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公开(公告)号：CN102575343B
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201080044569.8
申请日：2010-10-01
IPC: C23C16/44 , C23C16/24 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/44 , C23C16/24 , C23C16/325 , C23C16/345 , C23C16/4404 , C23C16/481 , H01L21/68757
Abstract: 在催化CVD装置(100)中，保持体300)具有用于防止从催化剂丝(11)所放出的辐射线向基材(200)侧反射的防反射结构。
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公开(公告)号：CN102575343A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201080044569.8
申请日：2010-10-01
IPC: C23C16/44 , C23C16/24 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/44 , C23C16/24 , C23C16/325 , C23C16/345 , C23C16/4404 , C23C16/481 , H01L21/68757
Abstract: 在催化CVD装置(100)中，保持体300)具有用于防止从催化剂丝(11)所放出的辐射线向基材(200)侧反射的防反射结构。
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公开(公告)号：CN102576668B
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201080045522.3
申请日：2010-10-01
IPC: C23C16/44
CPC classification number: C23C16/4488 , C23C16/24 , C23C16/44 , H01L21/02422 , H01L21/02532 , H01L21/02592
Abstract: 在催化CVD装置(100)中，控制部在成膜时前后的规定的时间内，将催化剂丝(13)的温度控制在待机温度。待机温度是低于成膜时催化剂丝(13)的温度且高于室温的规定温度。
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公开(公告)号：CN102576668A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201080045522.3
申请日：2010-10-01
IPC: H01L21/205 , C23C16/44 , H01L31/04
CPC classification number: C23C16/4488 , C23C16/24 , C23C16/44 , H01L21/02422 , H01L21/02532 , H01L21/02592
Abstract: 在催化CVD装置(100)中，控制部在成膜时前后的规定的时间内，将催化剂丝(13)的温度控制在待机温度。待机温度是低于成膜时催化剂丝(13)的温度且高于室温的规定温度。
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公开(公告)号：CN102171455B
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN200980138585.0
申请日：2009-11-12
Applicant: 爱发科低温泵株式会社 , 株式会社爱发科
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种能够抑制臭氧在低温泵中的存留的真空排气装置、真空处理装置以及真空排气方法。为达到上述目的，本发明的一个实施方式的真空排气装置(1)包括：真空处理用的处理室(11)泵单元，该泵单元具有冷捕集器(161)与排气通路(13A)，所述冷捕集器(161)能够捕集排出气体，所述排气通路(13A)用于将所述排出气体从所述处理室(11)导向所述冷捕集器(161)；加热单元(20)，其使从所述处理室(11)流向所述冷捕集器(161)的所述排出气体中含有的臭氧在所述排气通路(13A)中产生热分解。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111052397A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201880058156.1
申请日：2018-10-17
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L29/786 , H01L21/316 , H01L21/336
Abstract: 本发明的一个技术方案所涉及的薄膜晶体管的制造方法包括在衬底上形成活性层。以能够与上述活性层电连接的方式形成源极区域和漏极区域。通过等离子体CVD在上述活性层的表面形成由氧化硅构成的第一金属氧化物层。通过ALD在上述第一金属氧化物层的表面形成由氧化铝构成的第二金属氧化物层。在上述第二金属氧化物层的表面形成栅电极。
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公开(公告)号：CN111052397B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN201880058156.1
申请日：2018-10-17
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L29/786 , H01L21/316 , H01L21/336
Abstract: 本发明的一个技术方案所涉及的薄膜晶体管的制造方法包括在衬底上形成活性层。以能够与上述活性层电连接的方式形成源极区域和漏极区域。通过等离子体CVD在上述活性层的表面形成由氧化硅构成的第一金属氧化物层。通过ALD在上述第一金属氧化物层的表面形成由氧化铝构成的第二金属氧化物层。在上述第二金属氧化物层的表面形成栅电极。
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公开(公告)号：CN1943014A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200580011103.7
申请日：2005-03-10
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/205 , H01L21/3065 , C23C16/44
CPC classification number: C23C16/4405
Abstract: 本发明提供不将催化体加热到2000℃以上，抑制清洁气引起的催化体腐蚀劣化，在低成本下进行实用的清洁速度和良好的清洁的自洁式催化化学蒸镀装置。使从加热电源6和该加热电源6的各端子6a、6b间向反应容器2内的催化体4通入恒电流的导线5a、5b与反应容器2为电绝缘的状态，在已排气的反应容器2内导入含有卤素元素的清洁气，通过从加热电源6通电加热催化体4，使通过该加热而生成的活性种与附着在反应容器2内的附着膜反应而除去附着膜，此时，从恒压电源8以适当的极性在加热电源6的导线5b上外加适当值的直流偏压。
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公开(公告)号：CN102245803B
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN200880132278.7
申请日：2008-12-09
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/205 , C23C16/44
CPC classification number: C23C18/02 , C23C8/08 , C23C16/06 , C23C16/24 , C23C16/345 , C23C16/4488 , C23C16/46
Abstract: 本发明提供一种有助于延长丝状催化剂使用寿命的催化剂辅助化学气相生长装置。对催化剂辅助化学气相生长装置(1)，在钽丝表面形成其硼化物层而制成丝状催化剂(6)，由于金属钽的硼化物(硼化钽)硬度比金属钽的高，所以将表面形成有其硼化物层的钽丝用作丝状催化剂时，可降低丝状催化剂的受热伸长量，从而提高其机械强度，进而有助于延长其使用寿命。另外，因通过连续通电而对丝状催化剂(6)进行通电加热，因而更有助于延长丝状催化剂(6)的使用寿命。
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公开(公告)号：CN102245803A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200880132278.7
申请日：2008-12-09
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C16/44 , H01L21/205
CPC classification number: C23C18/02 , C23C8/08 , C23C16/06 , C23C16/24 , C23C16/345 , C23C16/4488 , C23C16/46
Abstract: 本发明提供一种有助于延长丝状催化剂使用寿命的催化剂辅助化学气相生长装置。对催化剂辅助化学气相生长装置(1)，在钽丝表面形成其硼化物层而制成丝状催化剂(6)，由于金属钽的硼化物(硼化钽)硬度比金属钽的高，所以将表面形成有其硼化物层的钽丝用作丝状催化剂时，可降低丝状催化剂的受热伸长量，从而提高其机械强度，进而有助于延长其使用寿命。另外，因通过连续通电而对丝状催化剂(6)进行通电加热，因而更有助于延长丝状催化剂(6)的使用寿命。
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