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公开(公告)号：CN117534961A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311234850.3
申请日：2023-09-22
IPC: C08L83/04 , C08L63/00 , C08K9/00 , C08K3/22 , C08K3/08 , G21K4/00 , B01F21/10 , B01J19/00 , G01T1/202
Abstract: 本发明提供了一种ZnO：Sc微米晶及其聚合物闪烁屏的制备方法和应用，属于辐射探测与成像技术领域技术领域，它解决了现有技术中制备闪烁屏的过程复杂、成本高昂、制备周期长等技术问题。本发明利用水热反应法制备ZnO：Sc微米晶，通过添加聚乙烯吡咯烷酮(polyvinyl pyrrolidone，PVP)控制ZnO：Sc形态，首次制备出呈双层饼状的ZnO：Sc微米晶，然后将制备的微米晶与PDMS或RTV复合制备成ZnO：Sc大尺寸聚合物柔性闪烁屏，或者与EP复合成超厚硬性闪烁屏，不仅可降低ZnO：Sc自身的自吸收问题提高发光效率，而且可以制备成任意形状与尺寸。ZnO：Sc聚合物闪烁转换屏不仅制备过程简单、成本低廉、制备周期短，而且具有良好的闪烁发光性能以及制备出大尺寸和超厚的闪烁转换屏的优势。
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公开(公告)号：CN109682847B
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN201811461910.4
申请日：2018-12-03
Applicant: 上海大学
IPC: G01N23/20008 , G01N23/20033 , G01N23/20058
Abstract: 本发明公开了一种组合材料芯片的高通量材料合成及同步辐射光源高通量表征方法，利用化学组合材料芯片的制备方法，与同步辐射光源X射线衍射站高通量表征相结合的高通量材料制备与表征综合系统。采用的原料可以是金属醇盐，硝酸盐，醋酸盐，氯化物。该方法可以利用化学法一次制备上百甚至上千的样品而且样品数量还可以根据实验需求自行调控。同步辐射X射线衍射线站高通量表征自动化平台可以对材料的晶体结构进行快速、高效地测试与解析。将化学组合材料芯片法与高通量表征的自动平台相结合构成的制备与表征系统，不仅可以极大的提高无机材料的制备与表征速度，还可以提高同步辐射光源的利用效率。
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公开(公告)号：CN108130083B
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN201711469191.6
申请日：2017-12-29
Applicant: 上海大学
IPC: C09K11/86
Abstract: 本发明提供了一种红绿变色可调的稀土氢氧氟化物发光材料及其制备方法，能制备一种发光性能优良、红绿光波段内变色可调的稀土氢氧氟化物发光材料。以基质为Y(OH)mF3‑m，通过晶格中掺杂不同比例的稀土发光离子Eu3+，Tb3+，实现了发光在500nm绿光和650nm红光波段内变色可调。利用具有层间阴离子交换特性的前驱体材料Y2(OH)5NO3·nH2O:x％Eu3+,y％Tb3+，在80℃下水浴氟化得到Y(OH)mF3‑m:x％Eu3+,y％Tb3+稀土氢氧氟化物发光材料。此材料具有优良的红绿变色发光性能，可用于LED荧光粉等领域，并且制备方法简便，能源消耗少，具有较好的经济价值。
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公开(公告)号：CN106916587B
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201710166030.3
申请日：2017-03-20
Applicant: 上海大学
IPC: C09K11/06 , C09K11/02 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C08F292/00 , C08F220/14
Abstract: 本发明涉及一种油溶性碳量子点(OCDs)、OCDs@PMMA、其制备方法及其应用。该油溶性碳量子点的粒径为：1‑10 nm，其表面不饱和碳键的含有为：20%‑50%。通过该方法合成的油溶性碳量子点具有良好的分散性和发光性能，可以作为PMMA的抗老化探针，而且利用油溶性碳量子点与PMMA原位聚合获得的复合材料具有卓越的光学透明性(透过率高达85%以上)，并将PMMA的抗紫外光老化性能提升了10倍以上，这不仅解决了现有技术中存在的碳量子点在全固态照明中的应用，而且还解决了PMMA因为老化性能较差而不能得到广泛应用的难题。
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公开(公告)号：CN109881251A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201910139028.6
申请日：2019-02-25
Applicant: 上海大学
IPC: C30B29/22 , C30B25/00 , C23C16/40 , C23C16/455 , G01N23/04
