公开(公告)号：CN1581506A

公开(公告)日：2005-02-16

申请号：CN200410061670.0

申请日：2004-06-23

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 德田法史 ,  湊忠玄 ,  金田充

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/74 ,  H01L29/78 ,  H01L21/328 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/0661 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/7395

Abstract: 本发明提供确保稳定的反向耐压而且提高芯片表面的利用效率的纵型半导体器件，半导体器件具有在第2主面一侧形成了p型接触层2的n型半导体衬底1，在其周边部分形成沟槽13使得从第1主面到达接触层2那样包围内部，从其侧面通过扩散形成的p型分离区14设置成与接触层2连接，沟槽13的内部填埋充填物16。

公开(公告)号：CN100573910C

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN03816965.7

申请日：2003-06-05

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 德田法史 ,  楠茂

IPC: H01L29/739

CPC classification number: H01L29/0696 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/7397 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及主电流在半导体衬底的厚度方向上流动的半导体器件。其目的在于：提供在主电流在半导体衬底的厚度方向上流动的半导体器件中，当相邻配置功能不同的半导体元件时，能实现所期待的电特性的半导体元件。而且，为了实现所述目的，在半导体衬底的第二主面的表面内设置彼此隔开间隔交替形成的P型半导体区和N型半导体区，在两者间的半导体衬底的表面内，配置在沟槽内埋入绝缘体而形成的沟槽隔离构造。此外，配置第二主电极，使其接触P型半导体区和N型半导体区。

公开(公告)号：CN100414713C

公开(公告)日：2008-08-27

申请号：CN03806429.4

申请日：2003-07-11

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 德田法史 ,  楠茂

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L29/0657 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/32 ,  H01L29/47 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/872 ,  H01L2924/10155 ,  H01L2924/10158

Abstract: 本发明涉及半导体器件，其目的在于特别是在半导体衬底的厚度方向上流过主电流的半导体器件中提供不仅能满足性能和耐压、而且能满足半导体衬底的机械强度的、此外在光刻的工序中不需要对曝光装置等的调整花费工夫的半导体器件。而且，为了实现上述目的，具备：在与第1主面相反一侧的第2主面上具有由侧面(91)和底面(92)规定的凹部的半导体衬底；在半导体衬底的凹部的底面(92)的表面内配置的半导体区(IP5)；在第2主面一侧的周边区域1A的表面内配置的半导体区(IP4)；以及在凹部的侧面(91)上配置的、对半导体区(IP4)与(IP5)进行电绝缘的绝缘膜(IL)。

公开(公告)号：CN101019221A

公开(公告)日：2007-08-15

申请号：CN200580027007.1

申请日：2005-01-11

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 德田法史 ,  冈田裕子

IPC: H01L21/68

CPC classification number: H01L21/6875 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67757 ,  H01L21/67766 ,  H01L21/67769 ,  H01L21/67772 ,  H01L21/67775 ,  H01L21/67778 ,  H01L21/67781 ,  H01L21/68757

Abstract: 本发明涉及半导体制造装置，其目的在于不降低处理中的操作性地防止半导体基片的破损和变形。为了达成上述目的，半导体制造装置具有装载半导体基片(30)的承载台(100)，承载台(100)具有：由金属构成的与装载的半导体基片(30)触碰的第1金属部(10)；由导电弹性体组成的与装载的半导体基片(30)触碰的导电弹性体部(20)。异物(40)埋入导电弹性体部(20)。

公开(公告)号：CN100511632C

公开(公告)日：2009-07-08

申请号：CN200580027007.1

申请日：2005-01-11

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 德田法史 ,  冈田裕子

IPC: H01L21/68

CPC classification number: H01L21/6875 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67757 ,  H01L21/67766 ,  H01L21/67769 ,  H01L21/67772 ,  H01L21/67775 ,  H01L21/67778 ,  H01L21/67781 ,  H01L21/68757

Abstract: 本发明涉及半导体制造装置，其目的在于不降低处理中的操作性地防止半导体基片的破损和变形。为了达成上述目的，半导体制造装置具有装载半导体基片(30)的承载台(100)，承载台(100)具有：由金属构成的与装载的半导体基片(30)触碰的第1金属部(10)；由导电弹性体组成的与装载的半导体基片(30)触碰的导电弹性体部(20)。异物(40)埋入导电弹性体部(20)。

