两层闪烁体；所述闪烁体的组分为：(M1xM2yM3zRE1‑x‑y‑z)2O3；其中：0≤x,y,z＜1；M代表Lu、Gd、Y、La或Sc；RE代表Eu、Tb、Pr、Tm或Dy。本发明通过倍半氧化物混晶组分的调节，优化对不同能量X射线的吸收效率，得到双层双色或多层多色的透明陶瓷闪烁屏，有利于提高双能或多能X射线探测的成像效果，且大面积制备相对容易。

公开(公告)号：CN105969354A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201610328071.3

申请日：2016-05-18

Applicant: 上海大学

Inventor： 冯鹤 ,  肖丰 ,  张志军 ,  徐展 ,  赵景泰

IPC: C09K11/79 ,  C30B29/34 ,  C30B13/00 ,  C30B15/00

CPC classification number: C09K11/7774 ,  C09K11/778 ,  C30B13/00 ,  C30B15/00 ,  C30B29/34

Abstract: 本发明公开了一种铈掺杂焦硅酸钆发光材料及其制备方法，其材料的化学式为(Gd1‑x‑y‑zKxCeyMz)2Si2O7，其中：K=La、Lu、Y、Sc的一种或多种的组合，M=Mg2+、Ca2+、Ba2+、B3+、In3+的一种或多种的组合，0≤x≤0.995，0.00001≤y≤0.05，0≤z≤0.05。本发明在发光材料铈掺杂焦硅酸钆中额外添加Mg2+、Ca2+、Ba2+、B3+、In3+主族离子，制备了铈掺杂焦硅酸钆闪烁单晶和荧光粉，与不掺杂主族离子的焦硅酸钆发光材料相比，掺杂主族离子的铈掺杂焦硅酸钆闪烁单晶和荧光粉的荧光衰减时间明显减小，优化了铈掺杂焦硅酸钆闪烁单晶和荧光粉的闪烁性能。

公开(公告)号：CN113265252B

公开(公告)日：2022-02-01

申请号：CN202110654672.4

申请日：2021-06-11

Applicant: 上海大学

Inventor： 冯鹤 ,  刘长江

IPC: C09K11/67 ,  C01G35/00

Abstract: 本发明公开了一种白光荧光粉的制备方法，包括以下步骤：将合成所需的原料混合压片的步骤；将所压片体置于还原性气氛中，1400‑1600℃温度下反应8‑12h的步骤；将冷却后所压片体粉碎得到荧光粉，荧光粉的化学结构式为Mg4Ta2‑xO9：Tbx，0.001≤X≤0.006，本方案以固相法制备荧光粉，经压片‑反应‑粉碎得到荧光粉，且在反应过程中对合成气氛进行微调控，还原气氛中合成，经检测发现，该合成工艺下有助荧光粉增强460nm的发光，减弱365nm的发光，掺杂Tb(即铽)增强钽酸镁的绿光部分，经试验获得的白光更接近纯正白光的色坐标，且该荧光粉的可调控性好，并提供一种钽酸镁的制备方法。

公开(公告)号：CN113265252A

公开(公告)日：2021-08-17

申请号：CN202110654672.4

申请日：2021-06-11

Applicant: 上海大学

Inventor： 冯鹤 ,  刘长江

IPC: C09K11/67 ,  C01G35/00

Abstract: 本发明公开了一种白光荧光粉的制备方法，包括以下步骤：将合成所需的原料混合压片的步骤；将所压片体置于还原性气氛中，1400‑1600℃温度下反应8‑12h的步骤；将冷却后所压片体粉碎得到荧光粉，荧光粉的化学结构式为Mg4Ta2‑xO9：Tbx，0.001≤X≤0.006，本方案以固相法制备荧光粉，经压片‑反应‑粉碎得到荧光粉，且在反应过程中对合成气氛进行微调控，还原气氛中合成，经检测发现，该合成工艺下有助荧光粉增强460nm的发光，减弱365nm的发光，掺杂Tb(即铽)增强钽酸镁的绿光部分，经试验获得的白光更接近纯正白光的色坐标，且该荧光粉的可调控性好，并提供一种钽酸镁的制备方法。

公开(公告)号：CN109881251A

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201910139028.6

申请日：2019-02-25

Applicant: 上海大学

Inventor： 冯鹤 ,  常靖宇 ,  张志军 ,  徐展 ,  赵景泰

IPC: C30B29/22 ,  C30B25/00 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  G01N23/04

