公开(公告)号：CN101196668A

公开(公告)日：2008-06-11

申请号：CN200710198911.X

申请日：2007-12-07

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 竹口彻 ,  今村卓司 ,  山吉一司 ,  入住智之 ,  西浦笃德 ,  本并薰

IPC: G02F1/1368 ,  G02F1/1362 ,  H01L29/786 ,  H01L21/027 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L28/60 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/136227 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1288

Abstract: 本发明涉及显示装置及其制造方法。在使用了多晶半导体膜的薄膜晶体管中，在形成保持电容的情况下，多是将多晶半导体膜也用于电容的一个电极。在具备了具有这样的多晶半导体膜的保持电容和薄膜晶体管的显示装置中，由于保持电容表现出起因于半导体膜的电压依赖性，故引起了显示不良。在本发明的显示装置中，在由用作保持电容(130)的下部电极的多晶半导体膜构成的半导体层(4d)的上层层叠了金属性导电膜(5)。

公开(公告)号：CN101196668B

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN200710198911.X

申请日：2007-12-07

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 竹口彻 ,  今村卓司 ,  山吉一司 ,  入住智之 ,  西浦笃德 ,  本并薰

IPC: G02F1/1368 ,  G02F1/1362 ,  H01L29/786 ,  H01L21/027 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L28/60 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/136227 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1288

Abstract: 本发明涉及显示装置及其制造方法。在使用了多晶半导体膜的薄膜晶体管中，在形成保持电容的情况下，多是将多晶半导体膜也用于电容的一个电极。在具备了具有这样的多晶半导体膜的保持电容和薄膜晶体管的显示装置中，由于保持电容表现出起因于半导体膜的电压依赖性，故引起了显示不良。在本发明的显示装置中，在由用作保持电容(130)的下部电极的多晶半导体膜构成的半导体层(4d)的上层层叠了金属性导电膜(5)。

公开(公告)号：CN101165908A

公开(公告)日：2008-04-23

申请号：CN200710181199.2

申请日：2007-10-18

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 山吉一司

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  H01L21/82 ,  H01L21/768 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L27/124 ,  G02F1/136213 ,  H01L27/1255

Abstract: 在形成TFT和存储电容元件的情况下，彼此兼用构成TFT和存储电容元件的导电膜或绝缘膜有助于提高生产效率，但是，与TFT独立地得到最优化的存储电容元件是苦难的。在本发明的具有TFT和存储电容元件的TFT衬底中，能够得到包括与TFT中所使用的电极或者绝缘膜不同的导电膜或者绝缘膜的存储电容元件。并且，提供一种不需为了得到这样的结构而追加照相制版步骤就能提高设计的自由度和生产效率这二者的TFT衬底的制造方法。

公开(公告)号：CN110007529A

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201811447504.2

申请日：2018-11-29

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 山吉一司

IPC: G02F1/1343

Abstract: 提供提高显示质量、提高制造成品率的液晶显示面板。具备：半导体膜，其隔着将基板之上的栅极电极覆盖的栅极绝缘膜与栅极电极重叠地设置；源极电极及漏极电极，它们在半导体膜之上彼此分离地设置；平坦化绝缘膜，在其底面具有将源极电极及漏极电极局部露出的开口部；第1及第2透明导电体膜，它们分别从平坦化绝缘膜的上表面设置至开口部的侧面及在开口部的底面露出的源极电极及漏极电极的表面；绝缘膜，其设置于平坦化绝缘膜之上，将开口部、第1及第2透明导电体膜覆盖；像素电极，其经由第2透明导电体膜与漏极电极电连接；以及相对电极，其与像素电极相对，像素电极经由在与平坦化绝缘膜的上表面对应的位置设置的接触孔，与漏极电极电连接。

公开(公告)号：CN100570895C

公开(公告)日：2009-12-16

申请号：CN200710306279.6

申请日：2007-12-12

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 山吉一司

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/43 ,  H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  G02F1/1362

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/458

Abstract: 提供一种不增加照相制版步骤而使多晶硅层和布线层稳定并以低电阻连接的薄膜晶体管。本发明的一个实施方式的薄膜晶体管具有：多晶硅层(3)，形成在衬底(1)上，具有沟道区域、源极区域、漏极区域；导电层(4)，形成在多晶硅层(3)的上层，覆盖源极区域以及漏极区域的至少一部分；层间绝缘膜(7)，形成在覆盖至少包括多晶硅层(3)区域的区域；接触孔(8)，贯通层间绝缘膜(7)，以导电层(4)露出的深度形成；沿接触孔(8)的壁面所形成的布线层(9)。

