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公开(公告)号：CN101201544B
公开(公告)日：2011-11-02
申请号：CN200610119405.2
申请日：2006-12-11
申请人： 上海华虹NEC电子有限公司
发明人： 黄玮
IPC分类号： G03F7/16 , G03F7/20 , G03F7/26 , G03F7/42 , H01L21/027
摘要： 本发明公开了一种半导体光刻方法，包括先在半导体硅上生成氮化硅，之后在氮化硅上面涂光刻胶并进行光刻得到沟道，然后去除光刻胶，再在器件表面镀上二氧化硅，在二氧化硅上沟道两侧的区域中填充许多规则排列的点状辅助标记，之后根据所述辅助标记的位置用刻蚀和化学机械抛光的工艺去除氮化硅层、二氧化硅层和上面的辅助标记，最后在沟道间涂布光刻胶并进行后续工艺。本发明通过添加辅助标记的方式，大大降低了CMP工艺对套刻测量的影响，保证了套刻测量的准确性，从而提高了芯片的成品率。
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公开(公告)号：CN101464633A
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200710094576.9
申请日：2007-12-17
申请人： 上海华虹NEC电子有限公司
摘要： 本发明公开了一种多光罩平台的曝光系统，该系统包括多光罩平台、至少一个曝光平台及位于曝光平台和光罩平台之前的透镜。曝光平台用于放置切换硅片并进行硅片对准、曝光；多光罩平台用于光罩切换、对准，该多光罩平台是两个以上的光罩平台或者装载多块光罩的一个光罩平台。此外，本发明还公开了上述多光罩平台的曝光方法。本发明利用多个光罩平台，在硅片进行曝光的同时，在其他未进行曝光的光罩平台进行光罩的切换和对准，大大缩短了整个曝光流程所需时间。当使用一个光罩平台搭载多块光罩时，只需要进行一次光罩和硅片的对准，节约了对准的时间，从而提高了光刻机的曝光速度，提高了光刻机的生产能力。
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公开(公告)号：CN101458462A
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200710094443.1
申请日：2007-12-13
申请人： 上海华虹NEC电子有限公司
IPC分类号： G03F7/30 , G03F7/32 , G03F7/26 , H01L21/027
摘要： 本发明公开了一种降低半导体制造中光刻胶显影缺陷的光刻显影方法，该光刻显影方法包括在硅片上涂胶、软烘、曝光、后烘、显影、硬烘及测量，在硬烘之后还包括一显影清洗工艺。显影清洗工艺可以通过光刻设备的导轨设备系统来实现，也可以通过湿法清洗设备来实现。本发明的方法使硅片中光刻显影缺陷显著降低，提高成品率，适用于所有用到光刻显影的工艺中。
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公开(公告)号：CN101459133A
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200710094444.6
申请日：2007-12-13
申请人： 上海华虹NEC电子有限公司
IPC分类号： H01L21/8234 , H01L21/8239
摘要： 本发明公开了一种双层多晶硅自对准栅的制备方法，包括：先制备并刻蚀出双层多晶硅栅；后抗反射材料填充双层多晶硅栅所形成的台阶；再光刻定义位置，并去除曝光后露出的上层多晶硅栅上的抗反射材料；最后刻蚀上层多晶硅栅和介质层。本发明的制备方法在常见的双层多晶硅自对准栅的生成方法中引入抗反射层填充技术，将抗反射层作为保护层在刻蚀中对基板或场区进行保护，适用于双层多晶硅自对准栅结构的制备中。
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公开(公告)号：CN101458454A
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200710094513.3
申请日：2007-12-14
申请人： 上海华虹NEC电子有限公司
摘要： 本发明公开了一种可同时监控光刻曝光条件和套刻精度的方法，通过用形状为菱形的测量图形来排列成光刻套刻图形，并且使得所述各菱形的长度、宽度和空间周期取得足够小，以使得宏观光学测量不能分辨出所述光刻套刻图形中的各个菱形，而微观光刻则可以分辨出所述光刻套刻图形中的各个菱形；然后，使用光学显微镜来同时完成对光刻曝光条件及光刻套刻精度变化的测量，从而不仅简化了工艺步骤，降低了生产成本，缩短了硅片的生产周期；而且，对于监控曝光条件的监控，不仅能够监控曝光能量的变化，还可监控曝光焦距的变化，从而提高了对曝光条件的在线监控能力。
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公开(公告)号：CN101408738A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200710094134.4