公开(公告)号：CN1669151A

公开(公告)日：2005-09-14

申请号：CN03816965.7

申请日：2003-06-05

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 德田法史 ,  楠茂

IPC: H01L29/739

CPC classification number: H01L29/0696 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/7397 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及主电流在半导体衬底的厚度方向上流动的半导体器件。其目的在于：提供在主电流在半导体衬底的厚度方向上流动的半导体器件中，当相邻配置功能不同的半导体元件时，能实现所期待的电特性的半导体元件。而且，为了实现所述目的，在半导体衬底(901)的第二主面(MS2)的表面内设置彼此隔开间隔交替形成的P型半导体区(912)和N型半导体区(913)，在两者间的半导体衬底(901)的表面内，配置在沟槽内埋入绝缘体(914)而形成的沟槽隔离构造(911)。此外，配置第二主电极(916)，使其接触P型半导体区(912)和N型半导体区(913)。

公开(公告)号：CN1643698A

公开(公告)日：2005-07-20

申请号：CN03806429.4

申请日：2003-07-11

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 德田法史 ,  楠茂

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L29/0657 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/32 ,  H01L29/47 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/872 ,  H01L2924/10155 ,  H01L2924/10158

Abstract: 本发明涉及半导体器件，其目的在于特别是在半导体衬底的厚度方向上流过主电流的半导体器件中提供不仅能满足性能和耐压、而且能满足半导体衬底的机械强度的、此外在光刻的工序中不需要对曝光装置等的调整花费工夫的半导体器件。而且，为了实现上述目的，具备：在与第1主面相反一侧的第2主面上具有由侧面(91)和底面(92)规定的凹部的半导体衬底；在半导体衬底的凹部的底面(92)的表面内配置的半导体区(IP5)；在第2主面一侧的周边区域1A的表面内配置的半导体区(IP4)；以及在凹部的侧面(91)上配置的、对半导体区(IP4)与(IP5)进行电绝缘的绝缘膜(IL)。

公开(公告)号：CN100477259C

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200410061670.0

申请日：2004-06-23

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 德田法史 ,  湊忠玄 ,  金田充

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/74 ,  H01L29/78 ,  H01L21/328 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/0661 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/7395

Abstract: 本发明提供确保稳定的反向耐压而且提高芯片表面的利用效率的纵型半导体器件，半导体器件具有在第2主面一侧形成了p型接触层2的n型半导体衬底1，在其周边部分形成沟槽13使得从第1主面到达接触层2那样包围内部，从其侧面通过扩散形成的p型分离区14设置成与接触层2连接，沟槽13的内部填埋充填物16。

公开(公告)号：CN100405569C

公开(公告)日：2008-07-23

申请号：CN200480035360.X

申请日：2004-09-27

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 德田法史

IPC: H01L21/68 ,  B65G49/07 ,  H01L21/22 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67309 ,  H01L21/223 ,  H01L21/67346 ,  H01L21/67778

Abstract: 本发明涉及一种半导体制造装置及半导体制造方法，其目的在于与厚度无关，容易且稳定地处理晶片。为实现上述目的，半导体制造装置具有：上方具有开口的盒(100)，收纳1个半导体基板(300)；多个处理机构，用于对半导体基板(300)进行规定的处理；运送机构，在多个处理机构之间，运送收纳有半导体基板(300)的盒(100)。

公开(公告)号：CN1886830A

公开(公告)日：2006-12-27

申请号：CN200480035360.X

申请日：2004-09-27

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 德田法史

IPC: H01L21/68 ,  B65G49/07 ,  H01L21/22 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67309 ,  H01L21/223 ,  H01L21/67346 ,  H01L21/67778

Abstract: 本发明涉及一种半导体制造装置及半导体制造方法，其目的在于与厚度无关，容易且稳定地处理晶片。为实现上述目的，半导体制造装置具有：上方具有开口的盒(100)，收纳1个半导体基板(300)；多个处理机构，用于对半导体基板(300)进行规定的处理；运送机构，在多个处理机构之间，运送收纳有半导体基板(300)的盒(100)。