公开(公告)号：CN115568277A

公开(公告)日：2023-01-03

申请号：CN202211345253.3

申请日：2022-10-31

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 胡志宇 ,  张帅 ,  吴振华 ,  罗思远 ,  刘泽昆 ,  刘妍 ,  施慧烈 ,  傅理夫

IPC: H10N70/00

Abstract: 本发明涉及一种二维过渡金属硫硒化物异质结忆阻器及其应用，该忆阻器由下至上依次为衬底、底电极层、阻变功能层和顶电极层，其中，所述阻变功能层为二维过渡金属硫硒化物异质结层。本发明将二维过渡金属硫硒化物异质结作为阻变功能层与衬底，底电极层和顶电极层组装成忆阻器，这种忆阻器具有快速开关过程、高密度集成、以及更低的能耗等优势，并且与传统硅基CMOS工艺兼容，适合大规模生产，有望运用在神经突触、图像识别、逻辑计算等领域。

公开(公告)号：CN115537920B

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202211345215.8

申请日：2022-10-31

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 胡志宇 ,  张帅 ,  吴振华 ,  罗思远 ,  刘泽昆 ,  刘妍 ,  施慧烈 ,  傅理夫

IPC: C30B25/18 ,  C30B23/02 ,  C30B25/16 ,  C30B29/46 ,  C30B29/60 ,  C30B29/64 ,  C30B29/66 ,  C30B33/02 ,  H10F30/28 ,  H10F71/00 ,  H10F77/12 ,  H10F77/14

Abstract: 本发明涉及一种二维过渡金属硫族化合物及其制备和应用，利用硫族单质和过渡金属单质作为靶源，通过分子束外延技术，结合分步蒸发和后蒸发的策略，在衬底上进行气相沉积，从而得到高质量，大尺寸的二维过渡金属硫族化合物薄膜材料。与现有技术相比，本发明制备得到的薄膜形貌为少层平面结构、多层纳米棒结构或者多层纳米管结构，整个方法简单，高效，产物质量高，在高性能微纳器件、场效应晶体管、光电探测和集成电路等领域有着巨大的应用前景。

公开(公告)号：CN115537920A

公开(公告)日：2022-12-30

申请号：CN202211345215.8

申请日：2022-10-31

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 胡志宇 ,  张帅 ,  吴振华 ,  罗思远 ,  刘泽昆 ,  刘妍 ,  施慧烈 ,  傅理夫

IPC: C30B25/18 ,  C30B23/02 ,  C30B25/16 ,  C30B29/46 ,  C30B29/60 ,  C30B29/64 ,  C30B29/66 ,  C30B33/02 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/112 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明涉及一种二维过渡金属硫族化合物及其制备和应用，利用硫族单质和过渡金属单质作为靶源，通过分子束外延技术，结合分步蒸发和后蒸发的策略，在衬底上进行气相沉积，从而得到高质量，大尺寸的二维过渡金属硫族化合物薄膜材料。与现有技术相比，本发明制备得到的薄膜形貌为少层平面结构、多层纳米棒结构或者多层纳米管结构，整个方法简单，高效，产物质量高，在高性能微纳器件、场效应晶体管、光电探测和集成电路等领域有着巨大的应用前景。