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公开(公告)号：CN119342840A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202410956853.6
申请日：2024-07-17
Applicant: 三星电子株式会社 , 马克斯-普朗克科学促进协会
Inventor： 皮雄焕 , 斯图尔特·帕普沃斯·帕金 , 田在春 , 金载根 , 安德里亚·米格里里尼
Abstract: 一种磁存储器件包括：下磁轨道层，在第一方向上延伸并且包括多个第一磁畴；间隔物层，在下磁轨道层上并且在第一方向上延伸；上磁轨道层，在间隔物层上并且在第一方向上延伸，上磁轨道层包括多个第二磁畴；以及多个读取单元，在上磁轨道层上并且在第一方向上彼此分开布置，其中，所述多个第一磁畴和所述多个第二磁畴在沿垂直于第一方向的第二方向彼此重叠的位置处具有彼此平行的磁化方向。
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公开(公告)号：CN119339756A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202410956774.5
申请日：2024-07-17
Applicant: 三星电子株式会社 , 马克斯-普朗克科学促进协会
Inventor： 皮雄焕 , 斯图尔特·帕普沃斯·帕金 , 安德里亚·米格里里尼 , 田在春
IPC: G11C11/16
Abstract: 一种操作磁存储器设备的方法包括：(i)将第一电流施加到磁隧道结结构的自由层，所述磁隧道结结构包括在第一磁垫与第二磁垫之间延伸的磁转换单元(MTU)以及堆叠在所述MTU上的隧道势垒层和钉扎层，使得在所述MTU内建立多畴，(ii)向自由层施加磁场，使得MTU的磁化方向切换为变得与第一磁垫和第二磁垫的磁化方向反平行，(iii)向自由层施加第二电流，使得多畴的一部分渗透到第一磁垫中，以及(iv)向自由层施加另一磁场，使得第一磁垫的磁化方向切换为变得与第二磁垫的磁化方向反平行。
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公开(公告)号：CN116782750A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310269236.4
申请日：2023-03-17
Applicant: 三星电子株式会社 , 马克斯-普朗克科学促进协会
Abstract: 一种磁存储器件包括在第一方向上延伸的导电线以及在导电线的顶表面上在第一方向上延伸的磁轨线。导电线可以包括在第二方向上具有第一宽度的第一区域以及在第二方向上具有第二宽度的第二区域。第一方向和第二方向平行于导电线的顶表面并且彼此垂直。第二宽度可以大于第一宽度。磁轨线包括在导电线的第一区域上在第一方向上排列的第一畴以及在导电线的第二区域上在第一方向上排列的第二畴。每个第二畴的尺寸可以小于每个第一畴的尺寸。
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公开(公告)号：CN116168740A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202211471280.5
申请日：2022-11-23
Applicant: 三星电子株式会社 , 马克斯-普朗克科学促进协会
IPC: G11C11/16
Abstract: 一种磁存储器件包括在第一方向上延伸的磁道。磁道包括下磁性层、在下磁性层上的上磁性层、在下磁性层上并且在上磁性层的一侧的非磁性图案、以及在下磁性层和上磁性层之间并且在下磁性层和非磁性图案之间延伸的间隔物层。下磁性层和上磁性层通过间隔物层彼此反铁磁耦合。非磁性图案具有在垂直于第一方向的第二方向上彼此相反的第一表面和第二表面。非磁性图案和上磁性层之间的接合表面相对于与第一表面和第二表面垂直的参考表面倾斜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116669428A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310169758.7
申请日：2023-02-27
Applicant: 三星电子株式会社 , 马克斯-普朗克科学促进协会
Inventor： 斯图尔特·帕普沃思·帕金 , 田在春 , 安德烈亚·米廖里尼 , 皮雄焕
Abstract: 提供磁存储器装置和控制磁存储器装置的畴尺寸的方法。磁存储器装置可包括：磁轨，其在第一方向上延伸；以及第一电极，其设置在磁轨的偏置点处并且被配置为向磁轨施加电压。磁轨包括在磁轨的第一端与偏置点之间的第一区域以及在偏置点与磁轨的第二端之间的第二区域。第一电极可被配置为导致第一区域中的电流密度与第二区域中的电流密度之间的差异。
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公开(公告)号：CN116171051A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202211474372.9
申请日：2022-11-23
Applicant: 三星电子株式会社 , 马克斯-普朗克科学促进协会
Abstract: 本公开提供了磁存储器件。一种磁存储器件可以包括在第一方向上延伸的磁轨。磁轨可以包括在第一方向上延伸的下磁性层、在下磁性层上在第一方向上延伸的上磁性层、在下磁性层和上磁性之间在第一方向上延伸的间隔物层以及穿透上磁性层并在间隔物层上的非磁性图案。非磁性图案具有与上磁性层的第一部分接触的第一结表面以及与上磁性层的第二部分接触的第二结表面。下磁性层和上磁性层通过间隔物层而彼此反铁磁耦合。
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公开(公告)号：CN119383979A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411015829.9
申请日：2024-07-26
Applicant: 三星电子株式会社 , 马克斯-普朗克科学促进协会
Inventor： 皮雄焕 , 斯图尔特·帕普沃斯·帕金 , 田在春 , 金载根 , 安德里亚·米格里里尼
Abstract: 根据一种制造磁性存储器件的方法，通过使用图案段的分层现象来制造多个磁性模块并且堆叠所述多个磁性模块以完成堆叠存储器件，能够以低成本制造各种类型的磁性存储器件。
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公开(公告)号：CN112599657A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202011037720.7
申请日：2020-09-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种磁存储器件包括：在第一方向上延伸的导电线；在导电线上在与第一方向交叉的第二方向上延伸的磁性线，磁性线与导电线交叉；以及设置在导电线和磁性线之间的磁性图案。磁性图案具有在第一方向上彼此相反的第一侧壁和在第二方向上彼此相反的第二侧壁。磁性图案的第二侧壁分别与导电线的彼此相反的侧壁对准。
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公开(公告)号：CN101751989B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN200910246683.8
申请日：2009-12-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/15
CPC classification number: G11C19/0841 , G11C11/161 , G11C11/1673 , G11C11/1675
Abstract: 本发明提供了一种使用磁畴壁移动的信息存储装置及操作该装置的方法。所述信息存储装置包括磁轨和操作单元。磁轨包括通过磁畴壁分离的多个磁畴。操作单元的大小能够覆盖至少两个相邻磁畴。并且，操作单元被配置为可向磁轨的单个磁畴区以及多个磁畴区写入信息/从磁轨的单个磁畴区以及多个磁畴区读取信息。
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