公开(公告)号：CN102315218B

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201110183551.2

申请日：2011-06-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 蔡教锡 ,  山田悟 ,  韩相然 ,  崔荣振 ,  金煜济

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/78 ,  H01L29/41 ,  H01L23/528

CPC classification number: H01L27/088 ,  H01L23/535 ,  H01L27/0207 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/7833

Abstract: 本发明提供四晶体管布局、集成电路场效应晶体管和半导体器件。四晶体管布局可以包括定义有源区的隔离区，该有源区沿不同的第一方向和第二方向延伸。四个晶体管的公共源区从有源区的中心沿第一方向和第二方向两者延伸以定义有源区的在公共源区之外的四个象限。提供四个漏区，各个漏区在所述四个象限的相应一个中且与公共源区间隔开。最后，提供四个栅电极，各个栅电极在四个象限的相应一个中在公共源区与四个漏区中的相应一个之间。各个栅电极包括顶点以及第一延伸部分和第二延伸部分，该第一延伸部分从该顶点沿第一方向延伸，该第二延伸部分从该顶点沿第二方向延伸。

公开(公告)号：CN102315218A

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN201110183551.2

申请日：2011-06-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 蔡教锡 ,  山田悟 ,  韩相然 ,  崔荣振 ,  金煜济

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/78 ,  H01L29/41 ,  H01L23/528

CPC classification number: H01L27/088 ,  H01L23/535 ,  H01L27/0207 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/7833

Abstract: 本发明提供四晶体管布局、集成电路场效应晶体管和半导体器件。四晶体管布局可以包括定义有源区的隔离区，该有源区沿不同的第一方向和第二方向延伸。四个晶体管的公共源区从有源区的中心沿第一方向和第二方向两者延伸以定义有源区的在公共源区之外的四个象限。提供四个漏区，各个漏区在所述四个象限的相应一个中且与公共源区间隔开。最后，提供四个栅电极，各个栅电极在四个象限的相应一个中在公共源区与四个漏区中的相应一个之间。各个栅电极包括顶点以及第一延伸部分和第二延伸部分，该第一延伸部分从该顶点沿第一方向延伸，该第二延伸部分从该顶点沿第二方向延伸。

公开(公告)号：CN103972290B

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201410042203.7

申请日：2014-01-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔庆寅 ,  金兼 ,  尹洪植 ,  具本荣 ,  金煜济

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：位于衬底上的栅极图案；位于所述栅极图案下方的多沟道有源图案，所述多沟道有源图案跨越所述栅极图案并且具有不与栅极图案重叠的第一区域和与栅极图案重叠的第二区域；沿着所述第一区域的外周位于所述多沟道有源图案中的扩散层，所述扩散层包括具有一定浓度的杂质；以及位于所述多沟道有源图案上的垫片，所述垫片在所述第一区域的各侧表面上延伸而不在所述第一区域的上表面上延伸。本发明同样描述了相关的制造方法。

公开(公告)号：CN103972290A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201410042203.7

申请日：2014-01-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔庆寅 ,  金兼 ,  尹洪植 ,  具本荣 ,  金煜济

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66795 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823821 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/785 ,  H01L2924/13067

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：位于衬底上的栅极图案；位于所述栅极图案下方的多沟道有源图案，所述多沟道有源图案跨越所述栅极图案并且具有不与栅极图案重叠的第一区域和与栅极图案重叠的第二区域；沿着所述第一区域的外周位于所述多沟道有源图案中的扩散层，所述扩散层包括具有一定浓度的杂质；以及位于所述多沟道有源图案上的垫片，所述垫片在所述第一区域的各侧表面上延伸而不在所述第一区域的上表面上延伸。本发明同样描述了相关的制造方法。