一种形貌可控的YAG微晶的制备方法

    公开(公告)号:CN104229857B

    公开(公告)日:2016-10-12

    申请号:CN201410401103.9

    申请日:2014-08-14

    IPC分类号: C01F17/00

    摘要: 本发明涉及一种形貌可控的YAG微晶的制备方法,包括以下步骤:(1)配料:以可溶性铝盐和可溶性钇盐为原料,按目标化合物的化学计量比配比配制成混合溶液;(2)共沉淀:将步骤(1)所得的混合溶液逐滴滴加至沉淀剂中并不断搅拌,室温下反应并陈化12~24小时,分离沉淀、洗涤、干燥得到前驱体;(3)溶剂热反应:将步骤(2)所得的前驱体分散于水‑酒精溶液体系中得到的悬浮液置于高压釜内,密封后于270~300℃反应5~24小时,分离沉淀、洗涤、干燥即得到所述钇铝石榴石微晶;其中,通过控制步骤(3)中的水‑酒精溶液体系中的水和酒精的比例、溶剂热反应温度、和/或反应时间来控制所得的钇铝石榴石微晶的形貌。

    ZnO-Ga聚合物闪烁转换屏的制备方法

    公开(公告)号:CN110600159B

    公开(公告)日:2021-07-06

    申请号:CN201910821155.4

    申请日:2019-09-02

    申请人: 上海大学

    摘要: 本发明公开了一种ZnO‑Ga聚合物闪烁转换屏的制备方法,能制备超快ZnO‑Ga闪烁转换屏。本发明利用水热反应法制备ZnO‑Ga纳米晶,然后主要采用树脂、聚苯乙烯或有机玻璃作为有机体材料,使ZnO‑Ga纳米晶通过与有机体材料的结合,制备ZnO‑Ga聚合物闪烁体。利用本发明方法获得ZnO‑Ga闪烁体没有缺陷发光,慢成分,发光衰减时间在几十纳秒,只有禁带边超快发光,其发光衰减时间达到亚纳秒。同时,其厚度和直径尺寸能根据实际需要方便调控,适应性强,应用广泛。本发明方法不仅制备过程简单、成本低廉、制备周期短,而且具有良好的闪烁发光性能以及能制备出各种尺寸和不同厚度的闪烁转换屏的优势。

    可实现高通量组分筛选的模具及成型方法

    公开(公告)号:CN109708942B

    公开(公告)日:2020-10-27

    申请号:CN201910142868.8

    申请日:2019-02-26

    申请人: 上海大学

    IPC分类号: G01N1/28

    摘要: 本申请公开了一种可实现高通量组分筛选的模具及成型方法,涉及材料筛选。模具包括装料模腔、多个横向隔片、底座和压头。装料模腔具有空腔,用于盛装原料及安装其他零件。多个横向隔片中每一横向隔片用于沿空腔的横向安装并与其可拆卸连接,以将空腔分成若干相等或者不等的间隔,每一间隔用于盛装不同组分不同比例的原料,以同时进行两种或者两种以上的组分优选。底座用于安装在装料模腔的底部。压头用于由装料模腔的上端至下端压入,以将原料压制成压片。在实验配料制备过程中,利用本申请可使得两种或两种以上的原料可以直接在模具中实现组分连续变化的梯度混合,可以对该模具中混合好的原料进行一次性同时压片,大大提高了工作效率。

    可实现高通量组分筛选的模具及成型方法

    公开(公告)号:CN109708942A

    公开(公告)日:2019-05-03

    申请号:CN201910142868.8

    申请日:2019-02-26

    申请人: 上海大学

    IPC分类号: G01N1/28

    摘要: 本申请公开了一种可实现高通量组分筛选的模具及成型方法,涉及材料筛选。模具包括装料模腔、多个横向隔片、底座和压头。装料模腔具有空腔,用于盛装原料及安装其他零件。多个横向隔片中每一横向隔片用于沿空腔的横向安装并与其可拆卸连接,以将空腔分成若干相等或者不等的间隔,每一间隔用于盛装不同组分不同比例的原料,以同时进行两种或者两种以上的组分优选。底座用于安装在装料模腔的底部。压头用于由装料模腔的上端至下端压入,以将原料压制成压片。在实验配料制备过程中,利用本申请可使得两种或两种以上的原料可以直接在模具中实现组分连续变化的梯度混合,可以对该模具中混合好的原料进行一次性同时压片,大大提高了工作效率。

