公开(公告)号：CN119383979A

公开(公告)日：2025-01-28

申请号：CN202411015829.9

申请日：2024-07-26

Applicant: 三星电子株式会社 ,  马克斯-普朗克科学促进协会

Inventor： 皮雄焕 ,  斯图尔特·帕普沃斯·帕金 ,  田在春 ,  金载根 ,  安德里亚·米格里里尼

IPC: H10B61/00 ,  H10N50/20

Abstract: 根据一种制造磁性存储器件的方法，通过使用图案段的分层现象来制造多个磁性模块并且堆叠所述多个磁性模块以完成堆叠存储器件，能够以低成本制造各种类型的磁性存储器件。

公开(公告)号：CN119342840A

公开(公告)日：2025-01-21

申请号：CN202410956853.6

申请日：2024-07-17

Applicant: 三星电子株式会社 ,  马克斯-普朗克科学促进协会

Inventor： 皮雄焕 ,  斯图尔特·帕普沃斯·帕金 ,  田在春 ,  金载根 ,  安德里亚·米格里里尼

IPC: H10B61/00 ,  H10N52/00 ,  H10N52/01

Abstract: 一种磁存储器件包括：下磁轨道层，在第一方向上延伸并且包括多个第一磁畴；间隔物层，在下磁轨道层上并且在第一方向上延伸；上磁轨道层，在间隔物层上并且在第一方向上延伸，上磁轨道层包括多个第二磁畴；以及多个读取单元，在上磁轨道层上并且在第一方向上彼此分开布置，其中，所述多个第一磁畴和所述多个第二磁畴在沿垂直于第一方向的第二方向彼此重叠的位置处具有彼此平行的磁化方向。

公开(公告)号：CN119339756A

公开(公告)日：2025-01-21

申请号：CN202410956774.5

申请日：2024-07-17

Applicant: 三星电子株式会社 ,  马克斯-普朗克科学促进协会

Inventor： 皮雄焕 ,  斯图尔特·帕普沃斯·帕金 ,  安德里亚·米格里里尼 ,  田在春

IPC: G11C11/16

Abstract: 一种操作磁存储器设备的方法包括：(i)将第一电流施加到磁隧道结结构的自由层，所述磁隧道结结构包括在第一磁垫与第二磁垫之间延伸的磁转换单元(MTU)以及堆叠在所述MTU上的隧道势垒层和钉扎层，使得在所述MTU内建立多畴，(ii)向自由层施加磁场，使得MTU的磁化方向切换为变得与第一磁垫和第二磁垫的磁化方向反平行，(iii)向自由层施加第二电流，使得多畴的一部分渗透到第一磁垫中，以及(iv)向自由层施加另一磁场，使得第一磁垫的磁化方向切换为变得与第二磁垫的磁化方向反平行。