公开(公告)号：CN102769020A

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN201210106953.7

申请日：2012-04-12

Applicant: 三星SDI株式会社 ,  三星电子株式会社

Inventor： 郑胜在 ,  南毓铉 ,  全基元

IPC: H01L27/144

CPC classification number: H01L31/028 ,  H01L31/076 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548

Abstract: 本发明公开了一种光电转换装置，所述装置包括：第一光电转换单元，在基底上并具有第一能带隙；第二光电转换单元，具有与第一能带隙不同的第二能带隙，第二光电转换单元在第一光电转换单元上；中间单元，在第一光电转换单元和第二光电转换单元之间，中间单元包括第一中间层和第二中间层的堆叠件，第一中间层和第二中间层中的每层的折射率小于第一光电转换单元的折射率，第一中间层具有第一折射率，第二中间层具有小于第一折射率的第二折射率。

公开(公告)号：CN101630704A

公开(公告)日：2010-01-20

申请号：CN200910159777.1

申请日：2009-07-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴敏 ,  吴旼锡 ,  申明勋 ,  李昌昊 ,  李秉奎 ,  南毓铉 ,  郑胜在 ,  林美花 ,  徐晙荣

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/042 ,  H01L31/075 ,  H01L31/0232

CPC classification number: H01L31/022425 ,  H01L31/046 ,  H01L31/0465 ,  H01L31/056 ,  H01L31/076 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/548

Abstract: 本发明提供一种太阳能电池及其制造方法。该制造方法包括：在基板上沉积透明导电层；图案化透明导电层；形成半导体层，该半导体层沉积在所图案化的透明导电层上；图案化半导体层；将金属粉涂覆在图案化的半导体层上；在涂覆有金属粉的半导体层上形成后电极层；以及图案化后电极层和半导体层。该方法可用于制造具有改良的光吸收效率的太阳能电池，