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公开(公告)号：CN100409457C
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200410068675.6
申请日：2004-09-03
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L29/786 , G09F9/33 , G02F1/136
CPC classification number: H01L29/42384 , H01L27/12 , H01L27/3244 , H01L29/41733
Abstract: 一种薄膜晶体管和一种有源矩阵平板器材。通过形成具有多重剖面的一传导材料层，减少了临界尺寸(CD)偏差和提高了分级覆盖。该薄膜晶体管包括形成于一绝缘衬底上的传导材料层，其中该传导材料层由至少一个薄膜晶体管传导材料层组成，并且该传导材料层的一边缘部分由具有多重边缘锥角的多重剖面组成。
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公开(公告)号：CN1725911A
公开(公告)日：2006-01-25
申请号：CN200510079545.7
申请日：2005-06-23
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L51/524
Abstract: 一种平板显示装置，包括：其上形成有一发光装置的一基板；形成在所述基板上的一密封基板；以及形成在所述密封基板上以保护所述发光装置的一保护板。所述保护板的内表面上形成多个槽，以增加保护板的弯曲阻抗，分散施加到平板显示器的载荷力，并且减少形成在平板显示器中的发光装置由于载荷而损坏的可能性。
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公开(公告)号：CN1652350A
公开(公告)日：2005-08-10
申请号：CN200410075874.X
申请日：2004-11-25
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , G09G3/28
CPC classification number: H01L27/1288 , G02F1/136227 , G02F2001/136231 , H01L27/1214 , H01L27/1248 , H01L27/3244
Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制造方法。更具体地，提供一种具有薄膜晶体管的薄膜晶体管和及其制造方法，其中在衬底表面上在薄膜晶体管的源极/漏极电极上依次形成无机层和有机平坦化层，该薄膜晶体管具有半导体层、栅极、源极/漏极区域和源极/漏极电极，并对有机平坦化层进行毯式蚀刻工艺来平坦化无机层。当在无机层上形成光致抗蚀剂图案之后，进行蚀刻工艺来形成将像素电极与源极/漏极电极之一连接的孔。依照该制造方法，可使用一个掩膜形成孔，由此简化了制造工艺，并通过由上述形成的无机层改进了与像素电极的附着。可将此薄膜晶体管适当地应用于有源矩阵有机电致发光显示器。
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公开(公告)号：CN1591146A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN200410068675.6
申请日：2004-09-03
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: G02F1/136 , H01L29/786 , G09F9/00
CPC classification number: H01L29/42384 , H01L27/12 , H01L27/3244 , H01L29/41733
Abstract: 一种薄膜晶体管和一种有源矩阵平板器材。通过形成具有多重剖面的一传导材料层，减少了临界尺寸(CD)偏差和提高了分级覆盖。该薄膜晶体管包括形成于一绝缘衬底上的传导材料层，其中该传导材料层由至少一个薄膜晶体管传导材料层组成，并且该传导材料层的一边缘部分由具有多重边缘锥角的多重剖面组成。
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公开(公告)号：CN1700816A
公开(公告)日：2005-11-23
申请号：CN200510070998.3
申请日：2005-05-19
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: G09G3/3225 , G09G2300/0426 , G09G2300/0439 , G09G2300/0465 , G09G2320/0233
Abstract: 本发明提供了一种具有显示区的平面显示装置，其中包括不止一个薄膜晶体管和不止一个像素。该装置包括提供驱动电源到显示区的驱动线，以及与驱动线连接并形成在与驱动线不同的层中的辅助驱动线。驱动线可以位于与显示区的源/漏电极相同的层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1708194A
公开(公告)日：2005-12-14
申请号：CN200510078873.5
申请日：2005-06-06
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 提供一种电致发光(EL)显示器件和制造它的方法。该器件包括：一基板；多个置于基板上的像素电极；一置于像素电极上并具有露出每一像素电极预定部分的开口部分的像素限定层；和至少一个包括在像素限定层里和/或上的阻挡层。在该器件里，像素限定层包括至少一个阻挡层以便减少来自像素限定层的脱气量并防止由于脱气导致的发光部分老化。此外，像素限定层形成为具有足够小的厚度以便于使用激光感应热成像(LITI)工艺的后续处理。
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公开(公告)号：CN1622713A
公开(公告)日：2005-06-01
申请号：CN200410095352.6
申请日：2004-11-24
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L51/5237 , H01L27/3272 , H01L51/524 , H01L2251/55
Abstract: 一种有机电致发光显示器，包括形成在下方绝缘衬底之上的有机发光元件，将有机发光元件密封用的上方绝缘衬底，以及在下方绝缘衬底的外表面上形成的防静电部件，在此下方绝缘衬底上形成了有机发光元件。
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公开(公告)号：CN1728895A
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：CN200510089643.9
申请日：2005-06-25
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L27/3276 , G09G3/32 , G09G2300/0439 , G09G2300/0809 , G09G2330/08
Abstract: 提供了一种有源矩阵电致发光显示装置，其中可以基本上避免相邻的子像素中的电源线和数据线之间的短路。该有源矩阵电致发光显示装置包括：电源线；设置在电源线的一侧并电连接到电源线的第一晶体管；设置在电源线的另一侧并电连接到电源线的第二晶体管；以及分别电连接到第一晶体管和第二晶体管的电致发光器件。
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公开(公告)号：CN1725511A
公开(公告)日：2006-01-25
申请号：CN200510079257.1
申请日：2005-05-24
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/30 , H01L21/306 , H01L21/3065 , H01L21/768 , H01L21/8234 , H01L23/52
Abstract: 公开一种半导体器件及制造方法，当形成半导体层及源和漏电极的接触孔、正电极以源和漏电极的通孔、金属互连线间的通孔或通孔接触孔时，使用高腐蚀速率和高选择性干法腐蚀的至少一种进行干法腐蚀且在最终腐蚀处理中进行湿法腐蚀，可形成具不同圆锥角的多种轮廓的接触孔、通孔或通孔接触孔，且湿法干法处理时可完全去除腐蚀产生的残渣，由此可使接触孔、通孔和通孔接触孔具有优良接触特性。半导体器件包括：衬底；在衬底上形成并具有半导体层、栅绝缘层、栅电极和层间电介质的薄膜晶体管；及穿透栅绝缘层和层间电介质并暴露半导体层表面且具有多种轮廓的接触孔，接触孔上部分具有湿法腐蚀轮廓且下部分具有湿法和干法腐蚀轮廓的至少一种。
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公开(公告)号：CN1702532A
公开(公告)日：2005-11-30
申请号：CN200510073821.9
申请日：2005-05-24
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: G02F1/136 , G09F9/00 , H01L29/786 , H01L21/027
CPC classification number: H01L29/78603 , H01L27/12 , H01L27/1248 , H01L27/3262 , H01L51/5284
Abstract: 本发明涉及一种具有双缓冲结构的TFT、一种制造该TFT的方法、一种具有该TFT的平板显示器和制造该显示器的方法。TFT包括：第一缓冲层，包含设置于衬底上的非晶硅；和第二缓冲层，设置于第一缓冲层上。TFT还包括：半导体层，设置于第二缓冲层上；和栅电极，设置于半导体层上。双缓冲结构对从衬底扩散的杂质提供更好的阻挡，且还作为黑底以减少不需要的反射，且是氢源以钝化其它层。
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