公开(公告)号：CN103972303A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201410033871.3

申请日：2014-01-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 高在赫 ,  金汉求 ,  高民昌 ,  金昌洙 ,  全暻基

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L27/02 ,  H01L21/329 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8249

CPC classification number: H01L27/0629 ,  H01L21/823418 ,  H01L27/0255 ,  H01L27/0705 ,  H01L29/8611 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/13034 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供了一种二极管、ESD保护电路、制造二极管的方法以及同时制造二极管和PLDMOS晶体管的方法。所述方法如下。在N型外延层的第一上部中形成N型阱区域。在N型外延层的第二上部中形成P型漂移区域。在N型阱区域中形成N型掺杂区域。在P型漂移区域中形成P型掺杂区域。在P型漂移区域中形成隔离结构。隔离结构设置在N型阱区域和P型掺杂区域之间。在N型外延层的一部分上形成第一电极。N型外延层的所述一部分设置在N型阱区域和P型漂移区域之间。第一电极与隔离结构的一部分叠置。形成连接结构以电结合N型掺杂区域和第一电极。

公开(公告)号：CN105097786B

公开(公告)日：2019-05-28

申请号：CN201510239430.3

申请日：2015-05-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 高在赫 ,  高民昌 ,  金汉求

IPC: H01L23/60 ,  H01L21/66 ,  H02H9/00

CPC classification number: H01L23/60 ,  H01L27/0266 ,  H01L2924/0002 ,  H02H9/04 ,  H02H9/046 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件以及一种操作半导体器件中的静电放电电路的方法。所述半导体器件包括：第一驱动器，其被构造为响应于驱动信号将焊盘的电压电平上拉至第一电源电压；第二驱动器，其被构造为响应于驱动信号将焊盘的电压电平下拉至第二电源电压；开关保护电阻器，其被构造为响应于开关控制信号改变焊盘与第二驱动器之间的电阻；以及静电放电检测器，其被构造为检测第一电源电压或第二电源电压的电压电平，并且产生开关控制信号。

公开(公告)号：CN103972303B

公开(公告)日：2018-11-20

申请号：CN201410033871.3

申请日：2014-01-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 高在赫 ,  金汉求 ,  高民昌 ,  金昌洙 ,  全暻基

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L27/02 ,  H01L21/329 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8249

Abstract: 本发明提供了一种二极管、ESD保护电路、制造二极管的方法以及同时制造二极管和PLDMOS晶体管的方法。所述方法如下。在N型外延层的第一上部中形成N型阱区域。在N型外延层的第二上部中形成P型漂移区域。在N型阱区域中形成N型掺杂区域。在P型漂移区域中形成P型掺杂区域。在P型漂移区域中形成隔离结构。隔离结构设置在N型阱区域和P型掺杂区域之间。在N型外延层的一部分上形成第一电极。N型外延层的所述一部分设置在N型阱区域和P型漂移区域之间。第一电极与隔离结构的一部分叠置。形成连接结构以电结合N型掺杂区域和第一电极。

公开(公告)号：CN105097786A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201510239430.3

申请日：2015-05-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 高在赫 ,  高民昌 ,  金汉求

IPC: H01L23/60 ,  H01L21/66 ,  H02H9/00

CPC classification number: H01L23/60 ,  H01L27/0266 ,  H01L2924/0002 ,  H02H9/04 ,  H02H9/046 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件以及一种操作半导体器件中的静电放电电路的方法。所述半导体器件包括：第一驱动器，其被构造为响应于驱动信号将焊盘的电压电平上拉至第一电源电压；第二驱动器，其被构造为响应于驱动信号将焊盘的电压电平下拉至第二电源电压；开关保护电阻器，其被构造为响应于开关控制信号改变焊盘与第二驱动器之间的电阻；以及静电放电检测器，其被构造为检测第一电源电压或第二电源电压的电压电平，并且产生开关控制信号。