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公开(公告)号：CN101192652A
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN200710097866.9
申请日：2007-04-20
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L51/5246 , H01L51/0097 , H01L51/56 , H01L2251/5338
Abstract: 本发明提供了一种有机发光显示器及其制造方法。该有机发光显示器包括：基底；半导体层，布置在基底上；有机发光二极管，布置在半导体层上；包封物，布置在基底的顶表面周边上，该顶表面周边为半导体层和有机发光二极管的外周边；包封基底，粘结到包封物上；粘结剂，布置在基底的与包封物相对的下表面上。
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公开(公告)号：CN1598902A
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN200410082545.8
申请日：2004-09-20
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L29/78615 , H01L27/12 , H01L27/3262 , H01L29/783 , H01L29/78639
Abstract: 提供了一种具有长寿命的高速平板显示器。具有多个象素的象素部分中的薄膜晶体管与用于驱动象素的驱动电路部分中的薄膜晶体管的接触不同，从而提高了亮度均匀性并减小了功耗。每个薄膜晶体管具有沟道区和用于向沟道区施加预定电压的体接触区。象素部分中的至少一个薄膜晶体管是源－体接触薄膜晶体管，其具有连接到源和漏电极之一的体接触区，从而使预定电压被提供给沟道区。驱动电路部分中的每一薄膜晶体管是栅－体接触薄膜晶体管，其具有连接到栅电极的体接触区，从而使预定电压被提供给沟道区。
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公开(公告)号：CN1581514A
公开(公告)日：2005-02-16
申请号：CN200410057553.7
申请日：2004-08-16
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , G09F9/30 , G09G3/00
CPC classification number: H01L29/78666 , H01L27/12 , H01L29/783 , H01L29/7841 , H01L29/78609 , H01L29/78675
Abstract: 本发明涉及栅体短路的薄膜晶体管、其制造方法及相关显示器。该薄膜晶体管包括栅极金属层、掺杂有第一极性掺杂剂的本体层、掺杂有第二极性掺杂剂的源极层和漏极层、形成于源极层和漏极层之间的半导体层、以及连接该栅极金属层与该本体层的接触部。
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公开(公告)号：CN101388405A
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200810215141.X
申请日：2008-09-03
Applicant: 三星SDI株式会社
Inventor： 崔炳德
IPC: H01L27/32 , H01L27/15 , H01L31/102 , H01L21/82
CPC classification number: H01L27/3269 , H01L27/15
Abstract: 本发明公开了一种发光显示装置及其制造方法，该发光显示装置包括：位于基底上的发光二极管和薄膜晶体管，发光二极管和薄膜晶体管彼此电连接；位于基底上的光电二极管，光电二极管包括彼此连接的本征区和P型掺杂区。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101179111A
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200710097867.3
申请日：2007-04-20
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L27/3272 , H01L51/56 , H01L2251/566
Abstract: 本发明公开了一种厚度小的有机发光显示器及其制造方法。该有机发光显示器包括：基底；非透射层，形成在基底上；半导体层，形成在非透射层上；栅极绝缘层，形成在半导体层上；栅电极，形成在栅极绝缘层上；层间电介质层，形成在栅电极上；源/漏电极，形成在层间电介质层上；绝缘层，形成在源/漏电极上；有机发光二极管，形成在绝缘层上。
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公开(公告)号：CN101179110A
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200710097864.X
申请日：2007-04-20
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L51/56 , H01L27/3272 , H01L51/003 , H01L51/0097 , H01L51/5209 , H01L2251/5315 , H01L2251/566 , Y02E10/549
Abstract: 本发明公开了一种有机发光显示器，该有机发光显示器包括：基底；缓冲层，布置在基底上；半导体层，布置在缓冲层上；栅极绝缘层，布置在半导体层上；栅电极，布置在栅极绝缘层上；层间介电层，布置在栅电极上；源/漏电极，布置在层间介电层上；绝缘层，布置在源/漏电极上；非透射层，布置在绝缘层上；有机发光二极管，布置在绝缘层上。
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公开(公告)号：CN101047204A
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200710092204.2
申请日：2007-03-30
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L27/3269 , H01L27/1446 , H01L31/035281 , H01L31/03682 , H01L31/105 , H01L31/153 , H01L31/202 , Y02E10/546 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种具有用于接收蓝波长光的光电二极管的有机发光显示装置。在一个实施例中，有机发光显示装置包括：基底，具有像素区和非像素区；第一缓冲层和第二缓冲层，设置在基底上方；薄膜晶体管(TFT)，设置在第二缓冲层上方；有机发光二极管，设置在像素区中并设置在TFT上方，并与TFT电连接；光电二极管，设置在非像素区中的第二缓冲层上，并适于从外部源接收蓝波长的入射光。第一缓冲层的厚度在700至900的范围内，第二缓冲层的厚度在500至700的范围内。光电二极管包括N型掺杂区、P型掺杂区和宽度在1μm至10μm的范围内的本征区。
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公开(公告)号：CN100405614C
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200410103882.0
申请日：2004-10-18
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L29/78615
Abstract: 本发明公开一种薄膜晶体管，包括：形成于绝缘衬底上的有源层并具有沟道区和源/漏区；对应有源区的沟道区形成的栅极电极；在有源层中与源/漏区分离地形成的体接触区；分别连接至源/漏区的源/漏极电极；以及用于连接体接触区和栅极电极的导电布线。
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公开(公告)号：CN1542986A
公开(公告)日：2004-11-03
申请号：CN200410042055.5
申请日：2004-04-29
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , G02F1/136 , G09F9/30
CPC classification number: H01L27/12 , H01L29/78615 , H01L29/78639 , H01L29/78675
Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制造方法和采用该薄膜晶体管的显示装置。该薄膜晶体管包括一有源层，其形成于一绝缘衬底上，且其中形成有沟道区、源极区和漏极区，其中一电压被施加到该沟道区上以释放在该沟道区中产生的热载流子。
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