公开(公告)号：CN117238849A

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN202310635014.X

申请日：2023-05-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李丞教 ,  姜钟仁 ,  金桂荣 ,  金荣祐 ,  朴容汉 ,  郑宇陈 ,  韩昇煜 ,  许宙永

IPC: H01L21/77 ,  H01L21/027 ,  H01L21/78

Abstract: 提供了半导体器件和制造半导体器件的方法。所述制造半导体器件的方法包括：在衬底上形成掩模层、第一分离层、第一芯模层、第二分离层和第二芯模层；对第二芯模层进行图案化以形成第二芯模图案；在第二芯模图案上形成第一间隔物；去除第二芯模图案；对第二分离层和第一芯模层进行图案化以形成第一结构；在第一结构和第一分离层上形成第二间隔物层；各向异性地蚀刻第二间隔物层，以在第一结构上形成第二间隔物，并在第一结构上形成第一虚设图案和对准关键图案；以及在第一分离层上旋转涂布旋涂硬掩模层，其中，旋涂硬掩模层覆盖第一结构、第一虚设图案和对准关键图案。

公开(公告)号：CN117133633A

公开(公告)日：2023-11-28

申请号：CN202310489410.6

申请日：2023-05-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金桂荣 ,  郑宇陈 ,  河淳穆 ,  刘俊埴 ,  李丞敎

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/311

Abstract: 提供了一种形成光刻胶图案的方法，其中，在衬底上形成氧化硅层。在氧化硅层上形成接触氧化硅层的第一光刻胶图案。对其上形成具有缺陷的第一光刻胶图案的衬底执行全表面曝光。通过对已经进行了全表面曝光的第一光刻胶图案进行显影来完全去除第一光刻胶图案。另外，在氧化硅层上形成第二光刻胶图案。

公开(公告)号：CN119230389A

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN202410789023.9

申请日：2024-06-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金桂荣 ,  尹详皓 ,  崔贞姬 ,  郑宇陈

IPC: H01L21/033 ,  H10B12/00 ,  G03F7/00

Abstract: 提供了形成图案的方法和使用该方法制造半导体器件的方法。形成图案的方法包括：在衬底中形成第一凹陷；在衬底上形成延伸到第一凹陷中的第一掩模层；对第一掩模层执行热处理工艺；去除第一掩模层的上部以在第一凹陷中形成第一掩模，第一掩模包括第一掩模层的下部；在衬底和第一掩模上形成第二掩模，第二掩模包括相对于蚀刻工艺具有比第一掩模的耐受性大的耐受性的材料；以及使用第二掩模作为蚀刻掩模对衬底执行蚀刻工艺，以在衬底上形成图案。