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    多结晶硅反应炉
    2.
    发明公开
    多结晶硅反应炉 有权

    公开(公告)号：CN101538042A

    公开(公告)日：2009-09-23

    申请号：CN200910127656.9

    申请日：2009-03-19

    申请人： 三菱麻铁里亚尔株式会社

    发明人： 远藤俊秀 ,  手计昌之 ,  石井敏由记 ,  坂口昌晃

    IPC分类号： C01B33/035 ,  C30B29/06 ,  C30B28/14

    CPC分类号： C01B33/035

    摘要： 本发明提供一种能够防止在保持硅芯棒的电极表面析出的多结晶硅剥落的多结晶硅反应炉。本发明的多结晶硅反应炉对设置在炉内的硅芯棒(4)进行通电加热，使供给到炉内的原料气体反应，从而在上述硅芯棒(4)表面上析出多结晶硅，其中，该多结晶硅反应炉具备：在炉的底板部(炉底)(2)上相对于该底板部(2)设置为电绝缘状态的电极夹(10)；和与该电极夹(10)连结并朝上方保持硅芯棒(4)的芯棒保持电极(15)，在芯棒保持电极(15)的外周面上设置有暴露在炉内环境中的凹凸部(外螺纹部)(15B)。

    多晶硅制造装置中的聚合物钝化方法
    5.
    发明授权
    多晶硅制造装置中的聚合物钝化方法 有权

    公开(公告)号：CN101544371B

    公开(公告)日：2013-02-13

    申请号：CN200910127948.2

    申请日：2009-03-27

    申请人： 三菱麻铁里亚尔株式会社

    发明人： 远藤俊秀 ,  手计昌之 ,  石井敏由记 ,  坂口昌晃

    IPC分类号： C01B33/027 ,  C30B29/06

    CPC分类号： C01B33/035 ,  Y10T428/2822

    摘要： 本发明提供一种多晶硅制造装置中的聚合物钝化方法，该方法通过使热介质流通于用于多晶硅制造的反应炉的壁内流路来预先使壁成为加热状态，将水蒸气、加湿氮气等加湿气体供给到反应炉的内部，由此将附着于反应炉内表面的聚合物水解，然后将该附着物除去。对于与反应炉连接的排气管，也同样将管壁设成加热状态，并供给加湿气体，由此将聚合物水解而使其钝化。根据该方法，可提高聚合物钝化的作业性，并高效率地除去附着于反应炉内壁面的聚合物。

    三氯硅烷制造装置
    6.
    发明授权
    三氯硅烷制造装置 有权

    公开(公告)号：CN101421189B

    公开(公告)日：2011-09-28

    申请号：CN200780012705.3

    申请日：2007-10-24

    申请人： 三菱麻铁里亚尔株式会社

    发明人： 石井敏由记 ,  伊藤秀男 ,  清水祐司

    IPC分类号： C01B33/107

    CPC分类号： C01B33/1071 ,  B01J12/007 ,  B01J19/02 ,  B01J19/243 ,  B01J2219/00135 ,  B01J2219/00155 ,  B01J2219/0272 ,  C01B33/10757

    摘要： 一种三氯硅烷制造装置，具备：反应容器，在内部的反应流路中被供给包括四氯化硅和氢的供给气体，生成包括三氯硅烷与氯化氢的反应生成气体；加热机构，将反应容器的内部加热；气体供给部，将供给气体供给到反应容器内；气体排气部，将反应生成气体从反应容器排出到外部；反应流路具有：供给侧流路，在反应容器的中央部连接在气体供给部上，使供给气体一边在反应容器内折回一边朝向外侧流动；返回流路，连接在供给侧流路的下游端，到达反应容器的中央部；排出侧流路，连接在返回流路的下游端，相邻于反应容器的中央部的供给侧流路而配设，连接在气体排气部上。

    三氯硅烷制造装置
    8.
    发明授权
    三氯硅烷制造装置 有权

    公开(公告)号：CN101421188B

    公开(公告)日：2011-07-06

    申请号：CN200780012696.8

    申请日：2007-10-23

    申请人： 三菱麻铁里亚尔株式会社

    发明人： 石井敏由记 ,  伊藤秀男 ,  清水祐司

    IPC分类号： C01B33/107

    CPC分类号： C01B33/1071 ,  B01J12/007 ,  B01J19/02 ,  B01J19/243 ,  B01J2219/00135 ,  B01J2219/00155 ,  B01J2219/0272

    摘要： 一种三氯硅烷制造装置，具备：反应容器，在内部被供给包括四氯化硅和氢的供给气体，生成包括三氯硅烷与氯化氢的反应生成气体；加热机构，将反应容器加热；气体供给部，将供给气体供给到反应容器内；气体排气部，将反应生成气体从反应容器排出到外部；在反应容器的内部形成有反应流路，所述反应流路是使被大致同心配置的内径不同的多个反应筒壁分隔的多个小空间通过交替形成在这些反应筒壁的下部与上部上的流通用贯通部从内侧开始依次成为连通状态而形成的；在该反应流路上连接着气体供给部及气体排气部。

    多晶硅制造方法
    9.
    发明公开
    多晶硅制造方法 有权

    公开(公告)号：CN101445959A

    公开(公告)日：2009-06-03

    申请号：CN200810181949.0

    申请日：2008-11-28

    申请人： 三菱麻铁里亚尔株式会社

    发明人： 远藤俊秀 ,  手计昌之 ,  石井敏由记 ,  坂口昌晃 ,  畠山直纪

    IPC分类号： C30B29/06 ,  C01B33/03 ,  C30B28/14

    CPC分类号： C01B33/325

    摘要： 本发明提供一种多晶硅的制造方法，在将立设在反应炉内的多个硅芯棒加热、通过从反应炉的内底部的气体喷出口喷出的原料气体使多晶硅析出到硅芯棒的表面上的多晶硅的制造方法中，具有使从气体喷出口的原料气体的喷出速度逐渐上升的运转初期的稳定化阶段、然后在使上述喷出速度以比上述稳定化阶段大的上升度暂时上升后、以比上述稳定化阶段小的上升度逐渐上升的形状阶段、和在经过该形状阶段后使上述喷出速度比上述形状阶段的结束时小的成长阶段。