公开(公告)号：CN115931890A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202211189779.7

申请日：2022-09-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴钟彬 ,  金桢吉 ,  松田阳三 ,  李东协 ,  D·郑 ,  郑有轸 ,  郑殷憙 ,  朱愿暾 ,  崔珉硕

IPC: G01N21/94 ,  G01N21/01 ,  G01N21/55 ,  G03F7/20

Abstract: 一种极紫外(EUV)收集器检查设备，包括：挡光盖，其覆盖待检查的EUV收集器的前表面并且提供其中外部光被阻挡的空间部分；空间部分中的光源，光源具有沿着EUV收集器的中心轴延伸的柱形，光源被配置为输出在紫外(UV)波段至可见光(VIS)波段范围内的辐射光；以及光谱仪，其位于光源上方并且被配置为检测辐射光从EUV收集器的前表面反射的反射光的光谱。设备或与其关联的控制器可被配置为基于反射光的光谱检查EUV收集器的前表面的污染状态。

公开(公告)号：CN118660458A

公开(公告)日：2024-09-17

申请号：CN202311848106.2

申请日：2023-12-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 严暻植 ,  金仁镐 ,  金灿圭 ,  尹柱美 ,  李宁浩 ,  D·郑 ,  洪源基

IPC: H10B43/27 ,  H10B43/35 ,  H10B43/50 ,  H10B41/27 ,  H10B41/35 ,  H10B41/50

Abstract: 提供了一种半导体装置及其制造方法和一种电子系统。该半导体装置包括单元区，其中单元区包括：单元阵列区；邻近于单元阵列区的连接区；包括多个栅电极的栅极堆叠结构，其中栅极堆叠结构包括上结构和下结构；穿过单元阵列区中的栅极堆叠结构的多个沟道结构；以及穿过连接区中的栅极堆叠结构的多个栅极接触部分，其中，单元阵列区中的底部栅电极在上结构的底部中并且邻近于多个沟道结构中的沟道结构，并且其中，连接区中的底部绝缘部分在上结构的底部中并且邻近于多个栅极接触部分中的栅极接触部分。