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公开(公告)号：CN100550399C
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200710138489.9
申请日：2007-08-08
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L21/84 , G02F1/1362
CPC classification number: H01L27/124 , H01L27/1248 , H01L27/1255 , H01L27/1288
Abstract: 本发明提供减少掩膜数和步骤数的薄膜晶体管衬底，包括：形成在衬底(1)上的第一导电层(7)；形成在第一导电层(7)上的防扩散层(2)；形成在防扩散层(2)上的半导体层(3)；形成在半导体层(3)上的栅极绝缘层(4)；形成在栅极绝缘层(4)上的第二导电层(5)；形成在第二导电层(5)上的层间绝缘层(6)；第三导电层(9)，形成在以贯通层间绝缘层(6)与栅极绝缘层(4)达到半导体层(3)的方式形成的第一接触孔内、以贯通层间绝缘层(6)、栅极绝缘层(4)和防扩散层(2)到达第一导电层(7)的方式形成的第二接触孔内和层间绝缘层(6)上，第三导电层(9)包括以岛状形成在层间绝缘层(6)上的像素电极(9a)。
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公开(公告)号：CN100539165C
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200710137340.9
申请日：2007-07-20
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L27/12 , H01L29/42384 , H01L29/78612 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提供一种不追加新的工序就能抑制亚阈值特性中的峰值特性的薄膜晶体管。一种具有第1导电类型的薄膜晶体管的薄膜晶体管基板，其包括：具有在源/漏区(31)间配置的第1导电类型的沟道区(32)的半导体层(3)、和隔着栅绝缘膜(5)在半导体层(3)的对面侧形成的栅电极(6)，在与沟道区(32)的沟道宽度方向的两端部(4)对应的栅电极(6)处具有开口部(61)，在与开口部(61)对应的沟道区(4)中，形成第1导电类型的杂质浓度比与栅电极(6)对应的沟道区高的高浓度杂质区。
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公开(公告)号：CN101123259A
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200710138489.9
申请日：2007-08-08
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L21/84 , G02F1/1362
CPC classification number: H01L27/124 , H01L27/1248 , H01L27/1255 , H01L27/1288
Abstract: 本发明提供减少掩膜数和步骤数的薄膜晶体管衬底，包括：形成在衬底(1)上的第一导电层(7)；形成在第一导电层(7)上的防扩散层(2)；形成在防扩散层(2)上的半导体层(3)；形成在半导体层(3)上的栅极绝缘层(4)；形成在栅极绝缘层(4)上的第二导电层(5)；形成在第二导电层(5)上的层间绝缘层(6)；第三导电层(9)，形成在以贯通层间绝缘层(6)与栅极绝缘层(4)达到半导体层(3)的方式形成的第一接触孔内、以贯通层间绝缘层(6)、栅极绝缘层(4)和防扩散层(2)到达第一导电层(7)的方式形成的第二接触孔内和层间绝缘层(6)上，第三导电层(9)包括以岛状形成在层间绝缘层(6)上的像素电极(9a)。
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公开(公告)号：CN101196668B
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN200710198911.X
申请日：2007-12-07
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G02F1/1368 , G02F1/1362 , H01L29/786 , H01L21/027 , H01L21/84
CPC classification number: H01L28/60 , G02F1/136213 , G02F1/136227 , H01L27/1255 , H01L27/1288
Abstract: 本发明涉及显示装置及其制造方法。在使用了多晶半导体膜的薄膜晶体管中，在形成保持电容的情况下，多是将多晶半导体膜也用于电容的一个电极。在具备了具有这样的多晶半导体膜的保持电容和薄膜晶体管的显示装置中，由于保持电容表现出起因于半导体膜的电压依赖性，故引起了显示不良。在本发明的显示装置中，在由用作保持电容(130)的下部电极的多晶半导体膜构成的半导体层(4d)的上层层叠了金属性导电膜(5)。
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公开(公告)号：CN1967116A
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：CN200610148528.9
申请日：2006-11-15
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 西浦笃德
CPC classification number: H01L21/67034 , F26B5/14 , F26B21/004
Abstract: 本发明提供一种不增加气压即能可靠地除去基板上残留的水滴的基板干燥装置以及基板处理方法。本发明的基板干燥装置具备对作为处理对象的基板(120)喷出流体的喷出口(112)，边使基板(120)和喷出口(112)相对移动，边从喷出口(112)喷出流体来干燥基板(120)，流体的喷出方向(B)中与基板表面平行的面上的分量和基板(120)相对于喷出口(112)移动的移动方向(A)斜交，流体的喷出方向(B)中与基板表面平行的面上的分量和移动方向(A)所成的角度，在位于喷出口上的任意部位的变化部(111)变化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100580936C
