公开(公告)号：CN118660458A

公开(公告)日：2024-09-17

申请号：CN202311848106.2

申请日：2023-12-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 严暻植 ,  金仁镐 ,  金灿圭 ,  尹柱美 ,  李宁浩 ,  D·郑 ,  洪源基

IPC: H10B43/27 ,  H10B43/35 ,  H10B43/50 ,  H10B41/27 ,  H10B41/35 ,  H10B41/50

Abstract: 提供了一种半导体装置及其制造方法和一种电子系统。该半导体装置包括单元区，其中单元区包括：单元阵列区；邻近于单元阵列区的连接区；包括多个栅电极的栅极堆叠结构，其中栅极堆叠结构包括上结构和下结构；穿过单元阵列区中的栅极堆叠结构的多个沟道结构；以及穿过连接区中的栅极堆叠结构的多个栅极接触部分，其中，单元阵列区中的底部栅电极在上结构的底部中并且邻近于多个沟道结构中的沟道结构，并且其中，连接区中的底部绝缘部分在上结构的底部中并且邻近于多个栅极接触部分中的栅极接触部分。