Abstract: 本申请公开了稀土掺杂倍半氧化物亚微米X射线成像用单晶薄膜闪烁屏及其制备方法。所述单晶薄膜闪烁屏是在合适的单晶衬底上，生长稀土掺杂倍半氧化物单晶薄膜闪烁屏，其结构表述为：(Lu1-x-yMxREy)2O3。其中：0≤x≤1,0＜y≤0.3。RE代表Eu、Tb、Pr中的一种或多种，M代表Sc、Y、La、Gd、Hf中的一种或多种。本申请的单晶薄膜闪烁屏具有重密度，其中Lu2O3密度达9.42g/cm3，Eu在611nm的窄带发射与CCD响应曲线的匹配。本申请的制备方法不存在原料污染的问题，单晶薄膜质量高，光学性质和闪烁性能高。故本申请的单晶薄膜闪烁屏可以广泛应用于科学研究、医疗、安检、工业等领域中。

公开(公告)号：CN118324174A

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202410594887.5

申请日：2024-05-14

Applicant: 上海大学

Inventor： 冯鹤 ,  赵文海

IPC: C01F17/224 ,  C01F17/10 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了高纯氧化镥粉体制备工艺，包括以下步骤：第一、前驱体的制备；第二、煅烧，在≤10‑1Pa的稳态真空环境中，900℃下，将前驱体煅烧1‑3h得到Lu2O3纳米粉体，本发明人在大量试验下经偶然发现，在省却硫酸铵的情况下，减少碳酸氢铵的用量，并在限定真空环境及煅烧温度下可制备得到粉体分散性良好且粉体粒径均一的Lu2O3纳米粉体，制备成本降低。

公开(公告)号：CN116565346A

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202310627478.6

申请日：2023-05-30

Applicant: 上海大学

Inventor： 冯鹤 ,  刘宁 ,  毕辉 ,  雷雪

IPC: H01M10/36

Abstract: 本发明公开了一种用于水系锌基电池的电解液及其制备和应用，电解液包括非编码氨基酸、锌盐和溶剂，其可用于水系锌离子电池以提升锌离子电池循环性能，采用非编码氨基酸添加剂在电解液中通过化学吸附在锌负极表面，从而改善锌负极与电解液之间的界面环境、调节锌负极附近的电场分布、诱导锌离子均匀沉积，实现了无枝晶锌负极并抑制了析氢反应和腐蚀反应，提高了水系锌离子电池的循环和倍率性能。

公开(公告)号：CN108585853B

公开(公告)日：2021-12-24

申请号：CN201711309872.6

申请日：2017-12-11

Applicant: 上海大学

Inventor： 冯鹤 ,  庄吕超 ,  张志军 ,  赵景泰

IPC: C04B35/50 ,  C04B35/622 ,  C30B29/22 ,  C30B13/00 ,  C09K11/78

Abstract: 本发明提供一种铕掺杂氧化钪闪烁体，所述铕掺杂氧化钪闪烁体通式为(Sc1‑x‑yMxEuy)2O3；其中，M为选自Lu、Y或Gd中的一种或多种，0≤x≤0.4，0

公开(公告)号：CN108585853A

公开(公告)日：2018-09-28

申请号：CN201711309872.6

申请日：2017-12-11

Applicant: 上海大学

Inventor： 冯鹤 ,  庄吕超 ,  张志军 ,  赵景泰

IPC: C04B35/50 ,  C04B35/622 ,  C30B29/22 ,  C30B13/00 ,  C09K11/78

Abstract: 本发明提供一种铕掺杂氧化钪闪烁体，所述铕掺杂氧化钪闪烁体通式为(Sc1-x-yMxEuy)2O3；其中，M为选自Lu、Y或Gd中的一种或多种，0≤x≤0.4，0

公开(公告)号：CN105154977A

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201510569092.X

申请日：2015-09-09

Applicant: 上海大学

Inventor： 张志军 ,  冯鹤 ,  徐展 ,  王红 ,  胡关钦 ,  赵景泰

IPC: C30B29/32 ,  C30B7/10

Abstract: 本发明提供一种具有高光产额的钨酸铅闪烁晶体的生长方法。利用该方法制备的高光产额钨酸铅闪烁晶体，在X-射线激发下，其光产额可达到下降法生长的钨酸铅晶体的20倍，其发光峰位为465 - 495 nm，较下降法得到生长的钨酸铅晶体略有红移。在紫外线激发下，其光致发光强度可达到下降法生长的钨酸铅晶体的100倍。该高光产额钨酸铅闪烁晶体大大拓宽了钨酸铅晶体的应用领域，解决了现有技术中存在的钨酸铅晶体因光产额低而不能得到广泛应用，及掺杂改性和工艺优化仍不能实现高光产额输出的难题。