公开(公告)号：CN101236992A

公开(公告)日：2008-08-06

申请号：CN200710306279.6

申请日：2007-12-12

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 山吉一司

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/43 ,  H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  G02F1/1362

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/458

Abstract: 提供一种不增加照相制版步骤而使多晶硅层和布线层稳定并以低电阻连接的薄膜晶体管。本发明的一个实施方式的薄膜晶体管具有：多晶硅层(3)，形成在衬底(1)上，具有沟道区域、源极区域、漏极区域；导电层(4)，形成在多晶硅层(3)的上层，覆盖源极区域以及漏极区域的至少一部分；层间绝缘膜(7)，形成在覆盖至少包括多晶硅层(3)区域的区域；接触孔(8)，贯通层间绝缘膜(7)，以导电层(4)露出的深度形成；沿接触孔(8)的壁面所形成的布线层(9)。

公开(公告)号：CN100385706C

公开(公告)日：2008-04-30

申请号：CN200410036690.2

申请日：2004-04-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 渕上宏幸 ,  山吉一司 ,  入住智之 ,  小田耕治

IPC: H01L51/50 ,  H05B33/10 ,  G09F9/30

CPC classification number: H01L27/3246 ,  H01L27/3283 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/5218 ,  H01L2251/5315

Abstract: 一种有机电致发光元件，具备：衬底(1)；在衬底(1)的上侧用绝缘体形成的阳极分离膜(3)；在由阳极分离膜(3)所划分的区域内在衬底(1)的上面形成的阳极导电层(2)；以及用绝缘体形成的元件分离膜(4)，该元件分离膜包围阳极分离膜(3)并且向下变宽。进而，在阳极分离膜(3)的上面还形成与阳极导电层(2)相同种类的导电层(7)，该导电层(7)还被元件分离膜(4)所覆盖。最好是，阳极分离膜(3)的上面比下面大。

公开(公告)号：CN1822318A

公开(公告)日：2006-08-23

申请号：CN200610008597.X

申请日：2006-02-17

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 须贺原和之 ,  中川直纪 ,  园淳弘 ,  由良信介 ,  山吉一司

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L21/336 ,  H01L21/00 ,  C23C16/56 ,  C30B30/00 ,  B23K26/00 ,  G02F1/1368

Abstract: 目的在于提供一种激光照射的重叠部分能够不被人的眼睛识别的半导体器件及其制作方法。一种半导体器件的制作方法包括：第1扫描步骤，利用照射面是矩形的脉冲形发振的激光，对形成在绝缘体上的非晶半导体膜，在与上述照射面的长度方向交叉的方向上一边扫描一边照射，形成第1多晶半导体膜；以及第2扫描步骤，在上述第1多晶半导体膜上重叠照射面的一部分，并且利用上述激光对与上述第1多晶半导体膜相邻的非晶半导体膜，在与上述照射面的长度方向交叉的方向上一边扫描一边照射，形成第2多晶半导体膜，其特征在于：上述激光的波长范围是390nm到640nm，上述非晶半导体膜的膜厚度大于等于60nm且小于等于100nm。

公开(公告)号：CN1543285A

公开(公告)日：2004-11-03

申请号：CN200410036690.2

申请日：2004-04-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 渕上宏幸 ,  山吉一司 ,  入住智之 ,  小田耕治

IPC: H05B33/26 ,  H05B33/14 ,  H05B33/22 ,  H05B33/10 ,  G09F9/30

CPC classification number: H01L27/3246 ,  H01L27/3283 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/5218 ,  H01L2251/5315

Abstract: 一种有机电致发光元件，具备：衬底(1)；在衬底(1)的上侧用绝缘体形成的阳极分离膜(3)；在由阳极分离膜(3)所划分的区域内在衬底(1)的上面形成的阳极导电层(2)；以及用绝缘体形成的元件分离膜(4)，该元件分离膜包围阳极分离膜(3)并且向下变宽。进而，在阳极分离膜(3)的上面还形成与阳极导电层(2)相同种类的导电层(7)，该导电层(7)还被元件分离膜(4)所覆盖。最好是，阳极分离膜(3)的上面比下面大。