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公开(公告)号：CN101538042A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200910127656.9
申请日：2009-03-19
申请人： 三菱麻铁里亚尔株式会社
IPC分类号： C01B33/035 , C30B29/06 , C30B28/14
CPC分类号： C01B33/035
摘要： 本发明提供一种能够防止在保持硅芯棒的电极表面析出的多结晶硅剥落的多结晶硅反应炉。本发明的多结晶硅反应炉对设置在炉内的硅芯棒(4)进行通电加热，使供给到炉内的原料气体反应，从而在上述硅芯棒(4)表面上析出多结晶硅，其中，该多结晶硅反应炉具备：在炉的底板部(炉底)(2)上相对于该底板部(2)设置为电绝缘状态的电极夹(10)；和与该电极夹(10)连结并朝上方保持硅芯棒(4)的芯棒保持电极(15)，在芯棒保持电极(15)的外周面上设置有暴露在炉内环境中的凹凸部(外螺纹部)(15B)。
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公开(公告)号：CN101544371B
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN200910127948.2
申请日：2009-03-27
申请人： 三菱麻铁里亚尔株式会社
IPC分类号： C01B33/027 , C30B29/06
CPC分类号： C01B33/035 , Y10T428/2822
摘要： 本发明提供一种多晶硅制造装置中的聚合物钝化方法，该方法通过使热介质流通于用于多晶硅制造的反应炉的壁内流路来预先使壁成为加热状态，将水蒸气、加湿氮气等加湿气体供给到反应炉的内部，由此将附着于反应炉内表面的聚合物水解，然后将该附着物除去。对于与反应炉连接的排气管，也同样将管壁设成加热状态，并供给加湿气体，由此将聚合物水解而使其钝化。根据该方法，可提高聚合物钝化的作业性，并高效率地除去附着于反应炉内壁面的聚合物。
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公开(公告)号：CN101445959A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200810181949.0
申请日：2008-11-28
申请人： 三菱麻铁里亚尔株式会社
CPC分类号： C01B33/325
摘要： 本发明提供一种多晶硅的制造方法，在将立设在反应炉内的多个硅芯棒加热、通过从反应炉的内底部的气体喷出口喷出的原料气体使多晶硅析出到硅芯棒的表面上的多晶硅的制造方法中，具有使从气体喷出口的原料气体的喷出速度逐渐上升的运转初期的稳定化阶段、然后在使上述喷出速度以比上述稳定化阶段大的上升度暂时上升后、以比上述稳定化阶段小的上升度逐渐上升的形状阶段、和在经过该形状阶段后使上述喷出速度比上述形状阶段的结束时小的成长阶段。
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公开(公告)号：CN101613106A
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200910150342.0
申请日：2009-06-23
申请人： 三菱麻铁里亚尔株式会社
IPC分类号： C01B33/035
摘要： 本发明的多晶硅制造装置，在供给有原料气体的反应炉(1)内，通过加热硅芯棒(4)而使多晶硅析出在硅芯棒的表面。本发明的多晶硅制造装置具有电极(23)、电极托架(22)、及环状绝缘材料(34)。电极沿上下方向延设保持硅芯棒。电极托架内部形成有使冷却介质流通的冷却流路(27)，并插入形成在反应炉的底板部(2)上的通孔(21)内，保持电极。环状绝缘材料配置在通孔的内周面和电极托架的外周面之间，使底板部和电极托架之间电气地绝缘。并且，在本发明的多晶硅制造装置中，在电极托架的外周面上设置有扩径部(25)，该扩径部与环状绝缘材料的上端部的上表面的至少一部分接触，在其内部形成了冷却流路的一部分。
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公开(公告)号：CN101392408A
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200810215096.8
申请日：2008-09-18
申请人： 三菱麻铁里亚尔株式会社
CPC分类号： B01J19/26 , B01J2219/00135 , B01J2219/00247 , C01B33/035
摘要： 本发明涉及多晶硅反应炉和多晶硅的制备方法。该多晶硅反应炉是将设于炉内的硅芯棒进行通电加热，使供给炉内的原料气体反应，在上述硅芯棒表面生成多晶硅的多晶硅反应炉，该多晶硅反应炉具备设于炉底的原料气体供给口、和以连通状态安装在上述原料气体供给口上并向上方延伸的原料气体供给喷嘴，以保持上述硅芯棒的电极的上端为基准，该原料气体供给喷嘴的上端设定为－10cm至+5cm范围的高度。
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公开(公告)号：CN101445959B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN200810181949.0
