Invention Grant
- Patent Title: 多晶硅制造装置中的聚合物钝化方法
- Patent Title (English): Polymer inactivation method for polycrystalline silicon manufacturing device
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Application No.: CN200910127948.2Application Date: 2009-03-27
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Publication No.: CN101544371BPublication Date: 2013-02-13
- Inventor: 远藤俊秀 , 手计昌之 , 石井敏由记 , 坂口昌晃
- Applicant: 三菱麻铁里亚尔株式会社
- Applicant Address: 日本东京都
- Assignee: 三菱麻铁里亚尔株式会社
- Current Assignee: 高纯度硅股份有限公司
- Current Assignee Address: 日本三重县
- Agency: 中国专利代理(香港)有限公司
- Agent 温大鹏
- Priority: 2008-085671 2008.03.28 JP
- Main IPC: C01B33/027
- IPC: C01B33/027 ; C30B29/06
Abstract:
本发明提供一种多晶硅制造装置中的聚合物钝化方法，该方法通过使热介质流通于用于多晶硅制造的反应炉的壁内流路来预先使壁成为加热状态，将水蒸气、加湿氮气等加湿气体供给到反应炉的内部，由此将附着于反应炉内表面的聚合物水解，然后将该附着物除去。对于与反应炉连接的排气管，也同样将管壁设成加热状态，并供给加湿气体，由此将聚合物水解而使其钝化。根据该方法，可提高聚合物钝化的作业性，并高效率地除去附着于反应炉内壁面的聚合物。
Public/Granted literature
- CN101544371A 多晶硅制造装置中的聚合物钝化方法 Public/Granted day:2009-09-30
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IPC分类:
