发明授权
- 专利标题: 降低光刻机镜头畸变引起的光刻对准偏差的方法
- 专利标题(英): Method for reducing photolithography aligning partial difference caused by photoetching machine lens distortion
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申请号: CN200710094237.0申请日: 2007-11-15
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公开(公告)号: CN101435998B公开(公告)日: 2012-02-29
- 发明人: 王雷 , 黄玮
- 申请人: 上海华虹NEC电子有限公司
- 申请人地址: 上海市浦东新区川桥路1188号
- 专利权人: 上海华虹NEC电子有限公司
- 当前专利权人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
- 当前专利权人地址: 上海市浦东新区川桥路1188号
- 代理机构: 上海浦一知识产权代理有限公司
- 代理商 周赤
- 主分类号: G03F7/20
- IPC分类号: G03F7/20 ; H01L21/66
摘要:
本发明公开了一种降低光刻机镜头畸变引起的光刻对准偏差的方法,通过在同一曝光单元四周产生对称的光刻套刻图形,可测量出曝光单元上下左右各位置由于镜头畸变而产生的位置变化;然后,根据光刻机镜头畸变调整精度要求,选择合适的光刻套刻模型计算出镜头畸变量,并在每次曝光时通过光刻对准参数的补正来修正畸变量;从而实现了降低光刻机镜头畸变所引起的光刻对准偏差,提高光刻对准精度的目的;同时,该方法使得不同产品在不同光刻机上找到了一个简单的匹配标准,从而使得不同镜头表现的光刻机最终产出的产品能够保持统一性,从而大大提高了生产力;并且,这种方法易于实现,成本较低。
公开/授权文献
- CN101435998A 降低光刻机镜头畸变引起的光刻对准偏差的方法 公开/授权日:2009-05-20
IPC分类: