公开(公告)号：CN102629636A

公开(公告)日：2012-08-08

申请号：CN201110451007.1

申请日：2011-12-21

Applicant: 三星SDI株式会社 ,  三星电子株式会社

Inventor： 吴旼锡 ,  朴敏 ,  李允锡 ,  宋南圭 ,  李草英 ,  全勋夏 ,  张然翼

IPC: H01L31/077 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/20

CPC classification number: H01L31/202 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池及其制造方法。该太阳能电池包括基底、半导体层、第一掺杂图案和第二掺杂图案。基底具有适合于接收太阳光的第一表面和背对第一表面的第二表面。半导体层包括形成在基底的第二表面的第一区域上的绝缘图案以及形成在基底的第二表面的其上不形成绝缘图案的第二区域上的半导体图案。第一掺杂图案和第二掺杂图案形成在半导体图案中或形成在半导体图案上。

公开(公告)号：CN103165685A

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201210534069.3

申请日：2012-12-11

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 徐京真 ,  丁炳国 ,  金贤钟 ,  朴敏 ,  李昌浩 ,  李尚洹

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/04 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/022441 ,  H01L31/0682 ,  Y02E10/547

Abstract: 本发明公开了一种光伏装置以及一种制造该光伏装置的方法，该装置包括：半导体基底，具有第一表面和与第一表面相反的第二表面；氮化硅的间隙绝缘层，在半导体基底的第一表面上，间隙绝缘层的接近半导体基底的部分具有与间隙绝缘层的远离半导体基底的部分中的硅:氮比不同的硅:氮比；半导体结构，在半导体基底的第一表面上；以及电极，在半导体结构上。

公开(公告)号：CN103681894A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310412302.5

申请日：2013-09-11

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 杨政烨 ,  安英京 ,  金珉丘 ,  李准永 ,  朴敏 ,  许弼浩 ,  姜然日 ,  赵显永

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/18 ,  H01L25/04

CPC classification number: H01L31/0201 ,  H01L31/0512 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明提供了一种太阳能电池模块及其制造方法。根据本发明的太阳能电池模块包括光电转换电池、互连布线和汇流条，其中，互连布线通过导电粘结层附着，汇流条通过绝缘粘结层附着。制造太阳能电池的方法包括：通过导电粘结层附着互连布线，通过绝缘粘结层附着汇流条，并且根据所述方法，可通过简单并且经济的方法制造具有优异特性的太阳能电池模块。

公开(公告)号：CN101630704A

公开(公告)日：2010-01-20

申请号：CN200910159777.1

申请日：2009-07-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴敏 ,  吴旼锡 ,  申明勋 ,  李昌昊 ,  李秉奎 ,  南毓铉 ,  郑胜在 ,  林美花 ,  徐晙荣

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/042 ,  H01L31/075 ,  H01L31/0232

CPC classification number: H01L31/022425 ,  H01L31/046 ,  H01L31/0465 ,  H01L31/056 ,  H01L31/076 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/548

Abstract: 本发明提供一种太阳能电池及其制造方法。该制造方法包括：在基板上沉积透明导电层；图案化透明导电层；形成半导体层，该半导体层沉积在所图案化的透明导电层上；图案化半导体层；将金属粉涂覆在图案化的半导体层上；在涂覆有金属粉的半导体层上形成后电极层；以及图案化后电极层和半导体层。该方法可用于制造具有改良的光吸收效率的太阳能电池，