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200710162205.X
申请日：2007-09-30
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L23/522 , H01L21/82 , H01L21/768 , G02F1/1362
Abstract: 本发明的目的是提供一种生产率高、显示品质优良的显示装置及其制造方法。本发明的显示装置，具有：衬底；栅极绝缘膜(5)，设置在衬底上，配置在半导体层与包含电容电极(6)和栅电极(15)的第一导电层之间；层间绝缘膜(8)，形成在半导体层、第一导电层以及栅极绝缘膜(5)的上层；第二导电层，形成在层间绝缘膜(8)上，包含信号线(9)；保护膜(10)，形成在层间绝缘膜(8)以及第二导电层上；形成在保护膜(10)上的像素电极层(12)，其中，像素电极层(12)贯通保护膜(10)到达第二导电层，并且，贯通保护膜(10)、层间绝缘膜(8)以及栅极绝缘膜(5)到达半导体层，半导体层和第二导电层通过像素电极层(12)连接。
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公开(公告)号：CN101241937A
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200810005803.0
申请日：2008-02-05
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 西浦笃德
IPC: H01L29/786 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/10 , H01L27/12 , H01L23/522 , G02F1/1362
Abstract: 提供一种用于良好的源极漏极接触以及保持电容部的电容稳定化、减小源极漏极间的泄漏、栅极绝缘膜的耐压提高、接触电阻的低电阻化的薄膜晶体管装置及其制造方法、以及具有薄膜晶体管装置的显示装置。本发明的薄膜晶体管装置的特征在于，具有：在衬底上的预定区域形成的具有源极区域、漏极区域和沟道区域的半导体层；形成在半导体层上的金属膜；形成在金属膜上和半导体层上的栅极绝缘膜；栅电极；层间绝缘膜；以及布线电极，其中，在半导体层的源极区域以及漏极区域上，至少在成为接触孔底部的区域形成金属膜，没有形成金属膜的区域的半导体层的膜厚比形成有金属膜的半导体层的膜厚薄。
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公开(公告)号：CN101196668A
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200710198911.X
申请日：2007-12-07
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G02F1/1368 , G02F1/1362 , H01L29/786 , H01L21/027 , H01L21/84
CPC classification number: H01L28/60 , G02F1/136213 , G02F1/136227 , H01L27/1255 , H01L27/1288
Abstract: 本发明涉及显示装置及其制造方法。在使用了多晶半导体膜的薄膜晶体管中，在形成保持电容的情况下，多是将多晶半导体膜也用于电容的一个电极。在具备了具有这样的多晶半导体膜的保持电容和薄膜晶体管的显示装置中，由于保持电容表现出起因于半导体膜的电压依赖性，故引起了显示不良。在本发明的显示装置中，在由用作保持电容(130)的下部电极的多晶半导体膜构成的半导体层(4d)的上层层叠了金属性导电膜(5)。
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公开(公告)号：CN101159273A
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200710162205.X
申请日：2007-09-30
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L23/522 , H01L21/82 , H01L21/768 , G02F1/1362
Abstract: 本发明的目的是提供一种生产率高、显示品质优良的显示装置及其制造方法。本发明的显示装置，具有：衬底；栅极绝缘膜(5)，设置在衬底上，配置在半导体层与包含电容电极(6)和栅电极(15)的第一导电层之间；层间绝缘膜(8)，形成在半导体层、第一导电层以及栅极绝缘膜(5)的上层；第二导电层，形成在层间绝缘膜8上，包含信号线(9)；保护膜(10)，形成在层间绝缘膜8以及第二导电层上；形成在保护膜(10)上的像素电极层(12)，其中，像素电极层(12)贯通保护膜(10)到达第二导电层，并且，贯通保护膜(10)、层间绝缘膜(8)以及栅极绝缘膜(5)到达半导体层，半导体层和第二导电层通过像素电极层(12)连接。
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公开(公告)号：CN101110435A
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200710137340.9
申请日：2007-07-20
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L27/12 , H01L29/42384 , H01L29/78612 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提供一种不追加新的工序就能抑制亚阈值特性中的峰值特性的薄膜晶体管。一种具有第1导电类型的薄膜晶体管的薄膜晶体管基板，其包括：具有在源/漏区(31)间配置的第1导电类型的沟道区(32)的半导体层(3)、和隔着栅绝缘膜(5)在半导体层(3)的对面侧形成的栅电极(6)，在与沟道区(32)的沟道宽度方向的两端部(4)对应的栅电极(6)处具有开口部(61)，在与开口部(61)对应的沟道区(4)中，形成第1导电类型的杂质浓度比与栅电极(6)对应的沟道区高的高浓度杂质区。
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