    高光产额钨酸铅(PbWO4)闪烁晶体的生长方法

    公开(公告)号:CN105154977B

    公开(公告)日:2017-11-10

    申请号:CN201510569092.X

    申请日:2015-09-09

    申请人: 上海大学

    IPC分类号: C30B29/32 C30B7/10

    摘要: 本发明提供一种具有高光产额的钨酸铅闪烁晶体的生长方法。利用该方法制备的高光产额钨酸铅闪烁晶体,在X‑射线激发下,其光产额可达到下降法生长的钨酸铅晶体的20倍,其发光峰位为465‑495 nm,较下降法得到生长的钨酸铅晶体略有红移。在紫外线激发下,其光致发光强度可达到下降法生长的钨酸铅晶体的100倍。该高光产额钨酸铅闪烁晶体大大拓宽了钨酸铅晶体的应用领域,解决了现有技术中存在的钨酸铅晶体因光产额低而不能得到广泛应用,及掺杂改性和工艺优化仍不能实现高光产额输出的难题。

    一种形貌可控的YAG微晶的制备方法

    公开(公告)号:CN104229857A

    公开(公告)日:2014-12-24

    申请号:CN201410401103.9

    申请日:2014-08-14

    IPC分类号: C01F17/00

    摘要: 本发明涉及一种形貌可控的YAG微晶的制备方法,包括以下步骤:(1)配料:以可溶性铝盐和可溶性钇盐为原料,按目标化合物的化学计量比配比配制成混合溶液;(2)共沉淀:将步骤(1)所得的混合溶液逐滴滴加至沉淀剂中并不断搅拌,室温下反应并陈化12~24小时,分离沉淀、洗涤、干燥得到前驱体;(3)溶剂热反应:将步骤(2)所得的前驱体分散于水-酒精溶液体系中得到的悬浮液置于高压釜内,密封后于270~300℃反应5~24小时,分离沉淀、洗涤、干燥即得到所述钇铝石榴石微晶;其中,通过控制步骤(3)中的水-酒精溶液体系中的水和酒精的比例、溶剂热反应温度、和/或反应时间来控制所得的钇铝石榴石微晶的形貌。

    基于钙钛矿纳米晶的γ射线闪烁转换屏的制备方法

    公开(公告)号:CN113325462B

    公开(公告)日:2023-01-10

    申请号:CN202110447448.8

    申请日:2021-04-25

    申请人: 上海大学

    摘要: 本发明公开了一种基于钙钛矿纳米晶的全可见光谱、快速γ射线闪烁转换屏及其制备方法,首次解决了钙钛矿纳米晶体不能探测γ射线和传统闪烁体发光波长不可调节的问题。钙钛矿纳米晶为CsPbX3(Cl,Br,I),选用基底为BaF2单晶闪烁体,公开了一种CsPbX3NCs@BaF2闪烁转换屏的新结构。CsPbX3NCs@BaF2闪烁转换屏对γ射线具有非常有效的响应,在137Csγ射线源激发下的光产额为6300光子/MeV,γ射线衰减时间约为11ns,是实现快时间分辨率和全可见光谱γ射线探测的理想闪烁材料。本发明还将作为基底的闪烁体扩展到CeF3、LuAlO3:Ce(LuAP:Ce)、YAlO3:Ce(YAP:Ce)或ZnO:Ga等,它们结合钙钛矿材料,同样可以实现全色发射和高效γ射线探测。

    ZnO-Ga聚合物闪烁转换屏的制备方法

    公开(公告)号:CN110600159A

    公开(公告)日:2019-12-20

    申请号:CN201910821155.4

    申请日:2019-09-02

    申请人: 上海大学

    摘要: 本发明公开了一种ZnO-Ga聚合物闪烁转换屏的制备方法,能制备超快ZnO-Ga闪烁转换屏。本发明利用水热反应法制备ZnO-Ga纳米晶,然后主要采用树脂、聚苯乙烯或有机玻璃作为有机体材料,使ZnO-Ga纳米晶通过与有机体材料的结合,制备ZnO-Ga聚合物闪烁体。利用本发明方法获得ZnO-Ga闪烁体没有缺陷发光,慢成分,发光衰减时间在几十纳秒,只有禁带边超快发光,其发光衰减时间达到亚纳秒。同时,其厚度和直径尺寸能根据实际需要方便调控,适应性强,应用广泛。本发明方法不仅制备过程简单、成本低廉、制备周期短,而且具有良好的闪烁发光性能以及能制备出各种尺寸和不同厚度的闪烁转换屏的优势。