申请日：2008-11-28
申请人： 三菱麻铁里亚尔株式会社
CPC分类号： C01B33/325
摘要： 本发明提供一种多晶硅的制造方法，在将立设在反应炉内的多个硅芯棒加热、通过从反应炉的内底部的气体喷出口喷出的原料气体使多晶硅析出到硅芯棒的表面上的多晶硅的制造方法中，具有使从气体喷出口的原料气体的喷出速度逐渐上升的运转初期的稳定化阶段、然后在使上述喷出速度以比上述稳定化阶段大的上升度暂时上升后、以比上述稳定化阶段小的上升度逐渐上升的形状阶段、和在经过该形状阶段后使上述喷出速度比上述形状阶段的结束时小的成长阶段。
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公开(公告)号：CN101445239B
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN200810178738.1
申请日：2008-11-26
申请人： 三菱麻铁里亚尔株式会社
IPC分类号： C01B33/021
CPC分类号： C01B33/035
摘要： 一种多晶硅制造装置，在立设有多个的硅芯棒(4)的反应炉(1)的内底部上配设向该反应炉(1)内将原料气体向上方喷出的多个的气体供给口(6a)、和将反应后的排气排出的气体排出口(7)，加热硅芯棒(4)，在其表面上利用原料气体而析出多晶硅，其中在气体供给口(6a)上，供给原料的气体分配管(9)分别与各气体供给口(6a)连接，并且至少在与反应炉(1)的中心部附近的气体供给口(6a)连接的气体分配管(9)上设置有开闭其管路的阀(21)，在该阀(21)上连接有在反应炉(1)的运转初期令管路成为关闭既定时间状态的阀控制机构(22)。
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公开(公告)号：CN101544372A
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200910127763.1
申请日：2009-03-25
申请人： 三菱麻铁里亚尔株式会社
IPC分类号： C01B33/035 , C30B28/14 , C30B29/06
CPC分类号： C01B33/035 , C23C16/4418 , Y10T117/10 , Y10T117/102
摘要： 本发明提供一种多晶硅制造装置，其不需增加电极数即可保持较多的硅芯棒。将沿上下方向延伸的硅芯棒(4)分别立设于配设在反应炉底板部(2)的多个电极上，向反应炉内供给原料气体，并从电极对硅芯棒通电来使硅芯棒发热，利用原料气体使该硅芯棒的表面析出多晶硅，其中，多个电极中的至少一部分是保持两根硅芯棒的两根用电极(5B)，并且该两根用电极具有以插入状态设于形成在底板部(2)上的贯通孔(25)内的电极座(26)、和隔开相互间隔地设于该电极座的上端部的一对芯棒保持部(27)，电极座的内部形成有供冷却介质流通的冷却流路(40)，与冷却流路(40)连通的冷却配管与贯通底板部(2)的电极座(26)的下端部连接。
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公开(公告)号：CN101497443A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200910002794.4
申请日：2009-01-22
申请人： 三菱麻铁里亚尔株式会社
IPC分类号： C01B33/035 , C30B25/00 , B08B9/093 , C23C16/44
CPC分类号： B08B9/28 , B08B3/02 , B08B3/04 , B08B3/08 , B08B9/34 , C23C14/564 , C23C16/4407
摘要： 本发明提供一种反应炉清洗装置，对生成多晶硅的反应炉的内壁面进行清洗，其中，将反应炉炉壁做成双层构造，在以水平状态设置的大致圆盘形状的承接盘的中央部沿铅直方向形成贯通孔，并在承接盘的外周部形成设置反应炉的开口缘部的凸缘部，在承接盘的贯通孔中以旋转自如且沿铅直方向移动自如的方式设置轴，在轴的上端部设置向三维方向高压喷射清洗液的喷嘴装置，在轴的基端部设置使该轴旋转并使该轴沿铅直方向移动的驱动机构，并设置能向反应炉的炉壁内供给蒸汽的蒸汽配管。
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公开(公告)号：CN101392408B
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN200810215096.8
申请日：2008-09-18
申请人： 三菱麻铁里亚尔株式会社
CPC分类号： B01J19/26 , B01J2219/00135 , B01J2219/00247 , C01B33/035
摘要： 本发明涉及多晶硅反应炉和多晶硅的制备方法。该多晶硅反应炉是将设于炉内的硅芯棒进行通电加热，使供给炉内的原料气体反应，在上述硅芯棒表面生成多晶硅的多晶硅反应炉，该多晶硅反应炉具备设于炉底的原料气体供给口、和以连通状态安装在上述原料气体供给口上并向上方延伸的原料气体供给喷嘴，以保持上述硅芯棒的电极的上端为基准，该原料气体供给喷嘴的上端设定为-10cm至+5cm范围的高度。
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