铈掺杂焦硅酸钆发光材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN105969354A

    公开(公告)日:2016-09-28

    申请号:CN201610328071.3

    申请日:2016-05-18

    Applicant: 上海大学

    CPC classification number: C09K11/7774 C09K11/778 C30B13/00 C30B15/00 C30B29/34

    Abstract: 本发明公开了一种铈掺杂焦硅酸钆发光材料及其制备方法,其材料的化学式为(Gd1‑x‑y‑zKxCeyMz)2Si2O7,其中:K=La、Lu、Y、Sc的一种或多种的组合,M=Mg2+、Ca2+、Ba2+、B3+、In3+的一种或多种的组合,0≤x≤0.995,0.00001≤y≤0.05,0≤z≤0.05。本发明在发光材料铈掺杂焦硅酸钆中额外添加Mg2+、Ca2+、Ba2+、B3+、In3+主族离子,制备了铈掺杂焦硅酸钆闪烁单晶和荧光粉,与不掺杂主族离子的焦硅酸钆发光材料相比,掺杂主族离子的铈掺杂焦硅酸钆闪烁单晶和荧光粉的荧光衰减时间明显减小,优化了铈掺杂焦硅酸钆闪烁单晶和荧光粉的闪烁性能。

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