一种模块化微型核电源、以及微型核电源装置

    公开(公告)号:CN115206579A

    公开(公告)日:2022-10-18

    申请号:CN202210836670.1

    申请日:2022-07-15

    Abstract: 本发明涉及一种模块化微型核电源、以及微型核电源装置,该微型核电源由放射性同位素层,核电换能模块,热电换能模块和电源管理装置组成。本发明中,核电换能模块可以将放射性同位素的衰变能转换成电能,热电换能模块可以将放射性同位素层和核电换能模块释放的低品位废热转换成电能,这种夹层形式的结构实现了对核能的多级高效利用,也有利于大规模生产和按需装配等。

    二维尺度下可图形化的平面燃烧

    公开(公告)号:CN106938201B

    公开(公告)日:2019-05-07

    申请号:CN201710102325.4

    申请日:2017-02-24

    Inventor: 胡志宇 陈祥

    Abstract: 本发明涉及二维尺度下可图形化的平面燃烧,包括以下步骤:(1)采用材料沉积法在基底上制备超薄催化剂负载;(2)在步骤(1)所得产物上均匀涂覆光刻胶,通过光刻、显影后形成定点定位的催化剂图案,对所述图案进行刻蚀;(3)在步骤(2)处理后的产物上采用材料沉积法镀上超薄活性组分,然后剥离光刻胶,形成定点定位的图形化催化剂;(4)对图形化催化剂通入燃料与空气或氧气的混合气体,催化反应实现二维尺度下可图形化的平面燃烧。

    一种微型核能自供电集成电路芯片及其制备方法

    公开(公告)号:CN109616471A

    公开(公告)日:2019-04-12

    申请号:CN201811523977.6

    申请日:2018-12-13

    CPC classification number: H01L27/06 G21H1/06 H01L21/822 H01L21/8252

    Abstract: 本发明涉及一种微型核能自供电集成电路芯片及其制备方法,所述芯片包括基底以及设置于所述基底上的微型核电池和电子元件,所述电子元件通过绝缘层设置于基底上,所述微型核电池与电子元件连接,其中,所述微型核电池包括相连接的半导体换能单元和放射性同位素薄膜,所述半导体换能单元由上至下依次包括上电极、欧姆金属、换能半导体薄膜和肖特基金属以及与分别连接肖特基金属和换能半导体薄膜的下电极,所述放射性同位素薄膜与肖特基金属和下电极形成的表面相接触,半导体换能单元通过外部连接电路与电子元件连接;芯片整体尺寸在厘米级或以下。与现有技术相比,本发明具有能自供电、可极大提高自供电集成电路芯片的能量密度及使用寿命等优点。

    一种光电热电复合发电装置

    公开(公告)号:CN107017824A

    公开(公告)日:2017-08-04

    申请号:CN201710177544.9

    申请日:2017-03-23

    CPC classification number: Y02E10/60 H02S10/30 H02S40/44

    Abstract: 本发明涉及一种光电热电复合发电装置,包括相连接的光伏太阳能电池板(1)和光伏太阳能输出电路(9),还包括与所述光伏太阳能电池板(1)连接的光热电器件(8)以及与所述光热电器件(8)连接的光热电输出电路(10),所述光热电器件(8)包括由上至下依次设置的金属顶电极(3)、热电材料层、金属底电极(6)和下基底(7),所述光热电输出电路(10)与金属顶电极(3)连接,该光热电器件(8)还可包括上基底(2)。与现有技术相比,本发明将光热电器件与太阳能光伏电池结合,将太阳能电池板不能吸收应用的太阳能及太阳能电池板产生的废热充分利用直接转换为电能输出,有效提高太阳能转化效率。

    一种具有空气隔热层的微型多层隔热结构及其制备和应用

    公开(公告)号:CN114173510A

    公开(公告)日:2022-03-11

    申请号:CN202111490140.8

    申请日:2021-12-08

    Abstract: 本发明涉及一种具有空气隔热层的微型多层隔热结构及其制备和应用,该多层隔热结构包括衬底,以及依次复合在衬底上的反射层、支撑柱、隔热层和反射层,且支撑柱与反射层之间、反射层与衬底之间均设有一层粘结层。与现有技术相比,本发明的制备条件可控,性能优异,有望在微电子器件隔热防护和电路保护外壳等方面有巨大的应用前景。

    一种二维过渡金属硫硒化物异质结忆阻器及其应用

    公开(公告)号:CN115568277A

    公开(公告)日:2023-01-03

    申请号:CN202211345253.3

    申请日:2022-10-31

    Abstract: 本发明涉及一种二维过渡金属硫硒化物异质结忆阻器及其应用,该忆阻器由下至上依次为衬底、底电极层、阻变功能层和顶电极层,其中,所述阻变功能层为二维过渡金属硫硒化物异质结层。本发明将二维过渡金属硫硒化物异质结作为阻变功能层与衬底,底电极层和顶电极层组装成忆阻器,这种忆阻器具有快速开关过程、高密度集成、以及更低的能耗等优势,并且与传统硅基CMOS工艺兼容,适合大规模生产,有望运用在神经突触、图像识别、逻辑计算等领域。

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