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公开(公告)号：CN100351691C
公开(公告)日：2007-11-28
申请号：CN200410028732.8
申请日：2004-03-12
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: G02F1/136 , H01L29/423 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/4908 , H01L27/12 , H01L29/41733 , H01L29/42384 , H01L29/458
Abstract: 一种用于薄膜晶体管的电极的新颖的设计。该新颖的设计使得即使在进行热处理工艺之后，在源极和漏极之间仍形成正常的导电沟道，以及一种包括该薄膜晶体管的平板显示器。该薄膜晶体管包括了源极、漏极、栅极和半导体层，其中源极、漏极和栅极中的至少一个包含了铝合金层，在该铝合金层的两个表面上都形成钛层。因为纯铝会扩散到半导体层中而造成缺陷区域并阻碍了在该薄膜晶体管中形成导电沟道，因此该电极优选不含有任何纯铝。
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公开(公告)号：CN1215567C
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：CN02105819.9
申请日：2002-04-11
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L27/12 , H01L27/1248 , H01L27/1288 , H01L27/32 , H01L29/78621
Abstract: 本发明公开了一种具有改善的电特性及简化的制造工艺的平板显示器。该显示器包括形成在绝缘衬底上的半导体层；分别直接接触半导体层的两个端部的源电极和漏电极；具有形成在其上的开口部分的像素电极；形成在绝缘衬底上除开口部分以外的其余部分上的第一绝缘层；形成在半导体层之上的部分第一绝缘层上的栅电极；以及形成在半导体层两个端部内的源极区和漏极区。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1204609C
公开(公告)日：2005-06-01
申请号：CN02152723.7
申请日：2002-11-20
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L21/336
CPC classification number: H01L27/124 , H01L27/12 , H01L29/4908 , H01L29/66757
Abstract: 本发明公开了一种制造薄膜晶体管的方法，包括：在一个衬底上形成一个半导体层；在该衬底的整个表面上形成一个栅极绝缘层以覆盖半导体层；在栅极绝缘层上沉积一个导电层；在半导体层上形成一个第一光敏图案；根据光敏图案构图导电层以形成栅电极；以及利用光敏图案作为掩膜把杂质离子掺入到半导体层中，形成源极区和漏极区。
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公开(公告)号：CN1380700A
公开(公告)日：2002-11-20
申请号：CN02105819.9
申请日：2002-04-11
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L27/12 , H01L27/1248 , H01L27/1288 , H01L27/32 , H01L29/78621
Abstract: 本发明公开了一种具有改善的电特性及简化的制造工艺的平板显示器。该显示器包括形成在绝缘衬底上的半导体层;分别直接接触半导体层的两个端部的源电极和漏电极;具有形成在其上的开口部分的像素电极;形成在绝缘衬底上除开口部分以外的其余部分上的第一绝缘层;形成在半导体层之上的部分第一绝缘层上的栅电极;以及形成在半导体层两个端部内的源极区和漏极区。
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公开(公告)号：CN101114668A
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN200710091521.2
申请日：2007-03-27
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L27/3258 , H01L27/3246 , H01L51/5203
Abstract: 本发明提供了一种有机发光显示装置及一种制造该有机发光显示装置的方法。沟槽形成在平坦化层中，随后第一电极在沟槽中形成为具有相对的端部，从而减小了平坦化层和第一电极之间的高度差。即，可通过减小第一电极相对于平坦化层的凸出或使所述凸出最小化，来减小形成在第一电极上的像素限定层的厚度。因此，当由激光感应热成像法来形成有机层时，可提高转印效率，通过减小或防止有机层的热损坏和开裂缺陷，可提高装置的可靠性。
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公开(公告)号：CN1530725A
公开(公告)日：2004-09-22
申请号：CN200410028732.8
申请日：2004-03-12
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: G02F1/136 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/4908 , H01L27/12 , H01L29/41733 , H01L29/42384 , H01L29/458
Abstract: 一种用于薄膜晶体管的电极的新颖的设计。该新颖的设计使得即使在进行热处理工艺之后，在源极和漏极之间仍形成正常的导电沟道，以及一种包括该薄膜晶体管的平板显示器。该薄膜晶体管包括了源极、漏极、栅极和半导体层，其中源极、漏极和栅极中的至少一个包含了铝合金层，在该铝合金层的两个表面上都形成钛层。因为纯铝会扩散到半导体层中而造成缺陷区域并阻碍了在该薄膜晶体管中形成导电沟道，因此该电极优选不含有任何纯铝。
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公开(公告)号：CN1420536A
公开(公告)日：2003-05-28
申请号：CN02152723.7
申请日：2002-11-20
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L21/336
CPC classification number: H01L27/124 , H01L27/12 , H01L29/4908 , H01L29/66757
Abstract: 本发明公开了一种制造薄膜晶体管的方法，包括：在一个衬底上形成一个半导体层；在该衬底的整个表面上形成一个栅极绝缘层以覆盖半导体层；在栅极绝缘层上沉积一个导电层；在半导体层上形成一个第一光敏图案；根据光敏图案构图导电层以形成栅电极；以及利用光敏图案作为掩膜把杂质离子掺入到半导体层中，形成源极区和漏极区。
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