Abstract: 本申请公开了稀土掺杂倍半氧化物亚微米X射线成像用单晶薄膜闪烁屏及其制备方法。所述单晶薄膜闪烁屏是在合适的单晶衬底上，生长稀土掺杂倍半氧化物单晶薄膜闪烁屏，其结构表述为：(Lu1-x-yMxREy)2O3。其中：0≤x≤1,0＜y≤0.3。RE代表Eu、Tb、Pr中的一种或多种，M代表Sc、Y、La、Gd、Hf中的一种或多种。本申请的单晶薄膜闪烁屏具有重密度，其中Lu2O3密度达9.42g/cm3，Eu在611nm的窄带发射与CCD响应曲线的匹配。本申请的制备方法不存在原料污染的问题，单晶薄膜质量高，光学性质和闪烁性能高。故本申请的单晶薄膜闪烁屏可以广泛应用于科学研究、医疗、安检、工业等领域中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105883925B
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201610470544.3
申请日：2016-06-25
Applicant: 上海大学
IPC: C01G45/02
Abstract: 本发明涉及一种三维网络结构介孔四氧化三锰及其制备方法。其制备方法如下：将一定摩尔配比浓度的高锰酸钾溶液与甘露醇溶液混合、搅拌至紫色消失，加入还原剂，搅拌反应，过滤、洗涤、干燥，即得介孔四氧化三锰。本发明所得介孔四氧化三锰具有类海绵状的形貌和结构，因此，具有比表面积大，孔径分布窄等特点。可用于超级电容器、电池、催化、污水治理领域。如作为超电电极材料，其具有良好的综合电化学性能：在水系电解液中比容量为190~250F/g，倍率性能良好（50mv/s充放电速率下保持率60%~70%），且循环稳定性高（2A/g充放电2000次保持率高于99%）。此外，与传统制备方法比，该方法具有原料易得、产率高、生产周期短且设备要求低等优点，因此易于产业化。
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公开(公告)号：CN105481018B
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201610023322.7
申请日：2016-01-14
Applicant: 上海大学
IPC: C01G45/02
Abstract: 本发明公开了结构可调的3D网络结构介孔二氧化锰及其制备方法。本发明所得的介孔二氧化锰由二氧化锰纳米片铰链自组装形成3D网络结构类海绵状或蜂窝状多孔块体，具有比表面积大（大于150 m2 g‑1），孔径分布窄（即孔径大小均一性好）且晶化颗粒尺寸小等特点，因此，可应用于超级电容器、电池、催化、污水治理领域中。而所提供制备方法具有产率高、生产周期短且设备要求低等优势，是一种工艺流程简单、能耗小、反应周期短且成本低的制备介孔二氧化锰的方法，具有巨大的产业化应用价值。
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公开(公告)号：CN105481018A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201610023322.7
申请日：2016-01-14
Applicant: 上海大学
IPC: C01G45/02
CPC classification number: C01G45/02 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2006/12 , C01P2006/16 , C01P2006/17
Abstract: 本发明公开了结构可调的3D网络结构介孔二氧化锰及其制备方法。本发明所得的介孔二氧化锰由二氧化锰纳米片铰链自组装形成3D网络结构类海绵状或蜂窝状多孔块体，具有比表面积大（大于150 m2 g-1），孔径分布窄（即孔径大小均一性好）且晶化颗粒尺寸小等特点，因此，可应用于超级电容器、电池、催化、污水治理领域中。而所提供制备方法具有产率高、生产周期短且设备要求低等优势，是一种工艺流程简单、能耗小、反应周期短且成本低的制备介孔二氧化锰的方法，具有巨大的产业化应用价值。
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公开(公告)号：CN110600159A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910821155.4
申请日：2019-09-02
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种ZnO-Ga聚合物闪烁转换屏的制备方法，能制备超快ZnO-Ga闪烁转换屏。本发明利用水热反应法制备ZnO-Ga纳米晶，然后主要采用树脂、聚苯乙烯或有机玻璃作为有机体材料，使ZnO-Ga纳米晶通过与有机体材料的结合，制备ZnO-Ga聚合物闪烁体。利用本发明方法获得ZnO-Ga闪烁体没有缺陷发光，慢成分，发光衰减时间在几十纳秒，只有禁带边超快发光，其发光衰减时间达到亚纳秒。同时，其厚度和直径尺寸能根据实际需要方便调控，适应性强，应用广泛。本发明方法不仅制备过程简单、成本低廉、制备周期短，而且具有良好的闪烁发光性能以及能制备出各种尺寸和不同厚度的闪烁转换屏的优势。
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