平板显示装置
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100416889C

    公开(公告)日:2008-09-03

    申请号:CN200410089746.0

    申请日:2004-11-05

    Inventor: 姜泰旭 任忠烈

    Abstract: 本发明披露了一种平板显示装置,包括发光层部分,该发光层部分包括第一电极、第二电极和处于第一与第二电极之间的有机发光层;至少两个用于控制发光层部分的薄膜晶体管;用于将扫描信号输送给薄膜晶体管的扫描信号线;用于将数据信号输送给薄膜晶体管的数据信号线;具有用于将电流输送给发光层部分的公共电源线的发光区;以及与除发光区以外的非发光区的的层间绝缘层上的公共电源线连接的外围公共电源线,其中所述层间绝缘层和所述外围公共电源线具有弯曲部分,且其中所述公共电源线在保持恒定布线电阻的同时具有减小的布线宽度,从而可减小显示板的总尺寸。

    薄膜晶体管及其制造方法

    公开(公告)号:CN1855393A

    公开(公告)日:2006-11-01

    申请号:CN200610058671.9

    申请日:2006-03-08

    Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管(TFT)和制造该TFT的方法,其中,简化了制造工艺并且减小了对栅极绝缘层的损坏。制造该TFT的方法包括:在基底上形成至少一个缓冲层;在缓冲层上形成第一半导体层,通过在第一半导体层上沉积用掺杂剂掺杂的半导体来形成第二半导体层;将第二半导体层图案化,形成源区和漏区;在源区和漏区上形成栅极绝缘层;在栅极绝缘层上形成栅极。

    薄膜晶体管及其制造方法

    公开(公告)号:CN1652350A

    公开(公告)日:2005-08-10

    申请号:CN200410075874.X

    申请日:2004-11-25

    Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制造方法。更具体地,提供一种具有薄膜晶体管的薄膜晶体管和及其制造方法,其中在衬底表面上在薄膜晶体管的源极/漏极电极上依次形成无机层和有机平坦化层,该薄膜晶体管具有半导体层、栅极、源极/漏极区域和源极/漏极电极,并对有机平坦化层进行毯式蚀刻工艺来平坦化无机层。当在无机层上形成光致抗蚀剂图案之后,进行蚀刻工艺来形成将像素电极与源极/漏极电极之一连接的孔。依照该制造方法,可使用一个掩膜形成孔,由此简化了制造工艺,并通过由上述形成的无机层改进了与像素电极的附着。可将此薄膜晶体管适当地应用于有源矩阵有机电致发光显示器。

    平板显示装置
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1622703A

    公开(公告)日:2005-06-01

    申请号:CN200410089746.0

    申请日:2004-11-05

    Inventor: 姜泰旭 任忠烈

    Abstract: 本发明披露了一种平板显示装置,包括发光层部分,该发光层部分包括第一电极、第二电极和处于第一与第二电极之间的有机发光层;至少两个用于控制发光层部分的薄膜晶体管;用于将扫描信号输送给薄膜晶体管的扫描信号线;用于将数据信号输送给薄膜晶体管的数据信号线;具有用于将电流输送给发光层部分的公共电源线的发光区;以及具有至少一个弯曲部分且与除发光区以外的非发光区的板上的公共电源线连接的外围公共电源线,其中所述公共电源线在保持恒定布线电阻的同时具有减小的布线宽度,从而可减小显示板的总尺寸。

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