公开(公告)号：CN116171051A

公开(公告)日：2023-05-26

申请号：CN202211474372.9

申请日：2022-11-23

Applicant: 三星电子株式会社 ,  马克斯-普朗克科学促进协会

Inventor： S.P.帕金 ,  梁时熏 ,  尹智湖 ,  皮雄焕

IPC: H10B61/00 ,  H10N50/10 ,  H10N50/01

Abstract: 本公开提供了磁存储器件。一种磁存储器件可以包括在第一方向上延伸的磁轨。磁轨可以包括在第一方向上延伸的下磁性层、在下磁性层上在第一方向上延伸的上磁性层、在下磁性层和上磁性之间在第一方向上延伸的间隔物层以及穿透上磁性层并在间隔物层上的非磁性图案。非磁性图案具有与上磁性层的第一部分接触的第一结表面以及与上磁性层的第二部分接触的第二结表面。下磁性层和上磁性层通过间隔物层而彼此反铁磁耦合。

公开(公告)号：CN116171052A

公开(公告)日：2023-05-26

申请号：CN202211477599.9

申请日：2022-11-23

Applicant: 三星电子株式会社 ,  马克斯-普朗克科学促进协会

Inventor： S.P.帕金 ,  梁时熏 ,  尹智湖 ,  皮雄焕

IPC: H10B61/00

Abstract: 一种磁存储器件包括在第一方向上延伸的导线以及在导线上在第一方向上延伸的磁道。磁道包括：顺序堆叠于导线上的下磁层、间隔层和上磁层，以及在间隔层上且邻近上磁层的侧面的非磁图案。非磁图案与下磁层的一部分垂直重叠。下磁层和上磁层通过间隔层彼此反铁磁耦合。

公开(公告)号：CN116168740A

公开(公告)日：2023-05-26

申请号：CN202211471280.5

申请日：2022-11-23

Applicant: 三星电子株式会社 ,  马克斯-普朗克科学促进协会

Inventor： 尹智湖 ,  梁时熏 ,  S.P.帕金 ,  皮雄焕

IPC: G11C11/16

Abstract: 一种磁存储器件包括在第一方向上延伸的磁道。磁道包括下磁性层、在下磁性层上的上磁性层、在下磁性层上并且在上磁性层的一侧的非磁性图案、以及在下磁性层和上磁性层之间并且在下磁性层和非磁性图案之间延伸的间隔物层。下磁性层和上磁性层通过间隔物层彼此反铁磁耦合。非磁性图案具有在垂直于第一方向的第二方向上彼此相反的第一表面和第二表面。非磁性图案和上磁性层之间的接合表面相对于与第一表面和第二表面垂直的参考表面倾斜。