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公开(公告)号:CN111430389B
公开(公告)日:2024-12-31
申请号:CN201911423578.7
申请日:2019-12-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器可以包括:衬底,所述衬底包括彼此相对的第一表面和第二表面;多个光电转换器件,所述多个光电转换器件在所述衬底内彼此不直接接触;第一沟槽,所述第一沟槽被构造为从所述衬底的所述第一表面延伸到所述衬底的内部并且在所述多个光电转换器件中的相邻光电转换器件之间延伸;第一支撑件,所述第一支撑件在所述第一沟槽内;以及第一隔离层,所述第一隔离层在所述第一沟槽内至少部分地覆盖所述第一支撑件的两个侧壁,其中,所述第一支撑件的下表面与所述衬底的所述第一表面共面。
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公开(公告)号:CN118693089A
公开(公告)日:2024-09-24
申请号:CN202410216539.4
申请日:2024-02-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L27/088 , H01L23/528 , H01L23/522
Abstract: 一种集成电路器件,包括:基板;绝缘结构,所述绝缘结构位于所述基板的前部表面上;接触结构,所述接触结构包括延伸穿过所述基板的第一插塞部分;以及自组装有机材料绝缘衬垫,所述自组装有机材料绝缘衬垫在所述第一插塞部分与所述基板之间。
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公开(公告)号:CN111430389A
公开(公告)日:2020-07-17
申请号:CN201911423578.7
申请日:2019-12-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器可以包括:衬底,所述衬底包括彼此相对的第一表面和第二表面;多个光电转换器件,所述多个光电转换器件在所述衬底内彼此不直接接触;第一沟槽,所述第一沟槽被构造为从所述衬底的所述第一表面延伸到所述衬底的内部并且在所述多个光电转换器件中的相邻光电转换器件之间延伸;第一支撑件,所述第一支撑件在所述第一沟槽内;以及第一隔离层,所述第一隔离层在所述第一沟槽内至少部分地覆盖所述第一支撑件的两个侧壁,其中,所述第一支撑件的下表面与所述衬底的所述第一表面共面。
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公开(公告)号:CN114725282A
公开(公告)日:2022-07-08
申请号:CN202111137923.8
申请日:2021-09-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L49/02 , H01L21/8242
Abstract: 提供了制造电容器的方法和制造包括电容器的半导体器件的方法。所述制造电容器的方法可以包括:形成第一电极;在所述第一电极上形成介电层;在所述介电层上形成第二电极;以及在所述第一电极与所述第二电极之间施加在所述电容器的工作期间施加的工作电压范围之外的电压或者在所述电容器的工作期间施加的工作电流范围之外的电流。
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