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发明公开
磁存储器装置和控制其畴尺寸的方法审中-实审

公开(公告)号：CN116669428A

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202310169758.7

申请日：2023-02-27

Applicant: 三星电子株式会社 , 马克斯-普朗克科学促进协会

Inventor： 斯图尔特·帕普沃思·帕金 , 田在春 , 安德烈亚·米廖里尼 , 皮雄焕

IPC: H10B61/00 , G11C11/16 , G11C11/04

Abstract: 提供磁存储器装置和控制磁存储器装置的畴尺寸的方法。磁存储器装置可包括：磁轨，其在第一方向上延伸；以及第一电极，其设置在磁轨的偏置点处并且被配置为向磁轨施加电压。磁轨包括在磁轨的第一端与偏置点之间的第一区域以及在偏置点与磁轨的第二端之间的第二区域。第一电极可被配置为导致第一区域中的电流密度与第二区域中的电流密度之间的差异。

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