公开(公告)号：CN101047204A

公开(公告)日：2007-10-03

申请号：CN200710092204.2

申请日：2007-03-30

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 崔大撤 ,  崔炳德 ,  金庆保

IPC: H01L27/32 ,  H05B33/12

CPC classification number: H01L27/3269 ,  H01L27/1446 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/105 ,  H01L31/153 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/546 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种具有用于接收蓝波长光的光电二极管的有机发光显示装置。在一个实施例中，有机发光显示装置包括：基底，具有像素区和非像素区；第一缓冲层和第二缓冲层，设置在基底上方；薄膜晶体管(TFT)，设置在第二缓冲层上方；有机发光二极管，设置在像素区中并设置在TFT上方，并与TFT电连接；光电二极管，设置在非像素区中的第二缓冲层上，并适于从外部源接收蓝波长的入射光。第一缓冲层的厚度在700至900的范围内，第二缓冲层的厚度在500至700的范围内。光电二极管包括N型掺杂区、P型掺杂区和宽度在1μm至10μm的范围内的本征区。

公开(公告)号：CN1855393A

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：CN200610058671.9

申请日：2006-03-08

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 崔大撤 ,  崔炳德 ,  任忠烈

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管(TFT)和制造该TFT的方法，其中，简化了制造工艺并且减小了对栅极绝缘层的损坏。制造该TFT的方法包括：在基底上形成至少一个缓冲层；在缓冲层上形成第一半导体层，通过在第一半导体层上沉积用掺杂剂掺杂的半导体来形成第二半导体层；将第二半导体层图案化，形成源区和漏区；在源区和漏区上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成栅极。