申请日：2007-10-12
申请人： 上海华虹NEC电子有限公司
摘要： 本发明公开了一种光刻导轨设备中分立式热板系统。和现有的普通单一热板不同，本发明由许多分立的可以单独控制温度的热板组合形成。因为光刻工艺的表现和热板温度有直接联系，通过分立式热板对硅片不同区域分别加热，局部控温精度更好而且整体分布可控。使用了本发明的分立式热板系统后，可以大大提高光刻工艺中涂胶、显影工艺的硅片面内均一性，尤其对于越大尺寸的硅片效果越明显。同时通过分立式热板系统可以分区域控温，通过加热冷却来升高或降低热板温度以影响光刻工艺的特性，可以通过在光刻工艺中引入温度分布来降低前工程(如薄膜成长，化学机械抛光等)引入的硅片不均匀导致的光刻工艺窗口缩小，从而增加了光刻工艺窗口。
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公开(公告)号：CN101458454B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200710094513.3
申请日：2007-12-14
申请人： 上海华虹NEC电子有限公司
摘要： 本发明公开了一种可同时监控光刻曝光条件和套刻精度的方法，通过用形状为菱形的测量图形来排列成光刻套刻图形，并且使得所述各菱形的长度、宽度和空间周期取得足够小，以使得宏观光学测量不能分辨出所述光刻套刻图形中的各个菱形，而微观光刻则可以分辨出所述光刻套刻图形中的各个菱形；然后，使用光学显微镜来同时完成对光刻曝光条件及光刻套刻精度变化的测量，从而不仅简化了工艺步骤，降低了生产成本，缩短了硅片的生产周期；而且，对于监控曝光条件的监控，不仅能够监控曝光能量的变化，还可监控曝光焦距的变化，从而提高了对曝光条件的在线监控能力。
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公开(公告)号：CN101435998B
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：CN200710094237.0
申请日：2007-11-15
申请人： 上海华虹NEC电子有限公司
摘要： 本发明公开了一种降低光刻机镜头畸变引起的光刻对准偏差的方法，通过在同一曝光单元四周产生对称的光刻套刻图形，可测量出曝光单元上下左右各位置由于镜头畸变而产生的位置变化；然后，根据光刻机镜头畸变调整精度要求，选择合适的光刻套刻模型计算出镜头畸变量，并在每次曝光时通过光刻对准参数的补正来修正畸变量；从而实现了降低光刻机镜头畸变所引起的光刻对准偏差，提高光刻对准精度的目的；同时，该方法使得不同产品在不同光刻机上找到了一个简单的匹配标准，从而使得不同镜头表现的光刻机最终产出的产品能够保持统一性，从而大大提高了生产力；并且，这种方法易于实现，成本较低。
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公开(公告)号：CN101458462B
公开(公告)日：2011-03-23
申请号：CN200710094443.1
申请日：2007-12-13
申请人： 上海华虹NEC电子有限公司
IPC分类号： G03F7/30 , G03F7/32 , G03F7/26 , H01L21/027
摘要： 本发明公开了一种降低半导体制造中光刻胶显影缺陷的光刻显影方法，该光刻显影方法包括在硅片上涂胶、软烘、曝光、后烘、显影、硬烘及测量，在硬烘之后还包括一显影清洗工艺。显影清洗工艺可以通过光刻设备的导轨设备系统来实现，也可以通过湿法清洗设备来实现。本发明的方法使硅片中光刻显影缺陷显著降低，提高成品率，适用于所有用到光刻显影的工艺中。
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公开(公告)号：CN100552909C
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200710093952.2
申请日：2007-07-17
申请人： 上海华虹NEC电子有限公司
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 本发明公开了一种测量外延生长中图形畸变的方法，包括如下步骤：(1)采用光刻板A对衬底层进行光刻，刻蚀，产生两套测量图形；(2)在上述两套测量图形上产生保护层；(3)采用光刻板B对保护层进行光刻，刻蚀，使其中第一套图形被保护；(4)外延生长，产生第二套外延生长后的图形；(5)测量第一套图形和第二套图形，经对比得到外延生长中的图形畸变。使用了本发明的测量方法后，可以比较精确的测量出外延生长工艺造成的图形畸变量，一方面可以提高外延工艺的工艺参数表现的表征能力，另一方面对于后续的光刻对准工艺有很大帮助，可以提高小尺寸外延产品的光刻对准精度，从而使外延产品的尺寸不断缩小成为可能。
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