公开(公告)号：CN103972290B

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201410042203.7

申请日：2014-01-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔庆寅 ,  金兼 ,  尹洪植 ,  具本荣 ,  金煜济

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：位于衬底上的栅极图案；位于所述栅极图案下方的多沟道有源图案，所述多沟道有源图案跨越所述栅极图案并且具有不与栅极图案重叠的第一区域和与栅极图案重叠的第二区域；沿着所述第一区域的外周位于所述多沟道有源图案中的扩散层，所述扩散层包括具有一定浓度的杂质；以及位于所述多沟道有源图案上的垫片，所述垫片在所述第一区域的各侧表面上延伸而不在所述第一区域的上表面上延伸。本发明同样描述了相关的制造方法。

公开(公告)号：CN103972290A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201410042203.7

申请日：2014-01-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔庆寅 ,  金兼 ,  尹洪植 ,  具本荣 ,  金煜济

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66795 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823821 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/785 ,  H01L2924/13067

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：位于衬底上的栅极图案；位于所述栅极图案下方的多沟道有源图案，所述多沟道有源图案跨越所述栅极图案并且具有不与栅极图案重叠的第一区域和与栅极图案重叠的第二区域；沿着所述第一区域的外周位于所述多沟道有源图案中的扩散层，所述扩散层包括具有一定浓度的杂质；以及位于所述多沟道有源图案上的垫片，所述垫片在所述第一区域的各侧表面上延伸而不在所述第一区域的上表面上延伸。本发明同样描述了相关的制造方法。