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公开(公告)号：CN102074536B
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201010521765.1
申请日：2010-10-14
Applicant: 三菱电机株式会社 , 千住金属工业株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L21/60 , C22C13/02
CPC classification number: H01L24/29 , B23K35/262 , C22C13/00 , C22C13/02 , H01L23/049 , H01L23/3735 , H01L23/42 , H01L24/27 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L25/072 , H01L2224/29101 , H01L2224/29111 , H01L2224/32225 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48472 , H01L2224/73265 , H01L2224/83192 , H01L2224/83455 , H01L2224/83801 , H01L2224/92247 , H01L2924/00011 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01061 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/0133 , H01L2924/014 , H01L2924/13055 , H01L2924/15787 , H01L2924/1579 , H01L2924/181 , H01L2924/19107 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012 , H01L2224/83205
Abstract: 本发明的目的在于提供一种功率半导体装置及其制造方法，以能够不将电路图案的非电解Ni-P镀层的厚度厚膜化来抑制Ni-P镀层中的Ni扩散至焊锡中，且可以提高可靠性及成品率。该功率半导体装置包括：衬底；元件用电路图案，是形成于该衬底上，由Ni-P镀层覆盖Cu的结构；以及半导体元件，其通过焊锡与该元件用电路图案固接。而且，其特征在于，该焊锡是Sn和Sb和Cu的合金，且Cu的重量百分比是0.5％以上1％以下的任意值。
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公开(公告)号：CN1574332A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410059226.5
申请日：2004-06-09
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种谋求防止树脂剥离和焊丝键合性提高并实现了小型化的功率半导体器件。为此，主端子引线(2)是固定了焊丝(3)的内部引线部(2a)和外部连接用的外部引线部(2b)被一体地构成的单一体，外部引线部从模制树脂(4)露出到外部侧，在内部引线部上的多个焊丝固定部(3b)并列地固定着多个焊丝，与形成在内部引线部(2a)上的焊丝固定部(3b)相对应在其外部侧附近位置，与焊丝固定部(3b)的排列方向大致平行地形成贯通主端子引线的多个通孔(8)。
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公开(公告)号：CN102074536A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN201010521765.1
申请日：2010-10-14
Applicant: 三菱电机株式会社 , 千住金属工业株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L21/60 , C22C13/02
CPC classification number: H01L24/29 , B23K35/262 , C22C13/00 , C22C13/02 , H01L23/049 , H01L23/3735 , H01L23/42 , H01L24/27 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L25/072 , H01L2224/29101 , H01L2224/29111 , H01L2224/32225 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48472 , H01L2224/73265 , H01L2224/83192 , H01L2224/83455 , H01L2224/83801 , H01L2224/92247 , H01L2924/00011 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01061 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/0133 , H01L2924/014 , H01L2924/13055 , H01L2924/15787 , H01L2924/1579 , H01L2924/181 , H01L2924/19107 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012 , H01L2224/83205
Abstract: 本发明的目的在于提供一种功率半导体装置及其制造方法，以能够不将电路图案的非电解Ni-P镀层的厚度厚膜化来抑制Ni-P镀层中的Ni扩散至焊锡中，且可以提高可靠性及成品率。该功率半导体装置包括：衬底；元件用电路图案，是形成于该衬底上，由Ni-P镀层覆盖Cu的结构；以及半导体元件，其通过焊锡与该元件用电路图案固接。而且，其特征在于，该焊锡是Sn和Sb和Cu的合金，且Cu的重量百分比是0.5％以上1％以下的任意值。
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公开(公告)号：CN100380652C
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200410059226.5
申请日：2004-06-09
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种谋求防止树脂剥离和焊丝键合性提高并实现了小型化的功率半导体器件。为此，主端子引线(2)是固定了焊丝(3)的内部引线部(2a)和外部连接用的外部引线部(2b)被一体地构成的单一体，外部引线部从模制树脂(4)露出到外部侧，在内部引线部上的多个焊丝固定部(3b)并列地固定着多个焊丝，与形成在内部引线部(2a)上的焊丝固定部(3b)相对应在其外部侧附近位置，与焊丝固定部(3b)的排列方向大致平行地形成贯通主端子引线的多个通孔(8)。
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